散射体集合的T矩阵方法解读
1. 散射问题的几何定义
在散射问题的研究中,首先需要明确散射体和入射平面波的几何关系。以一个旋转椭球体为例,其对称轴与z轴成45°角,同时也与散射平面成45°角。入射平面波沿正z方向传播,且电场在y方向上线性极化,即垂直于散射平面。散射角θ则定义为正z方向与观察方向(\hat{r})之间的夹角。
值得注意的是,散射曲线并不关于θ = 180°对称,并且平行和垂直于散射平面的强度也不相等。在无损耗材料参数的情况下,散射截面和消光截面是相同的,即(\sigma_s/2\pi a^2 = \sigma_{ext}/2\pi a^2 = 0.570),每个最大值对应一个旁瓣,而且两种散射极化的旁瓣数量不同。
2. 散射体集合的T矩阵研究
2.1 研究背景与基本设定
在研究单个物体的散射之后,我们将目光转向散射体集合的散射分析。这需要更复杂的理论工具。我们研究由N个不同散射体(V_{sp})组成的集合,每个散射体有其边界表面(S_{sp})((p = 1, 2, …, N)),其中心位于位置(r_p),以此定义局部原点(O_p)((p = 1, 2, …, N))相对于全局原点(O)的位置。每个散射体的最大内切球和最小外接球半径分别记为(a_p)和(A_p)((p = 1, 2, …, N))。
这些散射体位于无损耗、均匀、各向同性的介质中,介质的介电常数为(\epsilon),磁导率为(\mu),波数为(k),相对波阻抗为(\eta)(均为实数)。我们假设所有外接球不相交,每个散射体有其自身的材料特性,不一定相同。整个散射体集合被一个半径为(D)的球(整个集合的外接球)所包围。规定源位于区域
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