国产外扩sram芯片EMI502NL16LM完美替换IS61WV12816FALL

最新推荐文章于 2025-09-29 10:28:16 发布

原创最新推荐文章于 2025-09-29 10:28:16 发布 · 722 阅读

1 ·

CC 4.0 BY-SA版权

文章标签：

#外扩SRAM #SRAM #存储器 #EMI

随着5G技术的发展，STM32内置SRAM的容量需求增加。本文介绍了EMI502NL16LM，这是一款由英尚微电子推出的2Mbit SRAM芯片，作为IS61WV12816FALL的国产替代选项。该芯片采用全CMOS工艺，支持2.3V到3.6V电源电压，具有三态输出和TTL兼容特性，适用于工业温度范围，且封装形式多样，适合系统设计的灵活性需求。此外，其低数据保持电压和电流特性适合电池备份操作。

SRAM是随机存取存储器的一种。静态是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。因此SRAM具有较高的性能，SRAM也有许多种，如Async SRAM (A异步SRAM）、Sync SRAM (同步SRAM）等。

随着5G网络科技的普及，越来越多的产品应用中对内存需求越来越大，当STM32系列内置SRAM出现不足的情况，设计者开始考虑是否可以采用利用STM32系列丰富的外设资源来外扩SRAM芯片。下面介绍一款可替换于IS61WV12816FALL的EMI国产外扩SRAM芯片EMI502NL16LM。

英尚微推荐一款EMI502NL16LM产品,该系列由EMI先进的全CMOS工艺技术制造。位宽为128Kx 16的2Mbit的SRAM芯片，电源电压范围为2.3V〜3.6V，具备三态输出和TTL兼容，低数据保持电压：1.5V（最小值），这些系列支持工业温度范围和芯片规模封装，以使用户灵活地进行系统设计。该系列还支持低数据保持电压，以低数据保持电流实现电池备份操作。封装采用标准44TSOP2，48BGA。