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RSS订阅原创 微硕WSC5N20G MOSFET，赋能汽车LED大灯智能控制
Qg=18nC配合智能栅极驱动芯片，实现10位精度（1024级）PWM调光，频率可达2000Hz，满足ADB系统对像素级光源的快速切换需求。利用MOSFET的线性区特性，通过检测VDS电压实现LED灯串短路保护，响应时间<5μs，保护精度达±5%。热设计策略：在灯体铝基板直接焊接TO-251封装，利用金属外壳作为散热器，热阻可降至15℃/W，连续工作结温控制在100℃以内。中等载流能力：连续漏极电流5A，脉冲电流20A，单颗可驱动50W级LED阵列，满足远光灯多芯片并联需求。
2025-11-24 10:23:33
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原创 微硕WINSOK双通道MOS管WSP85N10，赋能汽车空调智能风门控制
2025年全球汽车空调执行器市场规模预计达85亿元，中国市场份额占比超52%，年复合增长率保持12.8%高位，核心驱动力源于三大变革：其一，双区/三区空调成为主流配置，单台车风门执行器数量增至8-12个，对控制器小型化提出严苛要求；器件支持24A脉冲电流，在风门堵转或异物卡滞时可快速触发过流保护，闭锁时间<10μs，避免驱动IC损坏。单芯片H桥集成：N沟道100mΩ/4.5A与P沟道150mΩ/2.5A双MOS集成，省去两颗外部PMOS，BOM成本降低35%，PCB面积压缩至15mm×10mm以内。
2025-11-21 11:29:41
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原创 微硕WINSOK高性能MOS管WST2N7002B，赋能汽车多区氛围灯精准控制
2025年全球汽车氛围灯市场规模预计达260亿元，中国市场份额占比超45%，年复合增长率保持18%高位，核心驱动力源于三大变革：其一，新车型氛围灯分区数从8路增至32路以上，单路功率提升至2-3W，要求每通道独立可控且暗电流<50μA；驱动电路极简设计：每通道仅需1kΩ栅极限流电阻与10kΩ下拉电阻，配合集成式LED驱动IC，可将32路控制电路布设在30mm×20mm的灯控模组内。微功耗关断：漏电流IDSS<1μA，配合栅极驱动电路可实现每通道关断功耗<5μA，满足32路总静态电流<200μA的严苛要求。
2025-11-20 17:55:47
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原创 微硕WINSOK双N沟道MOSFET WSP8814，赋能汽车电动后视镜精准调节
实测数据显示，在12V输入、5A负载、20kHz PWM调速下，系统效率达96.8%，较传统方案提升8个百分点，镜内温升仅8℃。双管集成设计：两颗N沟道（20V/7.6mΩ/9A）集成于TSSOP-8L封装，单芯片构成半桥，节省70%PCB空间，消除配对误差。高速开关性能：总栅极电荷Qg仅27nC，开通延迟13ns，配合4.5V低驱动电压，可直接由MCU驱动，省去栅极驱动芯片。1、电机微型化：有刷直流电机功率降至5W-15W，额定电流2A-5A，但堵转电流可达15A，要求器件具备5倍过载能力。
2025-11-19 11:05:04
902
原创 微硕WINSOK高压MOSFET WSF6N40，赋能车载充电机PFC
在交错Boost电路中，WSF6N40作为主管，其14nC低Qg将开关损耗降至1.2W（@100kHz），配合1200mΩ导通电阻在2.5A工作点仅0.75W导通损耗，总损耗2W，较50kHz方案降低35%。利用90mJ雪崩能力，在输入过压至600V时主动钳位，配合Boost电感饱和电流限制，实现硬件级过压保护响应时间<500ns，满足功能安全要求。1、拓扑高频化：交错并联Boost成为主流，单路功率3.3kW，开关频率50kHz-100kHz，需平衡开关损耗与EMI，要求Qg<20nC。
2025-11-17 15:22:09
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原创 微硕WINSOK高性能MOSFET WSF40130，助力汽车电子水泵革新
铜厚推荐3oz，铺铜面积≥100mm²以确保均流。防堵转保护：利用WSF40130的重复雪崩能力，在叶轮卡死瞬间，逆变器主动进入雪崩钳位模式，将电机能量耗散于MOSFET内部，避免母线电压泵升损坏ECU。极致低阻：2.4mΩ超小导通电阻（VGS=10V时），将120A满载工况下的导通压降压缩至0.29V，单管功耗仅35W，较上一代产品降低60%。军工级可靠性：通过400mJ单脉冲雪崩能量（EAS）认证，重复雪崩电流能力40A，工作结温覆盖-55℃至150℃，满足底盘环境10年质保要求。
2025-11-15 11:33:11
672
原创 微硕WSP85N10双管MOSFET，驱动汽车电子后视镜电源革新
单颗WSP85N10构建12V转5V/2A同步Buck，在1MHz开关频率下，转换效率达94.5%，较异步整流方案提升7个百分点，发热量降低1.2W，满足无风扇密闭空间要求。多路输出架构：两颗WSP85N10分别构建5V摄像头电源与3.3V屏电源，N管作开关管，P管作同步整流管，实现两路完全隔离，满足ASIL-B独立供电要求。1、多路输出需求：摄像头需5V/2A，显示屏需3.3V/1.5A，图像处理SOC需1.8V/2A，三路独立供电对器件集成度要求极高。三、WSP85N10在CMS电源中的应用优势。
2025-11-14 13:33:18
430
原创 微硕WSP4964双通道MOSFET，驱动汽车座椅温控系统升级
诊断功能集成：通过监测MOSFET导通压降VDS(on)，结合8位ADC采样，可精确识别加热丝开路（VDS>2V）或电机缺相（VDS<0.1V），替代传统霍尔传感器，降低BOM成本15%。防夹保护设计：利用低体二极管正向压降（VSD=1.1V@1A），在H桥下管关断时快速续流，实现风扇堵转电流检测响应时间＜5ms，触发防夹反转功能。3、功能集成化趋势：座椅控制器需同步驱动风扇、加热丝、腰托气泵等多路负载，单座椅控制通道从4路增至12路，PCB空间压缩50%。
2025-11-13 16:15:38
428
原创 微硕WST3404高性能MOSFET，革新汽车雨刮控制系统
随着汽车电动化与智能化进程加速，雨刮控制系统从简单的刮水功能向智能调速、静音运行与集成式控制演进，对功率器件的效率、尺寸与可靠性提出更高要求。1、有刷电机仍为主流：12V永磁直流电机占据80%市场份额，额定电流2-4A，堵转电流可达8-10A，要求MOSFET具备短时过载能力。：20mΩ（VGS=10V时），在4A工作电流下导通损耗仅0.32W，较传统50mΩ器件降低60%，显著提升能效。3、线束简化与模块化：域控制器架构下，雨刮驱动需集成在车身域PCB上，对器件尺寸与散热提出严苛限制。
2025-11-12 11:09:25
402
1
原创 微硕WINSOK WSF80N06高性能MOSFET，赋能汽车电动尾门驱动
在环境温度85℃、持续电流40A工况下，估算结温：Tj = Tc + (Ploss × RθJC) = 85 + (11.5 × 1.2) ≈ 99℃，远低于150℃极限，确保酷暑环境下不降额运行。源极并联220nF陶瓷电容吸收尖峰，确保EMC达标。：通过FloTHERM仿真，在环境温度105℃下连续进行30次开闭循环，器件表面温度峰值118℃，温差13℃，热阻表现优于多数竞品。：7.2mΩ（VGS=10V时），在40A工作电流下导通损耗仅11.5W，较传统20mΩ器件降低60%，显著提升驱动效率。
2025-11-11 11:42:04
927
原创 微硕WSF40130 MOSFET，车载DC-DC转换器高效电源方案
随着新能源汽车电子系统 complexity 的增加，车载DC-DC转换器需要在高功率密度和高效率下稳定运行，为车辆的低压系统提供可靠电源。微硕WSF40130 N沟道MOSFET凭借其卓越的电气特性和紧凑的封装设计，成为车载DC-DC转换器的理想选择。
2025-11-10 11:31:47
278
原创 微硕WSF25N10 MOSFET，车载充电机AC/DC转换模块高效开关方案
新能源汽车对高效能车载充电机的需求不断提升，其核心AC/DC转换模块需要在高频率、高负载条件下稳定运行。微硕WSF25N10 N沟道MOSFET凭借其卓越的电气特性和封装设计，成为车载充电机AC/DC转换模块的优选方案。
2025-11-07 09:49:25
139
原创 微硕WSF15N10 MOSFET，汽车空调出风口叶片伺服驱动
在12V/6W出风口伺服中，两颗WSF15N10构成半桥，驱动25kHz PWM，实测摆角60°时间120ms，效率96%，外壳温升9℃；车规级封装：TO-252-2L仅6.6×10mm，RθJC=2.5℃/W，铜基板直接贴铝支架，结温控制在170℃以内，满足AEC-Q101循环要求。低栅极电荷：Qg=21nC，Td(on)=13ns，支持25kHz PWM，摆风时间120ms，噪音<20dB，实现“无感摆风”。高耐压：100V BVDSS，轻松覆盖负载突降与继电器线圈反冲，省去TVS，降低BOM成本。
2025-11-06 10:24:03
262
原创 微硕WSF3085 MOSFET，汽车电动尾门升降强效驱动
该模块需在13.5 V平台下，对直流电机提供瞬间60 A、持续20 A的双向电流，并在0.5 s内完成举升或闭合，同时待机电流<0.1 mA，避免长期停放亏电。微硕WINSOK推出的WSF3085单N沟道MOSFET，以4.5 mΩ超低导通电阻、85 A连续电流、TO-252-2L高散热封装，专为尾门H桥/半桥驱动量身打造，让尾门“一键升降”既迅猛又省电。极低RDS(on)：4.5 mΩ@VGS=10 V，20 A下导通损耗仅1.8 W，比上一代TO-263方案降低42%，无需散热片，简化铝壳内部布板。
2025-11-05 09:58:37
382
原创 WSF40N06A：车载48V/12V DC-DC同步整流“50A功率核”
传统继电器+保险丝体积大、无PWM、触点易熔焊。微硕WINSOK推出的WSF40N06A 60V/50A N沟MOSFET，以20mΩ低导通电阻、42mJ雪崩能量和TO-252-2L封装，一颗替代“继电器+预充电阻+TVS”，实现“同步整流+短路自钳位+零待机”三合一，助力DC-DC模块体积缩小40%、效率提升1%、10万次无弧切换。冷启动时，MCU以2kHz PWM斜坡升压，限制di/dt<2A/µs，电容充电电流<15A，避免母线掉压，延长电容寿命，同时无机械触点噪声，运行静音<25dB。
2025-11-04 10:37:44
298
原创 WST2307：车载USB-C口“负向高边负载开关”
微硕WINSOK推出的WST2307 -30V/-4.2A P沟MOSFET，以50mΩ低导通电阻、9.7nC超低栅极电荷和SOT-23L封装，一颗完成“高边开关+反向阻断+OVP”，助力USB模块实现微安级待机、毫伏级压降、1ms极速唤醒。USB休眠后，栅极置0V，IDSS仅-1μA，路径总漏电流<0.5μA，整车暗电流预算富余，延长驻车时间15天。漏电流-1μA@-10V，55℃下<5μA，路径总漏电流<0.5μA，整车暗电流再降80μA。零待机：整车休眠<300μA，USB路径漏电流需<1μA。
2025-11-03 10:02:38
302
原创 WSP8814：车载智能座椅“双向腰托快充马达开关”
微硕WINSOK推出的WSP8814双N沟MOSFET，以20V/9A、7.6mΩ低导通电阻和TSSOP-8L封装，一颗替代两路继电器，实现“H桥双向驱动+快充+零待机”三合一，助力座椅模块实现静音充放、小尺寸、长寿命。当气泵电机堵转，电流升至15A，WSP8814进入雪崩钳位，能量30mJ内部耗散，随后栅极关断，防止线束发热，通过AEC-Q100 Grade0 1000h堵转循环无衰减。座椅休眠后，栅极下拉0V，桥臂完全关断，电机两端悬空，漏电流<1µA，整车暗电流实测再降80µA，延长驻车时间12天。
2025-10-30 14:11:41
255
原创 WSF20N20：车载48V/12V DC-DC同步整流管
能量回收时12V→48V升压，WSF20N20改为高臂同步管，利用体二极管先续流再导通，反向恢复电荷360nC，di/dt=100A/μs，反向恢复时间105ns，远低于肖特基方案，减少高臂直通风险。栅极下拉-5V时，可承受-12V反接，保护后端DC-IC，省去继电器与预充电阻，体积缩小40%。48V→12V 3kW两相交错，每相电流30A，两枚WSF20N20并联作低臂开关，总导通损耗4W，200kHz下结温<115℃，满足AEC-Q100 Grade0要求。48V DC-DC痛点。
2025-10-29 14:31:55
298
原创 微硕WSD8823DN22 MOSFET，赋能车载中控屏幕电源管理
在5 V显示背光供电轨串联WSD8823DN22，MCU拉低栅极即可关断整条通路，切断背光漏电流，实测整车静态电流降低42 µA，满足新能源车主机厂<800 µA标准。：在USB-IN与系统5 V母线之间插入该器件，利用内置肖特基阻止负向电压倒灌，热插拔±20 V瞬态测试下，PMIC输入端负压被钳位在-0.4 V，避免复位花屏现象。：通过RC缓启栅极，实现2 ms斜坡导通，冲击电流<500 mA，消除屏幕闪白，提升用户体验。空间受限：模组厚度<1.2 mm，传统SOT23已无法满足“超薄悬浮屏”结构。
2025-10-28 14:15:07
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原创 微硕WSD40190DN56G 40V N沟MOSFET：汽车48V电动尾翼“190A高速H桥核”
WSD40190DN56G以40V高耐压、1.25mΩ超低导通电阻与259mJ雪崩能量，为汽车48V电动尾翼提供“单芯片-190A大电流-高可靠”H桥方案，实现0.8s极速翻转、零TVS、低成本。与市面40V／1.6mΩ方案相比，WSD40190DN56G导通损耗降低22%，PCB面积缩小25%，BOM成本节省0.08USD，且雪崩能力翻倍，省去并联器件。40V BVDSS，190A连续电流，400A脉冲，259mJ雪崩能量，单颗覆盖12V/24V/48V平台。0.8s完成20°翻转，噪音<36dB。
2025-10-27 11:45:03
209
原创 微硕WSF2N65 650V N沟MOSFET：汽车PTC辅助加热器“高压启动核”
与市面650 V／10 Ω方案相比，WSF2N65导通损耗降低60 %，软启时间缩短40 %，驱动损耗降低50 %，BOM成本节省0.1 USD，且无需外置吸收回路。TO-252-2L封装，RθJC 5 ℃/W，配合1 in²铜皮，RθJA 62.5 ℃/W，105 ℃环温下连续2 A时结温<140 ℃。650 V BVDSS，单颗覆盖220 V~270 V PTC平台，雪崩耐量57 mJ，6 A脉冲电流，省去串联/IGBT。• 温度：铝壳散热，130 ℃降额，140 ℃关闭，符合ASIL-B。
2025-10-25 13:58:35
496
原创 微硕WSP4884双N沟MOSFET：汽车智能座舱PMIC“微型稳压核”
智能座舱PMIC需在方向盘、仪表、HUD等8 mm×8 mm模块内，输出3.3 V/5 A，并承受24 V Load Dump，对功率器件提出“30 V耐压、18.5 mΩ低阻、SOP-8L小封装”三维硬指标。与市面30 V／23 mΩ双N方案相比，WSP4884导通损耗降低20 %，开关损耗降低25 %，整体效率提升1 %，PCB面积缩小30 %，BOM成本节省0.02 USD，且雪崩能力翻倍，省去并联器件。实测：24 V输入，3.3 V/5 A输出，效率91 %，壳温75 ℃；EMI裕量>6 dB。
2025-10-24 11:09:06
236
原创 微硕WSF2040 N沟MOSFET：汽车电动尾门“防夹升降核”
WSF2040以20 V高耐压、6.2 mΩ超低导通电阻与150 mJ雪崩能量，为汽车电动尾门提供“单芯片-大电流-高可靠”H桥方案，实现6 s静音升降、20 ms防夹、零TVS。与市面20 V／8.5 mΩ方案相比，WSF2040导通损耗降低27 %，温升降低10 ℃，PCB面积节省15 %，BOM成本下降0.06 USD，且雪崩能力翻倍，省去TVS。20 V BVDSS，单颗覆盖12 V平台，80 A脉冲电流，150 mJ雪崩能量，30 A感性回灌实测通过。6 s完成尾门全开，噪音<45 dB。
2025-10-23 11:23:42
206
原创 微硕WSK100P06 P沟MOSFET：汽车PTC加热器“极速开关闸”
与市面-55 V／9 mΩ P沟方案相比，WSK100P06导通损耗降低38 %，温升降低15 ℃，PCB面积节省30 %，BOM成本下降0.15 USD，且雪崩能力翻倍，省去并联器件。5.5 mΩ（@-10 V），-80 A时导通压降仅0.44 V，功耗35 W，比9 mΩ竞品降低38 %，铝壳自然冷却即可。冷启动-40 ℃，PTC内阻极低，峰值电流-120 A，持续20 ms，器件必须-264 A脉冲能力且不触发保护。驱动：-10 V栅极驱动器，限流电阻10 Ω，PWM 500 Hz，死区2 µs。
2025-10-20 11:21:16
276
原创 WSD75100DN56：汽车前排座椅通风风扇同步整流驱动
2025年中国前排座椅通风标配率将突破60 %，100 A大功率风扇年需求超2000万颗；：三相无刷+升压驱动共板，峰值电流100 A，要求器件在85 ℃环境温度下持续工作；：整车待机<100 µA，传统继电器方案无法满足，同步整流MOSFET成为主流。：100 A时导通损耗仅53 W，比传统TO-247方案。，满足新能源车型**<100 µA静态电流**法规要求，，一次性通过CISPR 25 Class 5，，满足**-40 ℃冷启动**严苛场景。工况下，器件温升仅15 ℃，：配合1.0 Ω栅极电阻，
2025-10-18 09:29:16
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原创 WSD40120DN56G：汽车电动尾门同步整流驱动
电吸锁+防夹条+静音风扇，峰值电流120 A，要求器件持续工作于105 ℃环境；：整车待机<100 µA，传统继电器方案无法满足，同步整流MOSFET成为主流。：120 A时导通损耗仅20 W，比传统TO-247方案。，满足新能源车型**<100 µA静态电流**法规要求，，在电动尾门同步整流驱动中展现出显著优势。趋势，WSD40120DN56G可为尾门ECU提供。，一次性通过CISPR 25 Class 5，，满足**-40 ℃冷启动**严苛场景。工况下，器件温升仅15 ℃，，驱动800 W直流电机；
2025-10-17 09:36:30
791
原创 WSD40P10DN56：汽车LED前大灯升降压恒流驱动
WSD40P10DN56凭借**-100 V高耐压、78 mΩ低损耗与157 mJ高雪崩能量**，在矩阵LED大灯升降压恒流驱动中展现出显著优势。：整车待机<100 µA，输入6 V–24 V跳变时电流偏差<±3 %，传统线性方案无法满足，同步升降压成为主流。：远光分区≥12路，单路10 A恒流，要求器件在105 ℃环温下持续工作；，满足新能源车型**<100 µA静态电流**法规要求，，一次性通过CISPR 25 Class 5，，满足**-40 ℃冷启动**严苛场景。工况下，器件温升仅15 ℃，
2025-10-16 10:52:43
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原创 WSD4023DN56：汽车智能座椅电源管理双芯方案
随着“零重力”座椅快速下沉至15万元主流车型，一套座椅需同时驱动加热垫、通风风机、腰托气泵、按摩气阀等多路负载，峰值电流超30 A，对功率器件提出“高集成、低损耗、高瞬态”三重挑战。微硕WINSOK推出的WSD4023DN56双芯MOSFET（N沟40 V 16 mΩ 32 A + P沟-40 V 30 mΩ -22 A），以DFN5×6-8L单封装实现半桥，一颗器件替代两颗DPAK，助力座椅模组减重30 %、电源效率提升6 %，成为主机厂布局“多路集成电源管理”的理想功率级方案。
2025-10-15 11:48:32
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原创 WST4045：汽车阅读灯智能高边开关
WST4045凭借**-40 V高耐压、73 mΩ低损耗与SOT-23-3L极小封装**，在智能阅读灯高边驱动中展现出显著优势。：顶棚灯带集成RGB+阅读灯+麦克风，单路峰值4 A，要求器件持续工作于85 ℃环境；：整车暗电流限值<300 µA，传统继电器方案无法满足，P沟高边驱动成为主流。：2025年中国智能阅读灯渗透率将突破80 %，触控+延时渐灭成标配；，满足新能源车型**<300 µA暗电流**法规要求，阅读灯模组减重60 %、暗电流<100 µA**，，满足**-40 ℃冷启动**严苛场景。
2025-10-14 11:41:00
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原创 汽车级mosfet的应用场景
• 常用 MOS：高低压两侧——高压侧 80 V/100 V 中压 MOS，低压侧 40 V/60 V 大电流 MOS，如 WSF30150A、WSF60120。• 常用 MOS：60 V/75 V N 沟道，Rdson 2 ~ 6 mΩ，TO-252/DFN5×6，如 WSF40N06、WSD75100。• 常用 MOS：30 V/40 V，Qg < 20 nC，Rdson 2 ~ 4 mΩ，如 WSP4099、WSD4084。
2025-10-13 18:34:49
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原创 微硕WSD4078DN56双N沟MOSFET，汽车48V桌板PD快充同步Buck核“芯”
微硕WINSOK推出DFN5×6-8L双N沟MOSFET WSD4078DN56，凭7mΩ极低导通电阻与40A脉冲能力，为48V桌板PD提供“芯片级”同步Buck方案，一键实现“静音+高效+超薄”。典型48V转20V/3A同步Buck：高边导通损耗63mW，低边55mW，总损耗<0.2W，效率>96%，DFN5×6-8L封装RθJC=4.1℃/W，铜箔散热即可把温升控制在10℃以内，可直接藏于桌板转轴内侧，模组厚度<5mm。大电流支持：连续40A，脉冲180A，单颗即可驱动桌板PD快充，无需并联。
2025-10-11 10:00:22
505
原创 微硕WSF10N40 N沟MOSFET，车载48V桌板PD快充同步整流核“芯”
微硕WINSOK推出TO-252-2L N沟MOSFET WSF10N40，凭515mΩ高压低损耗与10A连续能力，为48V桌板PD提供“高耐压+小体积+车规可靠”同步整流方案，一键实现“静音+高效+超薄”。典型48V→20V/4.5A反激同步整流：导通损耗10.4W，效率>92%，TO-252-2L封装RθJC=2.1℃/W，铝基板散热即可把温升控制在20℃以内，可直接藏于桌板转轴内侧，模组厚度<10mm。高耐压能力：400V BVDSS，覆盖48V系统Load-Dump-400V瞬态，余量充足。
2025-10-10 11:00:09
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原创 微硕WSD2018DN22 N沟MOSFET，汽车副驾桌板LED照明负载开关
微硕WINSOK推出DFN2×2-6S N沟MOSFET WSD2018DN22，凭10mΩ低导通电阻与12A峰值电流，为12V平台桌板LED照明提供“芯片级”静音负载开关方案，一键实现“无感”点亮与μA级待机。32nC低Qg，Td(off)=65ns，Tf=20ns，支持100kHz PWM线性调光，消除继电器“咔哒”声，LED切换噪声<25dB(A)微型封装：DFN2×2-6S仅2×2×0.75mm，占板4mm²，可置于LED铝基板背面，实现“隐形”开关。1、μA级待机，告别亏电。
2025-10-09 11:04:22
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原创 微硕WST8205A双N沟MOSFET，汽车阅读灯静音负载开关
微硕WINSOK推出SOT-23-6L双N沟 trench MOSFET WST8205A，凭32mΩ低导通电阻与5.3A连续电流，为12V平台汽车阅读灯提供1m²占板、μA级漏电、车规可靠的静音负载开关方案。整机通过85℃/1000h高温耐久、±6kV ESD空气放电、-40℃冷启动，待机电流0.4μA，灯光唤醒时间80ms，已批量交付超10万套。8.3nC低Qg，Td(off)=18ns，Tf=46ns，支持50kHz PWM线性调光，消除继电器“咔哒”声，阅读灯切换噪声<28dB(A)
2025-09-30 16:16:36
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原创 微硕WSD20L75DN33 P沟MOSFET，汽车座椅大电流快充静音开关
24V输入、10V/-40A腰托电机快充实测：导通损耗仅8W（4.8mΩ），效率>99%，DFN3×3封装RθJC=1.5℃/W，铜箔散热即可把温升控制在35℃以内，模块厚度<5mm，可直接藏于滑轨支架背面。Td(on)=18ns，Tf=23ns，配合55nC低Qg，支持200kHz PWM线性软启，消除“咔哒”继电器声，侧翼夹紧噪声<32dB(A)，实现“无感”包裹。大电流支持：连续-75A，脉冲-200A，单颗即可驱动腰托推杆、侧翼气泵，无需并联。3、高边侧驱动，简化线束。1、高效低热，省体积。
2025-09-29 11:13:05
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原创 微硕WSF3013C，赋能车载中控高亮显示
微硕WINSOK推出N+P沟道功率MOSFET WSF3013C，凭借极低导通电阻与紧凑TO-252-4L封装，为12V/24V平台的中控LED背光驱动提供一站式高可靠解决方案。整机通过85℃/1000h高温老化、±8kV ESD空气放电及-40℃冷启动测试，LED亮度维持率＞95%，EMI余量＞6dBμV，目前已批量交付。TO-252-4L 6.6mm×6.1mm占位，仅相当于两颗SOT-23并排，却集成高低侧功率级，可把驱动板塞进显示屏FPC背面，实现“隐形”电源，助力窄边框悬浮中控。
2025-09-28 14:28:45
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原创 微硕WSD46N10DN56双N沟MOS管，打造汽车48V电动尾门“极速推杆”
随着48V轻混平台快速普及，电动尾门电机功率从150W跃升至250W，需要在2.5秒内完成举升，并在-40℃下可靠启动。微硕WINSOK推出的WSD46N10DN56，采用DFN5×6-8L封装，100V/40A、RdSON仅14mΩ，一颗芯片集成两颗N沟，单颗器件即可构建H桥，为48V“极速推杆”提供高功率、高可靠、小尺寸的功率核心。功率提升：48V电机功率从150W提至250W，堵转电流瞬态达60A，器件必须100V耐压、低损耗。100V耐压：覆盖48V系统甩负荷80V尖峰，预留>20%裕量；
2025-09-26 11:05:43
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原创 微硕WSF4012 N+P双沟MOS管，驱动汽车智能座椅“无感”升降气泵
微硕WINSOK推出的WSF4012，采用TO-252-4L封装，单颗芯片集成N沟40V/30A（16mΩ）与P沟-40V/-20A（30mΩ），一颗器件即可构建H桥，为座椅“无感”升降气泵提供大电流、低损耗、高可靠的功率心脏。N+P超低RdSON：16mΩ@10V（N）/30mΩ@-10V（P），30A峰值电流下总损耗<10W，比50mΩ方案降耗50%；雪崩自保护：N沟28mJ/17.8A，P沟66mJ/-27.2A，100%EAS测试，吸收气泵急停反电动势，省TVS；RdSON低，噪音<40dB。
2025-09-25 10:13:44
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原创 微硕WSF3040 MOSFET，驱动汽车智能座椅“呼吸式”通风风扇
微硕WINSOK推出的WSF3040，采用TO-252-2L封装，30V/43A、RdSON仅10mΩ，一颗器件即可驱动双风扇，为座椅“呼吸式”通风提供高效、静音、高可靠的功率核心。系统效率提升8%，噪音降低3dB，线束减重0.8kg，通过10万次调速循环、-40℃冷启动及短路雪崩测试，零失效。单颗WSF3040亦可作高边开关，驱动24V/20A风扇，PCB面积缩小30%，EMI降低5dB。超低RdSON：10mΩ@10V，15W风扇电流3A，损耗仅0.3W，比20mΩ方案降耗50%；
2025-09-23 10:28:18
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原创 微硕WINSOK N+P MOSFET WSD3067DN56，优化汽车智能雨刷系统
在H桥电机驱动电路中，N+P互补结构支持正反转与制动控制，低RDS(ON)与快速开关特性提升能效，延长电池寿命。：N沟道RDS(ON)低至15mΩ（VGS=10V），P沟道为11mΩ（VGS=-10V），显著降低导通损耗。：N沟道（30V/24A）与P沟道（-30V/-19.8A）集成，支持H桥电机驱动，简化电路设计。集成化与智能化：雨刷系统与ADAS、车身控制模块（BCM）深度融合，支持多模式控制与故障诊断。内置ESD保护与高抗噪能力，适应车载电源波动与电磁干扰环境，支持故障诊断与保护功能。
2025-09-22 11:28:46
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空空如也
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