静态随机存储器

随机存取存储器
静态RAM(SRAM)

 

T1~T4构成触发器，是一个双稳态的触发器。(触发器用来存储0和1)一端是0，另一端就是1，两端是相反电平 。
T5、T6用于控制对存储元件进行读或写。

静态RAM基本电路读操作

 

要进行行选、列选，才会读选择有效，读选择使Dout打开，非端同样能传输数据，但是到了写放大器就被截止了。

静态RAM基本电路写操作

 

动态RAM(DRAM)
用电容存储信息，有电荷就是1，没电荷就是0.

 

信息保存在电容Cg上。读选择线有效，则T2导通，若写选择线有效，则T3导通。预充电信号有效，则T4打开。
三管动态RAM芯片 读操作

 

选中的为所选列和行的交叉点。选中后通过读数据线连接到读写控制电路进行读。
最后的刷新放大器，及时刷新保持信号。

三管动态RAM芯片 写操作

 

数据从D写入读写控制电路，然后经过写选择线，找到所确定的单元进行写入操作。

动态RAM刷新

动态RAM用电容存储电荷来存储器信息，如果不充电，电容中的电就会漏掉，所以要随时刷新进行充电。
动态RAM刷新只与行地址有关。每一次刷新，刷新的是一行所有的基本单元电路。

 

集中刷新（0.5微秒），在一个刷新周期内，对全部存储单元集中一段时间逐行进行刷新。
前面的周期先进行读写或其他操作，后面留出一个周期专门进行刷新。

分散刷新（1微秒），刷新过于频繁，芯片性能下降。

 

异步刷新，减少死区，提高利用率，提高了性能。

动态RAM和静态RAM的比较