石墨烯FET、MESFET与CMOS低噪声放大器的性能研究
1. 石墨烯FET和MESFET在光电子领域的应用
在光电子应用中,石墨烯场效应晶体管(GFET)和石墨烯金属半导体场效应晶体管(GMESFET)展现出了独特的性能。
1.1 不同石墨烯FET光电探测器的性能对比
器件 | 波长 (m) | 响应度 (A/W) | 带宽 (Hz)/时间常数 (s) |
---|---|---|---|
机械剥离的FLG或SLG | 1.55 µm | ~0.5 mA/W | 40 GHz |
机械剥离的BLG | 300 nm - 6 µm | ~6.1 mA/W | 16 GHz |
机械剥离的BLG或SLG | 1.3 – 17 µm | 0.05 A/W | ~18 GHz |
3D石墨烯FETs | UV – 可见光 | > 1 A/W | > 1 MHz |
GFET |