SDRAM详细分析——02 内存访问周期

最新推荐文章于 2025-12-19 11:27:33 发布
原创 最新推荐文章于 2025-12-19 11:27:33 发布 · 74 阅读 · 0 ·
CC 4.0 BY-SA版权
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
文章标签：

#SDRAM内存访问 #SDRAM架构 #SDRAM预充电和刷新

大家好，这里是大话硬件。

上一篇文章介绍了SDRAM基础，了解到SDRAM的发展历程。这篇文章主要总结SDRAM内部的构造和最基础的内存访问周期。

打开DDR的数据手册，在Diagram这一页如下所示：
在这里插入图片描述

上面的框图说明SDRAM内部有大量banks，即多bank架构。这个多Bank有点像图书馆里面的书架。

下面是1Gb内存DDR3手册，可以看到有8个Banks，对应到框图里面的Bank0~Bank7

在这里插入图片描述

将Bank类比成书架，如下所示

在这里插入图片描述

在Bank内部，存在不同的行Rows，而每一行又有很多列columns

在这里插入图片描述

根据上面的类比，当需要读取或者写入数据时，也就是要借取或者还回某本书，需要3个地址信息，分别是哪个Bank（书架），哪一行，哪一列。<

了解本专栏 订阅专栏 解锁全文 超级会员免费看
SDRAM详细分析——03 流水线内存访问和内存效率
D_Katter的博客
08-24 129
大家好，这里是大话硬件。在上一篇文章中介绍了SDRM读写数据最基础的内存访问周期，其中提到了因为电容漏电，SDRAM工作时需要不停的刷新，这无疑是会降低DDR的效率。为了进一步提升DDR的效率，目前采用的技术是流水线内存访问方式。对硬件开发人员来说，流水线内存访问的实现的基础是SDRAM的命令总线和数据总线分开。下面的图解释了流水线操作指令的核心。
设计一个电机驱动电路及仿真
热门推荐
D_Katter的博客
03-14 1万+
选择集成的IR2104芯片作为驱动MOS管的驱动电路，主要是因为若采用推挽电路或者其他的分离元件进行驱动，高端的MOS管导通后，S级的电压为电源电压，这个时候是无法再进行开通，而会直接关断，选择集成的芯片能够很好的解决这个问题。紫色线是直接测量电机轴的输出，在软件中转速是以电压体现的，在稳定的时候，转速转换成电压读数为189V。如果将输出的开关量输入到单片机的I/O口，通过多次测量高点平或者低电平的时间，求取平均值，这样是为了保证测量值是电机的稳定的条件下测量的，那么就知道电机的转速了。......
FPGA学习笔记——SDR SDRAM简介
ZHP的博客
09-03 915
SDRAM（同步动态随机存储器）是一种重要的计算机存储设备，具有同步时钟、动态刷新和随机访问的特点。其核心结构采用行列寻址方式，通过Bank、行、列三级定位存储单元。SDRAM经历了六代技术演进，从SDR到最新的DDR5。其工作原理包括模式寄存器设置、激活、读写、预充电和自动刷新等关键操作命令，通过四路控制信号实现精确控制。存储容量计算公式为：Bank数×行数×列数×数据位宽。SDRAM凭借大容量、高速度和低成本优势，在计算机领域长期占据重要地位。
第012课 内存控制器与SDRAM
广阔天地_大有作为的博客
10-21 674
参考文章：高手进阶，终极内存技术指南——完整/进阶版 文章原载于《电脑高手》杂志2002年第12期，作者赵效民。 名词释义： 【内存类设备】有地址线，可以由CPU直接通过地址线访问的设备，如SDRAM、Nor flash、网卡等； 【内存控制器】CPU通过内存控制器（MC）与内存交换信息，CPU将地址发送给MC，MC把地址分解后到相应内存芯片取相应地址的数据； 【北桥与南桥】CP...
SDRAM地址复用技术：高效内存访问的核心奥秘
最新发布
weixin_44932366的博客
12-19 602
发送列地址与读命令（Column Read）行激活完成后，控制器无需改变地址线的物理连接，直接将列地址放到共享地址线上，然后拉低CAS#信号（列有效），同时发送“读控制信号”（RD#）。A12）上，接着拉低RAS#信号（行有效）。而“行列地址线复用”技术的核心思路的是：让行地址和列地址共享同一组地址线，通过不同的控制信号（行有效、列有效）区分当前传输的是行地址还是列地址。关键总结：地址线复用不是“空间上的共享”，而是“时间上的分时传输”，通过控制信号区分地址类型，实现用更少的地址线完成全地址空间的定位。
11、内存电路与系统：SDRAM、E2PROM和Flash内存解析
gitlab7runner的博客
06-24 68
本文深入解析了计算机系统中三种重要的内存类型——SDRAM、E2PROM和Flash内存的工作原理与操作流程。详细分析了SDRAM的读取状态机流程，E2PROM的读写擦除机制及其控制信号时序，以及Flash内存的基本命令序列和I2C接口设计方法。同时对比了三类存储器的特性，并提供了I2C接口优化思路及实际应用注意事项，为内存电路的设计与优化提供了实用参考。
25、系统外设与直接内存访问控制器详解
gitlab7runner的博客
07-08 60
本文详细解析了计算系统中的核心组件——系统外设与直接内存访问（DMA）控制器的工作原理及协同机制。从系统架构出发，探讨了CPU、内存、中断控制器和DMA之间的交互，并深入分析了DMA控制器的设计与状态转换流程。此外，还介绍了DMA数据传输的时序控制、握手信号管理以及系统设计中需注意的关键因素，如资源分配、错误处理等，为构建高效可靠的计算系统提供理论支持。
计算机硬件——内存条性能种类参数
2401_87199769的博客
06-19 1993
SPD （Serial Presence Detect）是存储在内存条上的一个 8 针的EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）芯片，容量为 256 字节，用于记录内存的详细规格参数（如：容量、芯片厂商、 内存模组的厂商、工作速度、是否具备 ECC 校验等。主板启动时会自动读取 SPD 信息，以确保内存与系统正确兼容并运行在最佳状态。SPD 的内容一般由内存模组制造商写入。
AI智能棋盘扩展GD32F450 SDRAM内存容量
weixin_42629522的博客
11-07 315
本文详解如何利用GD32F450的FSMC接口外接SDRAM，将内存从256KB扩展至8MB以上，支撑AI智能棋盘中的图形显示、模型推理与多任务处理，实现低成本高性能的嵌入式系统升级。
计算机硬件——内存条的发展
2401_87199769的博客
06-19 672
在计算机诞生初期并不存在内存条的概念，最早的内存是以磁芯的形式排列在线路上的，每个磁芯和晶体管组成的一个双稳态电路作为一比特（bit）的存储器。后面才出现了焊接在主板上的集成内存芯片，以内存芯片的形式为计算机的运算提供直接支持。内存条的出现内存芯片一直沿用到 286 初期，因存在无法拆卸更换，阻碍计算机的发展，内存条应运而生。于 20 世纪 80 年代诞生，为满足内存容量和读写速度的需求，是计算机技术发展中不可减少的产物。
sdram.rar_sdram_sdram 串口助手_sdram 调试_sdram——top_sdram指令
09-23
SDRAM（Synchronous Dynamic Random-Access Memory）同步动态随机访问内存是一种常见的系统内存类型，它在计算机硬件系统中扮演着至关重要的角色。本项目聚焦于使用串口助手工具对SDRAM进行读写操作的调试，这涉及到...
ＦＰＧＡ——SDRAM驱动笔记
07-13
- **SDRAM简介**：同步动态随机存取内存（SDRAM）是一种广泛应用于计算机系统中的内存类型，其特性在于与系统的时钟信号同步运行，提高了内存访问速度与整体性能。 - **Burst Mode的作用**：Burst Mode是一种通过...
高手进阶，终极内存技术指南——完整_进阶版
04-22
本文将基于“高手进阶，终极内存技术指南——完整_进阶版”这一资料，详细探讨SDRAM内存的相关知识点，帮助读者深入理解内存的工作原理和优化策略。 首先，SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）同步...
总结——分享常见测温电路原理图
D_Katter的博客
08-31 1万+
随着温度的升高，载流子数目增加，所以电阻值降低。封装后的DS18B20可用于电缆沟测温，高炉水循环测温，锅炉测温，机房测温，农业大棚测温，洁净室测温，弹药库测温等各种非极限温度场合。温度这个物理量在很多场合需要检测，目前市场测温的方法和种类也比较多，在选用何种方法的时候，需要被考虑到的因素有：温度检测范围，精度，灵敏度，应用场合，封装形式，成本等等。说简单点，铂电阻就是测温就是根据它特有的属性，温度变化，组织变化，根据研究，温度变化，阻值变化之间存在一个关系式，所以可以用阻值的变化来表征温度的变化。...
运放篇——正负对称方波发生器
D_Katter的博客
03-21 1万+
与运放做的电压比较器相比，集成电压比较器的增益较低，失调电压大，共模抑制比比较小，因次，灵敏度不高，比如常见的LM339。根据迟滞比较器的输出特性曲线可知，只要在迟滞比较器的信号输入端引入适当的信号电压，就能在输出端得到相应的矩形波。比如在电池充电的系统中，如果充满的电压仅仅是一个单一的阈值电压，那么控制系统在接近电池充满的状态，不停的充电和关闭。电压比较器工作的时候，是处于开环，且开环电压放大倍数都非常的大。电压比较器可以看成数学中的不等式，存在一个比较的过程。2.使用运放搭建的加法电路进行电平的平移。.
遇到的几个运放精密整流电路
D_Katter的博客
04-07 1万+
当Vin
三极管设计逻辑取反电路（一）
D_Katter的博客
02-12 1万+
Vce从0到5V的过程即为三极管关断的过程，此过程中间有一个放大状态，而放大状态是我们设计并不希望它出现的，因此三极管的关断要越快越好。在一个电路里面，任何一个半导体器件只允许有两个状态，要么是接高电平，要么是接低电平（有的芯片手册上也看到，不用的引脚浮空，这里不做讨论），就是为了避免出现高阻态的情况出现。从上面的分析可以看出，一个简单的电路要设计好，包含的内容真的是太多了，功能上的实现只是理论层面的分析，真正用在产品上的电路，是需要经过多方面的考虑，包括封装，型号，价格，功耗，可制造性等等问题。.....
最全讲解磁珠
D_Katter的博客
11-08 1万+
磁珠是一种被动组件，用来抑制电路中的高频噪声。磁珠是一种特别的扼流圈，其成分多半为铁氧体，利用其高频电流产生的热耗散来抑制高频噪声。磁珠有时也称为磁环、EMI滤波器、铁芯等（维基百科）。磁珠是滤波常用的器件，铁，镍，锌氧化物混合而成，所以称为铁氧体磁珠，铁氧体磁珠因为电阻率非常高，磁导率（100~1500）较高的特性，串接在信号或电源通路上，用于抑制高频噪声。当电流流过铁氧体磁珠时，低频电流可以几乎无衰减地流过，但高频电流却会受到很大的损耗，转变成热量散发。
MOSFET损耗计算
D_Katter的博客
08-24 1万+
1. MOS损耗 MOS管是开关电源中常见器件之一，在评估开关电源效率的时候，对于MOS管的选型十分重要，如果选择的MOS不合适，电路该部分的发热会非常严重，影响效率。因此，在考虑到设计开关电源的效率时，MOS管的损耗是不容忽视的一部分。下面将详细计算MOS管的损耗。 2. MOS管的损耗来源 2.1 MOS开关损耗 MOS在开关电源中用作开关器件，顾名思义，MOS会经常的开通和关断。由于电压和电流都是模拟量，这个世界也是模拟的世界，电压和电流都不能突变，将MOS管比如成一个“水龙头”就很好理解MOS管的第
评论
成就一亿技术人!
拼手气红包6.0元
还能输入1000个字符
 
红包 添加红包
表情包 插入表情
表情包 代码片
 条评论被折叠 查看
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包

打赏作者

大话硬件

你的鼓励将是我创作的最大动力

¥1 ¥2 ¥4 ¥6 ¥10 ¥20
扫码支付：¥1
获取中
扫码支付

您的余额不足，请更换扫码支付或充值

打赏作者

实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值