背散射衍射和背散射的区别-科学指南针

背散射衍射是什么

将一束电子束轰击至样品表面，电子撞击晶体中原子产生散射，这些散射电子由于撞击的晶面类型(指数、原子密度)不同在某些特定角度产生衍射效应，在空间产生行射圆锥。几乎所有晶面都会形成各自的衍射圆锥，并向空间无限发散。

用荧光屏平面去截取这样-一个个无限发散的衍射圆锥，就得到了一系列的菊池带。而截取菊池带的数量和宽度，与荧光屏大小和荧光屏距样品(衍射源)的远近有关。

再把荧光屏获取的电子信号用后面的高灵敏度CCD相机采集转换并显示出来。

背散射是什么

背散射电子( BSE )是由入射电子束与原子核的弹性散射或非弹性散射所产生的高能电子。背散射电子( BSE )的产率,即出射的背散射电子( BSE )数与入射电子数之比,取决于样品平均原子序数:平均原子数越高,或元素越重,衬度就越亮。在飞纳台式扫描电镜中，背散射电子是通过放置在样品上方的四分割半导体探测器检测到的。在这篇博客中,将解释什么是半导体探测器,以及如何在描电子显微镜下检测背散射电子。

两者共同点都是背散射电子源，但是用途迥异。

区别在于：BSE在SEM里是背散射电子信号成形貌像；EBSD是利用背散射电子衍射出来的菊池花样进行晶体取向标定。BSE一般主要是用其对原子序数衬度比较敏感，可用来看析出相啊，第二相分布等，EBSD可以用来看变形后如冷轧等其内部晶粒取向，织构取向等问题的。

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