3 实验及代码分析
3.1 读写Flash-写数据到安全的Flash区域,然后用Debugger观察写入情况
3.1.1导入项目

3.1.2 编辑源文件
打开main.c,编写代码如下
#include <stdint.h>
#include <stdbool.h>
#include <assert.h>
#include "inc/hw_types.h"
#include "inc/hw_memmap.h"
#include "driverlib/sysctl.h"
#include "driverlib/pin_map.h"
#include "driverlib/debug.h"
#include "driverlib/gpio.h"
#include "driverlib/flash.h" // 1) Flash操作函数声明
#include "driverlib/eeprom.h"
//MEMORY CONFIGURATION
//
// name origin length used unused attr fill
//---------------------- -------- --------- -------- ----

本文记录了在TM4C123G开发板上进行的Flash和EEPROM存储实验,详细阐述了如何进行Flash的读写操作,包括擦除、编程以及使用Debugger观察过程。同时,文章提到了在实验过程中遇到的问题,如实际结果与预期不符,以及如何通过独立测试和使用其他工具验证来解决问题。
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