25、石墨烯FET、MESFET与CMOS低噪声放大器的性能研究

石墨烯FET、MESFET与CMOS低噪声放大器的性能研究

1. 石墨烯FET和MESFET在光电子领域的应用

在光电子应用中,石墨烯场效应晶体管(GFET)和石墨烯金属半导体场效应晶体管(GMESFET)展现出了独特的性能。

1.1 不同石墨烯FET光电探测器的性能对比
器件 波长 (m) 响应度 (A/W) 带宽 (Hz)/时间常数 (s)
机械剥离的FLG或SLG 1.55 µm ~0.5 mA/W 40 GHz
机械剥离的BLG 300 nm - 6 µm ~6.1 mA/W 16 GHz
机械剥离的BLG或SLG 1.3 – 17 µm 0.05 A/W ~18 GHz
3D石墨烯FETs UV – 可见光 > 1 A/W > 1 MHz
GFET
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