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一、计算/设计过程
说明:本实验是验证性实验,计算预测验证结果。是设计性实验一定要从系统指标计算出元件参数过程,越详细越好。用公式输入法完成相关公式内容,不得贴手写图片。(注意:从抽象公式直接得出结果,不得分,页数可根据内容调整)
1、理论算法公式

常温下(T=300K)
本文是西南科技大学模拟电子技术实验的预习报告,主要涉及二极管的V-I特性测试,包括正向和反向特性,以及在半波整流、限幅、钳位和开关电路中的应用。实验中使用Multisim进行电路仿真,并通过万用表和虚拟仪器记录数据,完成多个虚表的填写。
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说明:本实验是验证性实验,计算预测验证结果。是设计性实验一定要从系统指标计算出元件参数过程,越详细越好。用公式输入法完成相关公式内容,不得贴手写图片。(注意:从抽象公式直接得出结果,不得分,页数可根据内容调整)
1、理论算法公式

常温下(T=300K)
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