TM4C123G开发板学习记录（八）存储和安全管理（中）

最新推荐文章于 2024-04-01 13:09:39 发布

MichaelNZ

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分类专栏：嵌入式开发

本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/zhb_sh/article/details/104557896

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本文记录了在TM4C123G开发板上进行的Flash和EEPROM存储实验，详细阐述了如何进行Flash的读写操作，包括擦除、编程以及使用Debugger观察过程。同时，文章提到了在实验过程中遇到的问题，如实际结果与预期不符，以及如何通过独立测试和使用其他工具验证来解决问题。

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

3 实验及代码分析

3.1 读写Flash-写数据到安全的Flash区域，然后用Debugger观察写入情况

3.1.1导入项目

3.1.2 编辑源文件

打开main.c，编写代码如下

#include <stdint.h>
#include <stdbool.h>
#include <assert.h>
#include "inc/hw_types.h"
#include "inc/hw_memmap.h"
#include "driverlib/sysctl.h"
#include "driverlib/pin_map.h"
#include "driverlib/debug.h"
#include "driverlib/gpio.h"
#include "driverlib/flash.h" // 1) Flash操作函数声明
#include "driverlib/eeprom.h"

//MEMORY CONFIGURATION
//
// name origin length used unused attr fill
//---------------------- -------- --------- -------- -------- ---- --------
// FLASH 00000000 0