【转载】关于深N肼

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#模拟IC #模拟IC版图 #深N肼

本文探讨了在12位100MSps低功耗SAR ADC设计中，采用深N阱（Deep N-Well）技术进行噪声隔离的方法。通过将噪声敏感电路置于DNW中，有效减少了噪声干扰，改善了器件的阈值电压稳定性，降低了电流非线性。这一技术为提高ADC性能提供了新的解决方案。
  • 引用自：邓健. 12位100MSps低功耗SAR ADC的研究与设计[D]. 电子科技大学, 2017.

对于局部电路，所有的 NMOS 都做在 P 衬底上，噪声会通过衬底串扰到噪声敏感电路，如图 5-5(a)所示，使得器件的阈值电压受噪声的干扰，电流非线性更加明显；图 5-5(b)所示电路中，将噪声敏感电路的器件置于深 N 阱（Deep N-Well：DNW）中，由于 NW/DNW
将关键模块与噪声模块隔离开，相当于形成了一个保护罩，并且这个保护罩接固定点位，内部的 PW 受到的噪声干扰大大减小，起到
了噪声隔离效果。在这里插入图片描述

模拟集成电路设计-MOS器件物理基础（模集系列持续更新）
输出每日所学，供大家学习使用
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在n阱或p阱工艺中，衬底需要通过注入相反类型的掺杂剂形成阱，这会降低半导体质量，影响器件性能（迁移率下降）。双阱和三阱工艺通过使用轻掺杂衬底减轻这一问题。
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深N阱（DNW）可以理解为在P-sub上面隔离出来的一块独立区域，里边可以做需要的device，有与外界隔离的作用。而对NMOS而言，它们的well（P-sub）会通过wafer的p-sub short在一起（因为都是P型），相互串扰，互相影响。除了电位上的隔离，比如说有好几种地电位（0V、-3.3V、-6V等），一般会把害怕被别的模块影响（reference电路、temperature sensor等）或者怕会去影响别的模块的IP（PLL、OSC等）放在DNW里面。
（七）反相器的版图绘制、DRC、LVS、PEX、后仿真笔记-----基于B站chris老师教学
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07-23
Impact of Deep N-well Implantation on Substrate Noise Coupling and RF Transistor Performance for Systems-on-a-Chip Integration
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画出N肼CMOS工艺下的CMOS器件剖面示意图
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嗯，用户这次询问的是关于N阱CMOS工艺下的器件剖面示意图绘制方法。用户可能正在学习半导体工艺或需要制作技术文档，需要具体的可视化指导。从专业角度看，这个问题涉及半导体制造工艺和器件物理两个层面。N阱CMOS...
Using Deep N Wells in Analog Design
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原文链接：https://www.planetanalog.com/using-deep-n-wells-in-analog-design/ On a conventional CMOS process (see figure 1), NMOS devices are formed in a P well or substrate connected to ground (or the most negative supply in the circuit). PMOS devices are form
深N阱工艺剖面图及端口接法
DOG_BITE_DOG的博客
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要想寄生diode不正向导通，其P端一定接最低电位，N端一定接最高电位，所以B2要接到“地”，T最好要接到最高电压域，如果系统中存在多个电压，要考虑到，最高电压会不会使得D4反向击穿。NMOS也有了自己的“阱”，所以它相当于是把NMOS隔离起来，避免其他模块对NMOS的扰动。最近用深N阱工艺做了一个项目，记录一下深N阱工艺的剖面图，以及各个端口的接法接法（NMOS深N阱）。接下来，看一下SMIC工艺中深N阱NMOS的symbol，以及寄生diode；比普通的NMOS管子多了两个端口：B2和T；
深度学习(Deep Learning)：“Deep”的作用【“Modularization”、“End-to-End Learning”】
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模拟cmos集成电路（1）
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nmos 高电压一侧：drain 低电压一侧：source pmos 高电压一侧：source 低电压一侧：drain pmos制作在n阱中（n-well）n阱要接电路中最高电位Vdd 使得PN结截止防止贯通（不同pmos的B可以接不同电位） 现代常用双阱工艺（double-well）即Psub上也制作浅的P阱 也叫做标准cmos工艺 但不同的nmos的bulk（body）端不能接不同的电压（本质上是在同一块P衬底上），可以看作一块wafer上所有的nmos的B是连在一起的。（通常接地） .
【设计】】MOS管衬底电位接法|PMOS、NMOS衬底连接-KIA MOS管
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参考：MOS管衬底电位接法|PMOS、NMOS衬底连接-KIA MOS管 P-SUB工艺，NMOS 的衬底都是一样的，都是P-SUB，所以不可以将源极和衬底接一块，不然通过衬底短接会影响其他NMOS的特性，因此NMOS的衬底只能接GND（低电位）； P-SUB工艺，PMOS管的N衬底都是单独的，因此可以将源极和衬底接一块来减小衬偏效应； Deep Nwell，是在PSUB工艺情况下，对NMOS管可以采取的一种隔离方式，底部是deep nwell，周围是nwell形成的一个环，来隔离共衬底引起的噪声干扰。 N
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模拟布局：为什么井、抽头和保护环至关重要
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有时，在特别敏感的电路中，需要将每个设备放在自己的阱中，并配有自己的保护环，但在大多数情况下，同一电路中的设备可以共享阱。阱中的 N 型材料具有相当强的电阻性，因此为了确保良好的电位控制，每个 N 阱都需要多个抽头，这些抽头分布在整个区域。此 N 型区域称为 N 阱。直接内置于 P 型衬底中的 N 沟道器件的隔离效果不如 N 阱中的 P 沟道器件。大多数工艺中使用的 MOSFET 器件主要有三种类型：P 型衬底中的 N 沟道器件（如上所示）、N 阱中的 P 沟道器件以及所谓的深 N 阱中的 N 沟道器件。
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第二章讲CMOS制造中的阱，顺带介绍各种层和PN节，因此会介绍各种寄生电容电阻The Substrate 衬底一般CMOS采用P衬底, 这里是直接假设NMOS会直接做在Psub上，PMOS做在N-well里，现在好一点的工艺，PMOS做在Nwell里，而NMOS基本都能做在Nwell包裹着的Pwell，所谓的SOI (Slicon on Insulator)。需要注意接这些阱的电位，一般来说deep-nwell接模拟电源AVDD。
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