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本文是西南科技大学模拟电子技术实验的预习报告，主要涉及二极管的V-I特性测试，包括正向和反向特性，以及在半波整流、限幅、钳位和开关电路中的应用。实验中使用Multisim进行电路仿真，并通过万用表和虚拟仪器记录数据，完成多个虚表的填写。
目录
一、计算/设计过程
说明：本实验是验证性实验，计算预测验证结果。是设计性实验一定要从系统指标计算出元件参数过程，越详细越好。用公式输入法完成相关公式内容，不得贴手写图片。（注意：从抽象公式直接得出结果，不得分，页数可根据内容调整）
1、理论算法公式
常温下（T=300K）
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