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上图为输出特性曲线 ，分别是在栅压为1v、3v、5v的情况下，可以看出在1v时器件处于截止状态，只有非常小近似于0的电流通过，随着栅压逐渐增大，沟道开启，产生漏极电流。上图为栅极漏电流曲线和转移特性曲线以及其提取的参数，可以看到阈值电压为=1.30249V，当栅压为0v时，Id=8.01032e-006，当栅压为5V时，Ig=3.11627e-006。albrct.n，低场迁移率模型，bn.albrct，an.albrct是albrct模型中的参数，可以由用户自己设定。lat.temp，晶格自热模型；
2024-12-20 13:14:58
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原创 silvaco例子库学习——mos1ex03
由于MOSFET的亚阈电流IDsub随着VGS的增大而指数式增加，为了表征这种栅-源电压对于亚阈电流的影响状况(即亚阈特性的好坏)，就引入一个所谓亚阈值斜率(栅极电压摆幅)S的参量。晶体管亚阈状态是MOSFET的一种重要工作状态(工作模式)，又称为MOSFET的亚阈值区(Subthresholdregion)这是MOSFET的栅极电压Vgs处在阈值电压VT以下、又没有出现导电沟道的一种工作状态，即是Vgs≤VT、表面势s>费米势ψb(即表面为弱反型)的状态。8.栅氧生长，阈值电压调整注入，提高阈值电压。
2024-12-18 19:27:01
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原创 silvaco例子库学习—mos1ex02
mos1ex02相比于第一个例子，主要进行了mos的输出特性仿真，工艺结构是一样的，所以就只简单讨论一下atlas特性仿真的部分。
2024-12-17 20:19:41
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空空如也
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