动态RAM(DRAM)和静态RAM(SRAM)的比较

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#DRAM和SRAM比较

本文深入探讨了动态RAM(DRAM)与静态RAM(SRAM)之间的关键差异，从存储原理、集成度、芯片引脚数量、功耗、价格、速度及刷新需求等方面进行了详细比较，为读者提供了一个全面理解两种内存技术特性的视角。

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                       动态RAM(DRAM)和静态RAM(SRAM)的比较
 动态RAM(DRAM)静态RAM(SRAM)
①存储原理电容存储电荷的方式触发器的方式
②集成度高低
③芯片引脚少多
④功耗小大
⑤价格低高
⑥速度慢快
⑦刷新有无

 

静态随机存取存储器（SRAM）
m0_73679431的博客
02-28 1万+
前言: 主存（内部存储器）是半导体存储器。根据信 息存储的机理不同可以分为两类： 静态读写存储器(SRAM)：存取速度快 动态读写存储器(DRAM)：存储密度和容量比 SRAM大。 一.基本的静态存储元阵列 如图所示为基本的静态存储元阵列: SRAM用锁存器（触发器）作为存储元。（只要直流供电电源一直加在这个记忆电路上，它就无期限的保持记忆的1状态或0状态。如果电源断电，则存储的数据（1或0）就会丢失。) 任何一个SRAM，都有
一文搞懂RAM、ROM、SRAM、DRAM和SDRAM
麟的博客
02-19 2055
Synchronous Dynamic Random Access Memory，动态随机访问存储器，是一种DRAM存储器，但是与DRAM的最大区别在于“同步（synchronous）”，SDRAM通过与系统的时钟信号同步，以提高其运行效率和数据传输速率。a、SDRAM（静态RAM），使用双稳态触发器来存储每一位数据，速度快，但是成本较高，集成度低，不适合做大容量内存，通常用作缓存（如CPU内部的L1、L2缓存）。a、同步操作：SDRAM的所有操作都与系统的时钟同步，提高了数据的处理速度和总线利用率。
静态随机存储器（SRAM）
JAZJD的博客
05-26 6634
静态随机存储器（SRAM）是一种广泛用于计算机系统和嵌入式设备中的高速随机访问存储器。与动态随机存储器（DRAM）不同，SRAM 不需要定期刷新，因此可以实现更快的访问时间和更低的功耗。SRAM通常用于缓存、高速缓冲器和存储器应用程序中，其中性能和可靠性至关重要。
DRAM 的集成度高于 SRAM
最新发布
SZ170110231的博客
06-18 935
DRAM（动态随机存取存储器）和 SRAM（静态随机存取存储器）是两种主要的半导体存储器，它们在结构、性能和适用场景上有显著差异。其中，
静态随机存取存储器
m0_73648245的博客
10-15 1298
静态随机存取存储器(SRAM)的优点是存取速度快，但存储密度和容量不如DRAM大。 1.基本的静态存储元阵列 SRAM用锁存器(触发器)作为存储元。只要直流供电电源一直加在这个记忆电路上，它就无限期地保持记忆的1状态或0状态。如果电源断电，则存储的数据(1或0)就会丢失。 任何一个 SRAM ，都有三组信号线与外部打交道：①地址线;②数据线; ③控制线。注意，读写操作不会同时发生。 地址译码器输出的选择线，称为行线，其作用是打开每个存储位元的输入与非门。当外部输入数据为1时，锁存器便记忆了1；当外
SRAM（静态随机存储器）
浩瀚之水的专栏
05-25 9683
SRAM是英文Static RAM的缩写，即静态随机存储器。它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。 目录 1基本简介 2主要规格 3基本特点 4主要用途 5工作原理 6结构原理 7背景知识 1基本简介编辑 SRAM不需要刷新电
3.2 静态随机存取存储器
tang7mj的博客
04-29 4068
静态随机存取存储器（SRAM）是计算机存储器中的一种，具有快速读/写速度和易于实现的优点。以下是SRAM的重点、难点和易错点总结：SRAM的逻辑结构和基本存储元阵列。SRAM的读/写时序，包括地址信号和控制信号的设置和时序关系。SRAM的容量扩充方法和技术，包括级联和交织等方式。SRAM的读/写时序比较复杂，需要理解控制信号的作用和时序关系，同时需要考虑时序误差对读/写操作的影响。SRAM的容量扩充需要考虑多个存储器的地址映射和数据传输，容易出现地址冲突和数据丢失等问题。
什么是ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别
01-20
　RAM有两大类，一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)...
什么是ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH及区别
08-20
RAM有两大类，一种是静态RAM（SRAM），速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵。另一种是动态RAM（DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，但是它比任何ROM都要快。DRAM分为很多种，...
ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别介绍
07-20
静态RAM（SRAM）是一种RAM的形式，它速度非常快，几乎是目前读写速度最快的存储设备。SRAM被广泛应用于CPU内部的一级和二级缓存中，因为这些缓存需要极高的速度来减少处理器的等待时间。然而，SRAM的成本较高，这是...
ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区分
08-15
RAM（Random Access Memory）是一种可以随机存取的存储器，RAM有两大类，一种是静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵。另一种是动态RAM（DynamicRAM/DRAM），...
半导体存储器有哪些类型
01-20
存储器，顾名思义是存储设备。在诸多电子设备中，存储器是必不可少的重要组件。为增进大家对存储器的了解，本文将对存储器卡以及半导体存储器的分类予以介绍。如果你对存储器的相关知识具有兴趣，不妨继续往下阅读哦。　　一、存储器卡　　存储器卡（Memory Card）是一种用电可擦除的可编程只读存储器（EEPROM）为   的，能多次重复使用的IC卡。没有任何的加密保护措施 ，对于卡片上的数据可以任意改写，不具备对卡内数据进行保密的功能。这种卡一般仅用作数据的存储，不具备数据保密功能，应用场合如露天停车场、 洗衣房等。此类卡的优势在于价格低廉，制造简单。　　由于IC卡   重要的应用特性是作为一种电子信息
半导体存储器
12-09
半导体存储器属于大规模集成电路，它用来存放指令或数据，通常在微型计算机中作内部存储器使用。半导体存储器有只读存储器ROM（Read Only Menory，ROM）和随机存储器RAM（Random Access Merrory，RAM）。ROM按工艺可分为双极型和MOS型，按性能可分为掩膜式、熔丝式和可改写式。RAM可分为静态和动态。另一类功能特殊的大规模集成电路是20世纪70年代后期发展起来的可编程逻辑器件PLD（Programmable Logic Device，PLD）。 可编程逻辑器件是一种可以由用户定义和设置逻辑功能的器件。该类器件具有结构灵活、集成度高、处理速度快和可靠性高等特点。
存储器的分类
const
08-11 7219
一直想总结的发到博客的，之前都是记在笔记本上，但以后笔记本有时候太不方便了（一直不写在博客上，其实是自己懒，因为有的知识点需要画图。平时笔记本自己凑合凑合看了，手随便画画写写^_^）。 内存是计算机中重要的部件之一，计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。 内存（Memory）也被称为内存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以...
静态随机存储器浅论
J_Armin的博客
09-29 1471
静态随机存储器 cache就是用静态随机存储器制成的 基本单元电路 两个MOS管串联形成NMOS反相器：输入输出相反 T1，T3互相锁定 T2，T4互相锁定 A与A‘总是电位相反，若A高电平则保存逻辑1，若A低电平则保存逻辑0；实质上就是一个D触发器； T5，T6相当于一把锁： 当二者导通时，可通过二进制位线改变触发器的存储值； 当二者截止时，只要不掉电（VCC始终高电平），T1-T4的状态就会一直保持（保持器） 拓展： 在T5旁边串联T7，T6旁边串联T8；相当于又加了一把锁，有任何一把锁关闭，触发器.
比较静态RAM和动态RAM。
欢迎光临雨落星辰的博客
12-26 1487
动态 RAM (SRAM) 和静态 RAM (DRAM)的比较
2301_79629384的博客
11-03 3757
(4)价格： 动态RAM的价格仅为静态RAM的1/4。因此，随着动态RAM容量不断扩大，速度不断提高，它被广泛应用于计算机的主存；(6)刷新： 动态RAM需要再生，故需配置再生电路，也需要消耗一部分功率。(2)封装尺寸： 动态RAM行、列地址按先后顺序输送，减少了芯片引脚，封装尺寸也减少；(1)集成度： 在同样的大小的芯片中，动态RAM的集成度远高于静态RAM；(5)速度： 动态RAM使用电容，因此它的速度比静态RAM低；(3)功耗： 动态RAM的功耗仅为静态RAM的1/6；
基本运算器实验&静态随机存储器实验
xjsc01的博客
12-30 4797
在该实验中，我通过把算术逻辑单元（ALU）与控制模块进行连接，通过开关控制数据通路的输入，控制通路的输入，并且把算术逻辑单元的输出通过数据总线上的指示灯以及发两个标志位对应的指示灯进行展示，对其结果进行观察。在实验操作的过程中，我手动地进行了数据通路值的设置，控制通路控制信号的值的设置以及脉冲信号的手动生成，细致地体会到了在真实计算机工作中各个信号的协做交流，理解了时钟信号在控制节奏中所起的重要作用，并在数据的交换过程中初步了解了总线的作用。同时，数据总线上的内容可以被传输到地址总线，用于控制内存的读写。
静态随机存取存储器SRAM，基本的SRAM逻辑结构、读/写时序
m0_73540824的博客
10-31 6564
任何一个SRAM，都有三组信号线与外部打交道：①地址线，本例中有6条，即A0，A1，A2，A3，A4，A5，它指定了存储器的容量是2的六次方64个存储单元。②数据线，本例中有4条，即I/O0，I/O1，I/O2和I/O3，说明存储器的字长是4位，因此存储位元的总数是64×4=256。③控制线，本例中R/W控制线，它指定了对存储器进行读（R/W高电平），还是进行写（R/W低电平）。注意，读写操作不会同时发生。 地址译码器输出有64条选择线，称为行线，其作用是打开每个存储位
半导体存储器详解：ROM、RAM、DRAM、SRAM与FLASH
RAM，随机访问存储器，分为静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)。SRAM速度最快，但成本较高，主要用于CPU缓存；而DRAM虽然较慢，但价格更实惠，广泛应用于计算机主内存。DDRRAM作为DRAM的一种，通过双倍数据速率技术提高了...
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