JESD209B LPDDR1 协议（3）

5. 操作

5.1取消选择

DESELECT 功能（CS的信号线为高电平High）可防止 LPDR1执行新命令。发出deselect命令时，正在进行的操作不受影响。

5.2 No Operation 无操作

NO OPERATION（NOP）命令发送如图11，用于对选择（CS信号线为低电平）的LPDR1执行NOP。这可以防止在空闲或等待状态期间发出不需要的命令。已经进行的操作不受影响。

5.3 模式寄存器集

模式寄存器和扩展模式寄存器通过地址输入加载。请参见模式寄存器（图6）和扩展模式寄存器（图7）的描述以获取详细信息。MODE REGISTER SET命令（见图12）只能在所有银行处于空闲状态且没有正在进行的突发时才能发出，并且只有在满足tMRD（见图13）后才能发出后续可执行命令。

5.4 Active

激活

在向LPDDR SDRAM中的bank发出任何READ或WRITE命令之前，必须先要打开该bank所在的行。这一步是通过ACTIVE命令实现的（见图14）：即通过BA0和BA1两根信号线的电平来选择bank，伴随Active命令的地址输入线用来选中要激活的行。任何时候都可以激活多个bank。

当一个行打开后，需要等待tRCD的时间才能下发READ或WRITE命令，tRCD的参数需要符合tRCD规范。

对同一bank中的下一行的下发ACTIVE命令只允许在前一行被关闭后才能发出。同一bank中对连续两个行下发ACTIVE命令之间的最小时间间隔由tRC定义。

在访问第一个bank时，可以向另一个bank发出后续的 ACTIVE 命令，这会减少总行访问时间开销。不同bank之间下发两个连续的 ACTIVE 命令之间的最小时间间隔由 tRRD 定义。图 15 显示了 tRCD 和 tRRD 的定义。

该行将一直处于激活的状态，直到该行所在bank接收到PRECHARGE命令（或带有自动预充电的READ或WRITE命令）。

此外，在打开同一行之前，必须发出PRECHARGE命令进行预充电（或带有自动预充电的READ或WRITE命令）。

5.5 Read 读取

READ命令（见图16）用于启动对已激活行的数据进行突发读取访问，突发长度可通过模式寄存器进行设置。BA0和BA1选择bank，地址输入选择起始列位置。根据情况对A10设置从而确定是否使用自动预充电。如果选择自动预充电，则正在访问的行将在读取突发操作后进行预充电；如果未选择自动预充电，则行将保持打开，以供后续访问。

DQS信号线为参考时钟的基本读取时序参数如图17所示；它们适用于所有读取操作。

在读取突发期间，DQS和输出的数据一起通过LPDR1进行驱动。DQS的初始低电平状态称为读取前导码；与最后一个数据输出bit同时发生的低电平状态称为读取后同步码。

在读取的过程中，第一个数据输出元素与DQS的第一个上升沿边沿对齐，随后的数据输出元素与DQS的随后的边缘对齐。如图18所示，CAS延迟为2和3个时钟周期

在完成一个读突发操作后，假设LPDR1未接收到其他READ命令时，DQS将进入High-Z。