78、17吉赫兹互补金属氧化物半导体压控振荡器与现有工作的对比分析

17吉赫兹互补金属氧化物半导体压控振荡器与现有工作的对比分析

1. 引言

在射频电路设计中，压控振荡器（VCO）是关键组件之一，尤其是在高频应用中。本文将介绍一款17吉赫兹的互补金属氧化物半导体（CMOS）压控振荡器，并将其性能与其他已发表的工作进行详细对比。该振荡器采用标准CMOS技术实现，具有低相位噪声和高调谐范围的特点。通过比较，可以更好地理解该设计的优越性，并为未来的设计提供参考。

2. 比较表

首先，我们列出了一些最近发布的压控振荡器（VCO）的特性，并与本设计的17吉赫兹压控振荡器进行对比。表4.9汇总了这些特性，包括振荡频率、相位噪声、调谐范围、功耗等关键参数。

特性	本设计（17 GHz）	其他设计1（参考文献）	其他设计2（参考文献）
振荡频率	17 GHz	10 GHz	5 GHz
相位噪声（1 MHz偏移）	-108 dBc/Hz	-105 dBc/Hz	-100 dBc/Hz
调谐范围	8.6%	5%	10%