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RSS订阅原创 silvaco学习记录（九）GaNdiode的瞬态正弦波信号仿真
摘要：本文分享了在Silvaco Atlas中为GaN二极管施加正弦电压信号的方法。研究发现，与直接施加阶跃信号不同，正弦信号需要通过MixMode混合模式在电路层级实现，而非直接加载到电极上。作者提供了完整的仿真代码示例，展示了1GHz、10V和200V正弦信号下的电压、温度及阳极电流响应特性。特别指出，大振幅信号会导致更显著的温度累积效应和负半周期电流差异。该研究为微波冲击下器件特性分析提供了基础方法，但模型尚未与实际数据拟合，主要聚焦于信号施加方法的验证。
2025-12-16 20:52:32
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原创 silvaco学习记录（八）GaNdiode的瞬态阶跃信号仿真
本文记录了GaN二极管大功率信号注入损伤效应的仿真分析过程。作者通过构建三沟道GaN二极管模型，注入纳秒级阶跃信号，观察器件内部温度、电流密度和电场变化，分析最易受损区域。详细介绍了网格划分、材料参数设置、电极配置等建模步骤，并提供了完整的Silvaco仿真代码。通过保存不同时间步长的结构文件（1e-12至1e-8秒），可直观展示阶跃信号注入后器件内部温度分布的变化情况。作者强调正确使用模型参数和信号注入语句对获得准确结果的重要性，并提醒自己作为初学者仍需继续学习。
2025-12-12 15:38:10
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原创 silvaco学习记录（七）GaN SBD仿真
摘要：通过阅读论文和仿真实验积累经验。文中分享了Silvaco仿真代码，用于模拟GaN SBD器件结构，并对比了原文与自己的仿真结果（对数坐标下）。虽然整体趋势一致，但由于软件限制（无法精确模拟金属簇电极），部分数据仍存在误差。作者表示将继续通过文献复现和实验来完善知识体系。（149字）
2025-10-16 15:53:34
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原创 silvaco学习记录（五）BJT仿真
摘要：本文介绍了双极结型晶体管(BJT)的仿真过程，包含NPN型结构特性和仿真代码实现。通过网格初始化、区域定义、电极设置和掺杂分布配置，使用牛顿法进行数值求解。详细展示了电压扫描、电流边界条件设置以及多组数据叠加分析的方法，包括结构文件(.str)和日志文件(.log)的可视化操作，用于观察器件的IV特性和内部物理量分布。仿真过程验证了基区厚度、掺杂浓度等参数对器件性能的影响，并生成特性曲线族评估电流增益。
2025-07-16 16:56:04
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原创 silvaco学习记录(四）二极管的伏安特性曲线
摘要：本文探讨了利用Silvaco仿真二极管正向导通与反向击穿特性的过程。作者通过修改原有正向导通仿真代码，增加阳极电压测试正向特性，调整阴极电压测试反向特性。仿真结果显示，由于掺杂等因素影响，死区电压和击穿电压特征不够明显。
2025-07-10 19:40:10
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原创 silvaco学习记录（三）GaNLED仿真
本文摘要： Silvaco Atlas仿真了GaN基蓝色单量子阱LED器件，采用1D结构模拟。器件包含3nm In0.2Ga0.8N量子阱、100nm Al0.2Ga0.8N发射层和GaN缓冲/接触层。通过非均匀网格加密量子阱区域，设置极化效应、SRH复合等物理模型。仿真采用0.05V步长扫描至5V，输出IV特性、光谱（400-500nm）和载流子分布。分析发现需先保存.set文件才能绘制曲线，且前两幅曲线显示为功率相关而非预期的电流特性，光谱和载流子分布结果正常。代码执行时需注意文件保存和拼写准确性。
2025-07-09 16:26:58
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原创 silvaco学习记录（二）diode仿真
今天学习@soliton-monologue大佬的diode仿真，在手敲完代码并可以顺利运行后，但显示不出来网格图，并有以下报错
2025-07-07 21:59:22
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空空如也
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