从MOSFET关键设计参数说起为何快速电压变化dV/dT会导致异常导通2-2

上一篇文章我们讲了寄生的三极管会导致MOSFET异常开启

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寄生三极管元件的等效电路如下图所示2所标注的区域

今天我们再说下寄生Cgd导致的影响

其实和三极管寄生元件导致的开启类似

当上电后, Drain的电压会发生急剧的变化对吧

那么Cgd上的电压也发生急剧变化, 存储或者释放的能量很多,需要一个路径去释放或者去中和,

它通过如图所示的I1路经过Cgd 再流经Rg 再到source.

如果电量变化太快,是不是电流就相应的很大

那么Rg上电压是不是相应的增大,而这个Rg的电压是Vth

当栅极电压\(V_{GS}\)超过器件的阈值电压\(V_{th}\)时，器件就会被迫导通。因此，这种机制下的\(dv/dt\)（电压变化率）能力是由vth来限制

在存在高温环境的应用中，阈值电压\(V_{th}\)的负温度系数尤为重要。此外，还必须仔细选择栅极电路的阻抗，以避免出现这种（因\(dv/dt\)导致的不期望的导通）效应。

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