本文介绍了TM4C123G开发板的内存基础，包括Flash、SRAM、EEPROM和ROM的特点，如Flash的擦写单位、预取缓冲和分支推测技术，SRAM的Bit-banding技术，以及EEPROM的写入周期和访问方式。同时，文章探讨了系统的安全设计，涉及MPU的内存区域划分和调试端口的安全管理。
前言
TM4C123GH6PM有四种类型内存：
- Flash
- SRAM
- EEPROM
- ROM
芯片设计厂商提供了灵活的操作，性能优化，和安全控制设计。
本章学习目标
- 四种内存的特点和操作
- BitBang技术和使用
- MPU，Memory Protection Unit的使用
1. CortexM4内存基础
1.1 四种内存架构图
TI采用Harvard架构，指令和数据是分不同总线。
下图为Flash，SRAM和ROM的系统结构图。SRAM存取使用系统总线。ROM存取使用ICode/DCode。Flash二者皆可。
EEPROM是放在外设地址空间，特有的安全保护块，防止误写操作。另外它的访问使用AHB高速总线。
1.2 Flash特点
- 起始地址0x0000.0000, 大小256KB
- 擦除以1KB块为单位（先erase，才能program）
- 代码和数据的访问使用不同总线
- 系统时钟40MHz以下时，每次读操作需要1个cycle
- 系统时钟40MHz以上时，Flash控制器使用pre
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