实验:FPGA开发中的存储器设计

本文介绍了FPGA开发中的存储器设计,包括单端口RAM和双端口RAM。通过Verilog HDL代码示例,展示了如何实现这两种存储器,以满足数字系统中数据存储和读取的需求。

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概述:
在FPGA(现场可编程门阵列)开发中,存储器设计是一个重要的主题。存储器在数字系统中扮演着关键的角色,用于存储数据、指令和其他信息。本实验将介绍FPGA开发中常见的存储器设计技术,并提供相应的源代码示例。

  1. 单端口RAM(Random Access Memory)设计:
    单端口RAM是最简单的存储器设计之一,它可以用于存储和读取数据。下面是一个基于Verilog HDL的单端口RAM的示例代码:
module SinglePortRAM(
  input wire clk,        // 时钟信号
  input wire [7:0] addr, // 地址信号
  input wire [7:0] data, // 数据信号
  input wire write_en,   // 写使能信号
  output wire [7:0] q     // 输出数据信号
);
  reg [7:0] mem [0:255];  // RAM数组

  always @(posedge clk) begin
    if (write_en) begin
      mem[addr] <= data;  // 写入数据
    end
    q <= mem[addr];       // 读取数据
  end
endmodule

在这个示例中,我们使用一个8位宽的地址信

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