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芯片详解
官方EDA:https://oshwhub.com/quan-guo-dian-sai/dian-sai-mo-kuai-lm2577-adj-ke-diao-sheng-ya-mo-kuai
里面是一个NPN三极管来控制的,Boost升压其实是NPN闭合,后级短路,输入电压直接加在电感上,存储能量,NPN打开的时候,输入电源和电感一起
手册里面说有一个3A的NPN三极管,电感上电流应该有3A,但是后级可能是电容储能放能,导致输出电流只有最大不到1A,这个然后再仔细学一下Boost升压,不过从功率的角度来算其实差不多,5-12V的升压,输入3A,输出差不多1点多A
电感上的电流看来给电容充电和负载供电分开了。
输出负载电流的计算公式,5-12的时候,电流最大800mA
反馈电阻的计算公式
手册里面有些地方看不懂,输出这几个电阻是啥,测试功率的吗?
这个芯片好像还能做FlyBack反激电源
原理图和PCB设计
设计的是5V升压到12V的Boost
电感的下面最好不要铺铜,背面也别铺
焊接测试
焊好所有器件后,测试输出电压情况,电压有11.9V左右,电流有些异常
带载22欧姆的电阻,电流应该只有0.54A,芯片无法工作。
带载33欧姆的电阻 ,电流0.36A,芯片工作一会后,电感会异常发热,芯片也会异常。
看了一下电感的手册,很有可能电感选的不对,额定电流太小了,选的CDRH74型号的电感,原来要注意电感型号,不是光看感值就行,还有就是同一封装的电感,型号不同额定电流也不一样。这里的电感电流就是boost的输入电流,所以这个电流应该蛮大的
这时官方TI用的电感型号,后面尝试换个电感试试,这个自谐振频率要不要注意一下,工作时要远远低于这个频率,否则阻抗很大
后续测试
重新更换这种8040封装的贴片电感
再次测试,情况好了不少,电感不发热了,电流也能跑上去了
测试22欧姆
测试33欧姆,可以看到电感的纹波小了一点
测试100欧姆,纹波更小了,同样,效率也上去了
这样的测试条件下,感觉电感还是不对,按照官方的EDA案例,这个电感的感值和饱和电流参数的选取还是有些问题,这个输入电流很明显超过电感的饱和电流了,在22欧姆下,这样感值应该会急剧下降,电感器的性能明显下降。感值越大,当然纹波更小,但是不能超饱和电流
电感的感值下降30%时候对应的电流就是饱和电流
后续测试
更换个10uh的同型号电感,因为我看到10uh的电感的饱和电流会大一些,但是测试结果说明100uh的电感虽然饱和了,但是感值还远没有降到10uh,所以100uh的电感是需要的,但是封装要换,要用更大电流的。
接22欧姆的输出电压如图所示,33欧姆的峰峰值会小一些,差不多1.5V
对比上面就会发现很面下的纹波变大了,所以电感是选小了
手册里说电感工作频率是52KHz,开关频率越高,电感电流的充放电周期越短,输出电压纹波幅值越小。例如,当开关频率从100kHz提升至1MHz时,纹波幅值可降低约90% 。电感值越大,电流变化率(di/dt)越小,纹波幅值也越小,但需平衡体积与效率。
注意到输出电压这个超过12V了,而且先上升后下降???电感器在开关闭合的时候充能,开关断开时通过二极管给电容充电,也给后级电路供电,所以电容电压会先上升后下降,但为啥会稳定在12V??
同时感值变小了,同样的电流变化下,储存的能量变小了,所以充能需要更大的电流,所以效率也下降了,储能效率下降了,
对比发现效率下降了,输入电流更大了在同样的输出下
这是手册里面的测试图,看CD,看了一看到电感电流上升的时候电压再掉,电感电流下降即二极管导通的时候,电压上升了,并且不断下跌,所以这样就能解释了,示波器后面一段平的并不是平的,是量程太大了,其实是在一点点往下掉的。
对比一下就能看出,工作的不太正常,三角形那一段是电感在放电,平的那一段电感在充电,充电时间长,放电时间短,而且一对比100uh的电感时候,工作状态还蛮正常的,就是纹波大了一些
10uh为啥会出现这样的情况呢,感值变小,输入电流变大,电感的电流也变大,导致电容电压变化不稳定,先上升后下降,但电感电流一直在变小,后面全靠电容稳压,全靠大电容。这个阶跃也很好理解,电感回去充电了,少了一部分电流,电容供电瞬间变大,电压会瞬间降低一部分,电容上的电压不能突变,那么这里为啥会有个类似阶跃的电压变化呢???
电感电流有一部分用于给负载供电,电感突然切换到充电,这部分电流没了,那么就需要电容来供电,所以电容电压会骤降,降下来之后,电流变小了,就曲线变平缓了。
这样也能理解为啥10uh的曲线是三角形了,是电感放电中,能量存储的不够,导致还没进入充电状态,电感电流不足以支撑电压缓降,直接降到底了。
感觉还有很多说不通的地方,还得学习,这个电压变化感觉还是很怪,纹波应该是三角形的,为啥会出现这种阶跃,太怪了
电感选取
大电感
电感损耗包括铜损(绕组电阻损耗)和铁损(磁芯损耗)。大电感通常需要更多匝数,导致铜损增加;而小电感可能在轻载时因电流断续(DCM模式)导致效率下降。趋肤效应等损耗减小
MOS管的有效电流减小,纹波小了,MOS管上损耗的也小了
电感值越大,电流变化率越慢,系统对负载突变的响应时间越长,可能导致输出电压波动。但是纹波小
大电感能显著降低电流纹波,这对噪声敏感的电路(如射频模块、精密ADC)至关重要。例如,在Buck电路中,若输入电压为12V,输出5V,开关频率500kHz,当电感值从1μH增加到4.7μH时,纹波电流可减少约80%。
大电感更容易维持CCM模式,避免DCM模式下的效率损失和输出电压波动。
局限性:
体积与成本
大电感占用更多PCB空间,尤其在高功率应用中,电感体积可能成为设计的瓶颈。例如,100μH的功率电感体积可能是10μH电感的3倍以上。
动态响应差
在负载突变时(如从10%跳变到90%),大电感需要更长时间调整电流,可能导致输出电压超调或欠调。例如,某Boost电路在电感从2.2μH增加到10μH时,恢复时间从20μs延长至80μs。
饱和风险
大电感可能需要更高的饱和电流规格,否则在高负载时可能因磁芯饱和而失效。
小电感
小电感的优缺点分析
优点:
体积小,成本低
小电感更适合便携式设备(如手机、TWS耳机),例如1μH的绕线电感体积仅3mm×3mm。
动态响应快
小电感允许更高的di/dtdi/dt,在负载突变时能快速调整电流。例如,某Buck电路在电感从4.7μH减至1μH后,瞬态响应时间缩短了60%。
轻载效率提升
在DCM模式下,小电感的开关损耗可能更低,适合低功耗应用场景(如IoT设备待机模式)。
小电感的DCR会比较小,导通损耗小,效率会提高
小电感的饱和电流高,在同样的给定动态性能要求下,输出输出电容可以小一些
缺点:
高纹波电流与EMI问题
小电感会导致更大的电流纹波,增加输出电容的负担,并可能引发EMI问题。例如,某Boost电路中,电感从4.7μH减至1μH时,输出电容的RMS电流增加了3倍。
强制进入DCM模式
轻载时容易进入DCM模式,导致输出电压纹波增大,环路稳定性变差。
权衡
根据应用场景权衡
高功率设备(如服务器电源): 优先选择大电感,以降低纹波和损耗。
便携式设备(如智能手表): 选择小电感以节省空间,但需优化布局降低EMI。
动态负载场景(如CPU供电): 折中选择电感值,兼顾纹波与瞬态响应。