STD2000X半导体静态参数测试系统：面向多场景的高精度器件表征解决方案

在半导体器件研发与制造过程中，电性参数测试是验证器件性能、保障产品可靠性的核心环节。随着第三代半导体材料的广泛应用，测试系统在精度、灵活性与场景适配能力方面面临更高要求。STD2000X 半导体静态参数测试系统，作为苏州永创智能科技公司旗下加能电源团队推出的综合测试平台，为分立器件、复合器件及IC产品提供了从研发验证到量产筛选的全流程解决方案。

一、广泛的器件覆盖与参数测试能力

STD2000X 系统支持超过20类常见半导体器件的静态参数测试，涵盖：

• 功率器件：IGBT、MOSFET、JFET、SCR、TRIAC

• 双极型器件：BJT、达林顿阵列

• 二极管与保护类元件：Zener、DIAC、MOV、Varistor、SSOVP

• 光电组件：光耦、光电开关、光电逻辑模块

• 集成模块：IPM、三端稳压器

测试参数包括 BVCES、VGS(th)、RDS(on)、HFE、CTR、VF、IR 等关键指标，系统具备 pA 级微电流与 nA 级漏电流的精确测量能力，适用于高阻态、低功耗器件的测试需求。

二、IV曲线扫描与动态参数分析

除基本静态参数测试外，系统集成 IV 曲线扫描功能，可实时绘制多种特性曲线，包括：

• IC vs VCE（IGBT输出特性）

• ID vs VDS（MOSFET输出特性）

• HFE vs IC（BJT电流增益特性）

• IF vs VF（二极管正向特性）

系统同时支持光耦开关时间参数（tpLH, tpHL, Tr, Tf）与二极管反向恢复时间（Trr）测量，适用于动态性能分析与频率响应评估。

三、灵活的源与测量配置

系统在电压与电流源的输出与测量方面具备较强的扩展性：

• 电压源：支持 2000V 高压输出，可扩展至 3kV

• 电流源：基础配置 100A，可选配至 1000A

• 驱动能力：栅极电压最高 100V，适应 SiC、GaN 等宽禁带器件的驱动需求

测量单元采用 16 位 ADC 架构，采样速率达 1M/S，结合开尔文感应结构，有效补偿线路压降，保障系统在宽量程范围内的测量一致性。

四、适用于研发与量产的多场景测试

STD2000X 可灵活适配不同阶段的测试需求：

• 研发验证：用于器件设计初期的性能评估与模型校正

• 失效分析：定位异常器件的参数偏移与失效机制

• 来料检验：对入厂器件进行电性参数全覆盖检测

• 量产筛选：通过 Handler 接口连接分选机、探针台，实现自动化分类与打标

系统支持高低温试验舱接入，可在 -55°C 至 +150°C 范围内进行温度特性测试，模拟器件实际工作环境。

五、软件平台与系统校准

系统程控软件基于模块化架构开发，提供填充式菜单界面，支持测试流程自定义与数据导出。用户可通过内置校准程序对电压、电流等关键指标进行周期性校验，确保系统长期运行的准确性。

结语

STD2000X 半导体静态参数测试系统在器件覆盖、测试精度与系统扩展性方面表现出较强的综合能力，适用于从实验室研发到批量生产的全流程测试场景。该系统由苏州永创公司-加能电源团队自主开发，在软硬件协同设计与场景适配方面具备较好的灵活性，为半导体器件设计与应用提供了可靠的测试数据支撑。