Silvaco二极管、三极管、CMOS的制备

最新推荐文章于 2025-07-10 19:40:10 发布

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#经验分享

本文详细介绍了使用Silcao软件进行二极管、三级管及CMOS的仿真和制备过程，包括软件选用、制备步骤、仿真代码及结果展示。通过具体的代码示例，展示了从衬底定义、氧化层沉积、刻蚀到扩散、金属淀积等关键步骤，揭示了半导体器件的制造工艺和技术细节。

软件选用

我们选用Silcao仿真软件，此软件不支持Win11系统，请大家谨慎安装，否则会出现蓝屏，甚至会让你电脑重新安装系统。

二极管的制备

仿真代码

go athena

line x loc = 0.00 spac = 0.1
line x loc = 2.0 spac = 0.1
line y loc = 0.0 spac = 0.005
line y loc = 0.50 spac = 0.0125
line y loc = 2.0 spac = 0.1

#衬底定义
init silicon c.phosphorus=1.0e14 orientation =100 two.d

#淀积氧化层
deposit oxide thick  =0.2 divisions = 2

#刻蚀氧化层
etch oxide start x=0.5 y=-0.2
etch continue x=0.5 y=0
etch continue x=1.5 y=0
etch done x=1.5 y=0.0

etch silicon left pl.x=0.5
etch silicon right pl.x=1.5

#扩散
diffuse time  = 60 temp = 1100 c.boron = 1.0e15 press = 1.0

#淀积金属
etch oxide all
deposit alum thickness = 0.2 div =3

#刻蚀金属
etch alum left pl.x=0.5
etch alum right pl.x=1.5

#二极管电极的定义
electrode name = anode x = 1.0
electorde name = cathode backsi

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