JSM6971 带LDO的三相PMOS+NMOS半桥驱动芯片

深入解析TI高速MOS驱动芯片TPS28225在半桥电路中的实战应用 本文深入解析了TI高速MOS驱动芯片TPS28225在半桥电路中的实战应用。文章从芯片核心功能与自适应死区控制原理入手,详细阐述了包括自举电路设计、PCB布局避坑、栅极电阻选择在内的完整设计流程,并结合IRF3710s MOSFET,通过实测波形验证了其与3.3V MCU直连的兼容性及最佳工作电压,为高效、稳定的半桥驱动设计提供了宝贵经验。 阅读详情

在工业自动化、智能家居、电动工具、中小型变频器等领域快速发展的今天,三相电机驱动作为系统核心执行单元,正朝着高集成、高可靠、低成本、易开发的方向加速演进。传统分立驱动方案面临 PCB 面积紧张、外围器件繁多、死区设置复杂、保护机制不完善、系统稳定性不足等诸多痛点,严重制约产品研发效率与市场竞争力。

针对行业刚需,杰盛微半导体(JSMSEMI) 正式推出JSM6971 三相 PMOS+NMOS 半桥驱动芯片,产品可对标 CMS6971,在保持优异兼容性与性能基础上,实现集成度、可靠性与易用性全面升级,为中小功率驱动场景提供高性价比 “国产优选” 方案。

图片

一、关于杰盛微:专注功率模拟,赋能国产替代

杰盛微半导体是由资深海归技术团队创立的国家级高新技术企业,深耕功率模拟 IC 领域多年,构建覆盖栅极驱动、电机驱动、电源管理、功率器件等完整产品矩阵,拥有自主核心 IP 与完善研发、测试、量产体系,产品广泛应用于工业控制、家电、新能源、消费电子等领域,通过 ISO 质量体系认证,符合 RoHS 环保规范,以稳定品质与快速响应服务助力客户实现高效国产替代。

JSM6971 作为杰盛微在三相驱动赛道的重磅力作,延续公司高集成、高可靠、高性价比设计理念,深度匹配中小功率驱动场景需求,为客户提供一站式驱动解决方案。

二、JSM6971 核心定位:高集成三相驱动,简化系统设计

JSM6971 是一款带内置 LDO 的三相高速功率 MOSFET 驱动芯片,采用 SOP‑16 标准封装,单芯片集成三路半桥驱动、5V LDO、死区控制、过温保护、欠压锁定等核心功能,逻辑电平兼容 3.3V/5V/15V 多类型 MCU 输出,最高工作电压可达 40V,完美覆盖中小型功率电机驱动、半桥 / 全桥电源转换、功率 MOSFET 驱动等主流应用场景。

产品可直接对标 CMS6971,引脚定义、功能特性、电气参数高度兼容,支持客户无缝替换、快速量产,无需大幅改动原理图与 PCB 布局,显著降低开发周期与改板成本。

图片

三、硬核实力解析:六大核心优势,重塑驱动体验

1. 高集成度,大幅精简 BOM 与 PCB

JSM6971 突破性实现驱动 + 电源 + 保护三合一集成,内部集成5V/40mA LDO,可直接为 MCU、逻辑芯片供电,省去外部稳压电路;单芯片整合三相 6 通道驱动,替代多颗分立驱动 + 外围器件,减少 PCB 占用面积、降低贴片成本、简化布线难度,尤其适合紧凑型产品设计。

2. 宽压高速驱动,适配多场景应用

芯片支持最高 40V 工作电压,推荐工作电压 5V‑28V,栅极驱动电压稳定 10V,充分满足 PMOS/NMOS 管驱动需求;开通延时 80ns、关断延时 30ns,高低侧延时精准匹配,开关速度快、波形失真小;dv/dt 耐受 ±50V/ns,抗干扰能力强,适配高频 PWM 控制场景。

3. 内置死区 + 防直通,杜绝功率管击穿

针对上下桥臂直通烧毁风险,JSM6971内置 130ns 固定死区时间,配合硬件防直通逻辑,从根源避免高压侧交叉导通,无需外部 RC 调试死区,提升系统安全性、降低调试难度,新手也能快速上手设计。

4. 强劲驱动能力,轻松驱动大功率 MOS

输出级采用优化推挽结构,拉电流 50mA、灌电流 300mA,驱动能力强劲,可快速充放电 MOS 管栅极电容,降低开关损耗、提升系统效率;兼容各类中小功率 PMOS/NMOS 管,适配不同负载需求,应用灵活性拉满。

5. 全维度保护机制,全天候稳定运行

芯片内置多重可靠保护:

  • 欠压锁定(UVLO):正向阈值 4.5V、负向阈值 4.3V,电压异常时切断输出,防止功率管欠压驱动损坏;

  • 过温保护(OTP):结温达 150℃自动关断,降至 135℃自动恢复,避免高温失效;

  • 静电防护、功率限制等多重保障,适应‑40℃~125℃宽温环境,工业场景稳定可靠。

6. 宽逻辑兼容,3.3V‑15V 系统通用

输入逻辑兼容CMOS/LSTTL 电平,支持 3.3V、5V、15V 多类型 MCU 直接对接,无需电平转换电路,简化接口设计、提升系统兼容性,大幅降低硬件开发门槛。

四、关键参数一览:性能扎实,对标无忧

参数

指标

封装形式

SOP‑16

工作电压

5V~28V(最高 40V)

驱动通道

三相 6 通道(3 路高侧 + 3 路低侧)

驱动能力

拉电流 50mA / 灌电流 300mA

内置 LDO

5V/40mA

死区时间

内置 130ns

延时特性

Ton=80ns,Toff=30ns

保护功能

UVLO、OTP、防直通、ESD

工作温度

-40℃~125℃

兼容对标

可直接对标 CMS6971

五、典型应用场景:覆盖广,适配性强

JSM6971 凭借优异性能与高集成度,广泛适配中小功率驱动全场景:

  1. 中小型功率电机驱动:筋膜枪、电动工具、风扇水泵、家电电机、小型云台等 BLDC / 永磁电机驱动;

  2. 功率器件驱动:中小功率 MOSFET/IGBT 管栅极驱动;

  3. 电源转换应用:半桥 / 全桥开关电源、逆变器、降压 / 升压转换器、UPS 辅助电源;

  4. 通用互补驱动:各类需要三相半桥驱动的工业控制与消费电子设备。

英飞凌电源反极性保护电路分析 介绍一份英飞凌的防反电路文档,写的非常好。在这里给大家做一个分享。我也做个简单的笔记分析,记录下来,深刻理解,也能节省大家的时间。英飞凌除了介绍了电路设计的思路外,并且分析了静态反极性电路响应、动态反极性在无负载和有负载下的响应。 阅读详情

相关推荐

SpringBoot+Vue+Mysql社区医院信息平台(源码+文档)

SpringBoot+Vue+Mysql学生宿舍信息管理系统 WEB端软件项目(源码+文档) 项目包含:①完整源码(后端+管理后台+用户前台);②数据库脚本文件;③万字论文文档;④开题报告;⑤答辩PPT;⑥项目运行视频教程。 项目架构: B/S 架构、MVC 分层设计 技术栈: Java、MySQL、SpringBoot、MyBatis-Plus、Token 权限校验、管理后台 Vue+ElementUI+ECharts、用户前台 Layui+jQuery、Maven 构建。 一、角色设计 学生用户: 注册登录、浏览宿舍信息、查询宿舍安排、在线报修、缴费查询、失物招领、桶装水预订、评论交流、收藏等。 商家用户: 注册登录、桶装水品牌与商品信息维护、预订订单查看与处理。 维修人员: 注册登录、查看待处理报修、接单维修、填写报修处理结果与进度反馈。 管理员: 学生管理、班级管理、宿舍信息管理、宿舍安排管理、报修处理管理、缴费信息管理、卫生检查与文明宿舍管理、失物招领管理、桶装水与商家管理、维修人员管理、公告资讯与轮播图管理等。 二、前台功能模块(学生端) 1. 首页展示:轮播图、宿舍公告、最新动态推荐、常用服务快速入口 2. 宿舍信息模块:宿舍列表、楼栋与房间条件筛选、宿舍详情查看、我的宿舍安排查询 3. 在线报修模块:在线提交宿舍设施报修申请、上传故障描述、查看报修进度与维修处理结果 4. 缴费模块:水电等缴费记录查询、缴费状态查看 5. 卫生检查与文明宿舍:宿舍卫生检查结果公示、文明宿舍展示 6. 失物招领模块:失物信息发布、招领信息发布、详情查看、评论互动 7. 桶装水预订:桶装水品牌与商品浏览、在线预订、我的预订记录查询 8. 假期留宿:假期留校申请提交、申请记录查询 9. 评论与收藏:信息评论、查看他人评论、评论回复互动、收藏感兴趣的内容 10. 个人中心...

MOS做电源开关的电路,NMOS、PMOS高侧低侧驱动大全解,电容浮栅自举电路,泄放电阻的作用,MOS选型参数分析_高侧用pmos

大到一定程度,MCU端口能提供的几mA电流就显然不够用了,继续使用MCU端口直驱,一方面会使MCU过载,另一方面会对输出信号的波形造成衰减,严重时会影响NMOS的正常开通。分类,能外接NMOS的型号还是非常多的。,低频时对电流的需求不明显,而随着频率升高,电容充放电频率的加快,电容的容抗与频率成反比,容抗变小。,而单单低侧的栅极驱动由于较为简单,搞个NP对管就能实现相近的效果,即使芯片有很多选择,也并不常用。,在PMOS开通时,导致Vgs超出了手册中的Vgs允许范围,也会造成PMOS的损坏。

2401_85013863的博客 7611

数据挖掘实战:决策树 + 聚类 + 关联规则,零 Key 离线可跑(Python 源码)

数据挖掘实战包。用 Python 标准库实现 CART 风格决策树、K-Means 聚类与 Apriori 关联规则,在虚构「星河便利店」会员表和购物篮上跑通分类、分群与购物篮分析,并给出准确率、轮廓系数、支持度/置信度/提升度。零第三方依赖、零 API Key 即可离线跑通。含 4 个样例、离线冒烟、中文 README(含「使用方法」)。均为作者原创可运行源码。MIT。作者 blog.youkuaiyun.com/mtl1994

【电路笔记 电源模块】MOS管高边驱动方法对比+相关示例(小电流高边驱动PMOS示例&NMOS示例)

【电路笔记 电源模块】MOS管高边驱动方法对比+相关示例(小电流高边驱动PMOS示例&NMOS示例)

ResumeProject的博客 1816

产业园区如何高效对接企业技术需求与高校科研成果?.docx

科易网基于AI模型+行业大数据,在技术转移、成果转化、技术经纪、知识产权、产业创新、科技招商等垂直领域的多样化应用场景,推出科技创新领域的AI+工具与数智化解决方案,推动科技创新与产业创新智能化发展。

国央企创新负责人如何快速掌握本地科技资源分布与匹配情况?.docx

科易网基于AI模型+行业大数据,在技术转移、成果转化、技术经纪、知识产权、产业创新、科技招商等垂直领域的多样化应用场景,推出科技创新领域的AI+工具与数智化解决方案,推动科技创新与产业创新智能化发展。

MOS驱动电路

MOS管的驱动电路有两个要点: 1、瞬态驱动电流要够大,所谓驱动MOS管,主要就是对MOS管栅极的寄生电容的充电放电,也就是打开和关闭MOS管 2、NMOS的Vgs(门-源电压)高于4V即可导通,PMOS的Vgs(门-源电压)低于4V即可导通 直接驱动NMOS R1为负载 仅适用于NMOS低端驱动,因为NMOS导通的条件是:Vgs高于4V左右,5V的PWM波刚好满足.........

tanzhi963的博客 6万+

国央企创新负责人如何实现科技成果的精准识别与高效筛选?.docx

科易网基于AI模型+行业大数据,在技术转移、成果转化、技术经纪、知识产权、产业创新、科技招商等垂直领域的多样化应用场景,推出科技创新领域的AI+工具与数智化解决方案,推动科技创新与产业创新智能化发展。

双Nmos管驱动电路

1.1一个半桥示例图1.2:3个半桥示例图。

qiangqiang_885的博客 4815

反序列化漏洞详解

目录 一、什么是序列化和反序列化 二、什么是反序列化漏洞 三、序列化函数(serialize) 四、反序列化(unserialize) ​五、什么是PHP魔术方法 六、一些常见的魔术方法 七、魔术方法的利用 八、反序列化漏洞的利用 1.__destruct()函数 2.__wakeup() 3.toString() ​九、反序列化漏洞的防御 一、什么是序列化和反序列化 序列化是将对象转换为字符串以便存储传输的一种方式。而反序列化恰好就是序列化的逆过程,反序列化会将字符串.

LJH1999ZN的博客 3万+

【探秘】二维异形件重叠移除算法:从度量到消除的实战解析

本文深入解析二维异形件重叠移除算法的核心技术与实战应用,涵盖重叠度量、零件扰动策略及消除方法。通过NFP(临界多边形)技术、空间分区加速等优化手段,有效解决异形件排版中的重叠问题,提升材料利用率和计算效率。适合制造业、CAD软件开发者及算法工程师参考。

weixin_28698059的博客 253

常用的MOS管驱动芯片

*•UCC27517DBVR:**适用于低侧和高侧驱动,最大驱动电流为±4A。**•TPS2811:**适用于低侧和高侧驱动,最大驱动电流为±1.5A。:适用于低侧和高侧驱动,最大驱动电流为±1.5A。:适用于低侧和高侧驱动,最大驱动电流为±2A。:适用于低侧和高侧驱动,最大驱动电流为±4A。:适用于低侧和高侧驱动,最大驱动电流为±3A。:适用于低侧驱动,最大驱动电流为±2.5A。:适用于低侧驱动,最大驱动电流为±3A。•广泛应用于电源管理、电机驱动等领域。•广泛应用于电源管理、电机驱动等领域。

wangmaoquan163的博客 5698

PX4笔记系列(二)vtol_att_control中的tiltrotor解析

update_vtol_state() 注释:采用两段切换的简单逻辑来进行过渡 当切换过渡开关后,飞机将会开始倾转动力,逐渐加速,当飞机获得足够速度后动力将会完全打到向前的位置。对于过渡返回阶段动力则是简单地倾转回来。 如果(不在向前过渡指令下): 当前vtol飞行模式: 1、旋翼模式 无操作 2、固定翼模式 令vtol飞行模式切换到过渡返回模式 3、P1过渡模式 进入过渡失败安全返回至旋翼模式 4、P2过渡模式 进入过渡失败安全返回至旋翼模式 5、过渡返回模式 记录过渡返回时间=当前时间-过渡开始

hypersonicss的博客 1880

屹晶微EG3033 三相P+N MOS管驱动芯片技术解析

EG3033是一款高度集成的三相P+N MOS驱动芯片,专为低压电池供电系统设计。它将三相驱动、5V LDO和宽电压供电集成于单芯片,显著简化系统架构。芯片采用非对称驱动设计,优化了PMOS和NMOS的开关特性,内置60ns死区时间防止直通。关键特性包括6-36V供电、50mA LDO输出、10V栅极电压钳位和快速开关响应(典型90ns延时)。适用于电动工具、智能家电等低压高频PWM场景,提供紧凑高效的电机驱动解决方案。设计时需注意电源时序、MOS选型和PCB布局,以充分发挥芯片性能。

G2766487515的博客 1018

Python爬虫实战:抓取全球各国海关进出口数据的全流程教程

本文系统介绍了用Python采集全球各国海关进出口数据的完整流程,从数据源调研、技术选型,到代码实战、数据处理和存储,最后还拓展了进阶反爬和动态内容处理方法。希望这篇博文能帮助你掌握专业的数据采集技能,为后续数据分析和商业应用奠定坚实基础。

2201_76125261的博客 2362

采用了fluent模拟了平壁面结霜过程。udf,很经典,可以试试。

利用该模型作为FLUENT中的源项,模拟了在局部冷却下冷表面上的霜形成,以预测霜的形态、温度分布和霜的重量,结果与实验结果吻合良好。结果显示,霜首先围绕冷却块形成,然后逐渐向其他方向扩展,冷却块上方的霜密度最大。随着时间的推移,平均霜厚度逐渐增加,生长速率减慢,而平均霜密度随增长速率变快而增加。相变传递微观过程与机理、蒸发及冷凝换热、强化传热、高效传热管、热泵、制冷、节水节能新技术、电子元器件冷却、余热回收及梯级利用等。udf,很经典,可以试试。工程热物理、空调、热能、低温制冷、化工、物理等。

qq_15963745的博客 922

EG3033 三相P/N MOS管栅极驱动芯片技术解析

EG3033是一款高性价比三相P/N MOS管栅极驱动芯片,内置5V LDO、死区控制和保护电路,专用于电机控制及电源转换。关键特性包括宽电源电压范围(5.5-36V)、三相独立驱动、60ns智能死区时间及闭锁保护机制。芯片提供45mA-0.28A驱动能力,支持90ns快速响应,集成5V/30mA LDO简化系统设计。典型应用于变频水泵、筋膜枪等三相驱动系统,具有完善的保护功能和优异的开关特性。设计时需注意电源配置、PCB布局优化及信号处理,确保系统可靠性。

G2766487515的博客 1617

清洁机器人之屏幕(中,大LCD)方案--ITE 联阳986x系列 soc显控芯片介绍

清洁机器人之屏幕(中,大LCD)方案--ITE 联阳986x系列 soc显控芯片介绍

AIoT深度探索者 | 嵌入式系统架构师 深耕物联网(IoT)与人工智能(AI)融合技术,聚焦​​边缘计算、图像开发、低功耗通信协议​​,致力于智能硬件,关注我获取最新技术文章信息与海量资源~ 2666

【电机驱动-MOS管-PWM】

电机驱动(mos管)

m0_64760627的博客 7763

LeetCode 热题 100 回顾

力扣最受刷题发烧友欢迎的 100 道题 LeetCode 热题 100 : 题目回顾、解题思路、复杂度分析、代码实现、验证算法

曾经“等你生日那天”都遥远得像未来,如今却可欢愉的挥手说“下个十年见” 9万+

VB摄像头监控

该VB模块可对摄像头捕获的画面进行录像等,可在创建的窗口进行控制

四种MOS管高低端驱动电路怎么选?

采用双 NMOS 半桥方案,成本低且自带自举升压电路,适配高压驱动;直接驱动 NMOS 仅适用于低端驱动(R1 为负载),5V PWM 波能满足其 Vgs 高于 4V 的导通要求,但 3.3V 单片机驱动时可能因 Vgs 不足导致 MOS 导通不充分,引发发热严重、负载电压异常等问题。作为共射极放大电路可放大驱动电流(不放大电压),加速栅极寄生电容充放电以提升开关速度,适用于 NMOS 低端驱动,能解决单片机直接驱动时电流不足、开关慢、MOS 发热的问题,增强驱动能力。

VBsemi的博客 804

ssm框架搭建

这个是一个在idea上成功跑起来的ssm框架项目,保存在这里方便以后使用直接下载

三相电机驱动电路详解

驱动MOSFET,可以选用专用MOSFET驱动IC完成电平转换和驱动。因为MOSFET的栅‐源极之间存在寄生电容,MOSFET的开和关过程,是对电容的充放电过程,如果MOSFET的驱动电路不能提供足够的峰值电流(如1A的输入/输出电流),则会降低MOSFET的开关速度。

LEOD的博客 1万+

jdk-8u144-linux-x64.tar.gz.

该资源为搭建Linux系统Java环境用,资源的后缀为tar.gz格式的压缩包

最新的sdio 4.0 spec 协议标准 带书签 高清完整PDF版

Part-E1-SDIO-Specification-Ver4.00-Final-120220.pdf:最新的sdio 4.0 spec 协议标准 带书签 高清完整PDF版,包括SDIO 接口的外设,SDIO 接口官方协议等。

MOSFET驱动器汇总 : 单个N-CHANNEL,半桥,全桥,3项桥

  ▌01 单N-沟道驱动 不同MOS驱动芯片工作电压与驱动电流: 型号 工作电压 输出峰值电流 TC4426 18V 1.5A TC4431 30V 1.5A TC4421 18V 9A TC4451 18V 12A MD1211 4.5 ~ 13V 2A LT1910 >6V 高端MOS驱动器 1. TC4426(7)(8) 数据手册: TC4427 ▲ 功能描述 2.TC4421(2) TC4421数据手册 : 输出电流峰值:9A 工作电压

TSINGHUAJOKING 2万+

三相全桥MOS管驱动电路调试记录

2016-04-07 未接入全桥时,电流转电压测量波形包含噪声,周期约为17us左右,幅值为120mV左右,振荡周期约为1.3us左右,如下图所示。经过运放放大10倍后的波形中噪声减弱,猜测是因为运放内部的频带限制使高频噪声衰减,同时猜测该高频噪声来自于开关电源。 接入MOS管并且加入24V电压后,IR2136的输出驱动电压如图所示:测试程序:A相的上下MOS管以10ms导通时...

weixin_30339969的博客 1622
上一篇: JSM4437 -30V P 沟道增强型 MOSFET
下一篇: JSM21364STR 700V 带使能和故障报告的三相半桥 IGBT/MOSFET 驱动芯片
JSMSEMI11
博客等级 码龄1年 2粉丝 208原创
评论
成就一亿技术人!
拼手气红包6.0元
还能输入1000个字符
 
 条评论被折叠 查看
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付:10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值