物理不可克隆函数:硬件指纹解决方案
1. 不同技术的 PUF 发展
随着 CMOS 技术的不断发展,物理不可克隆函数(PUF)的构建技术也在不断演变。早期的 PUF 电路主要基于平面金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET),但随着技术的缩小,短沟道效应严重影响了 MOSFET 晶体管的性能。为了继续缩小 CMOS 技术,FinFET 被引入以取代二维(平面)MOSFET。
- FinFET 基 PUF
- 技术背景 :英特尔在 2011 年使用 22 - nm FinFET 制造了 Ivy Bridge 处理器,证明了 FinFET 的可行性。在 PUF 研究领域,FinFET 最近才开始被探索。
- 研究成果 :
- Zhang 等人研究了使用 FinFET 技术构建 SRAM - PUF 的可行性,发现其具有小尺寸和更好的随机性,SUVs 可靠性为 88%(由于 CMOS 噪声导致 12% 的比特错误)。
- Narasimham 等人分析了使用 28 - nm 高 - k 金属栅(HKMG)平面 MOSFET 和 16 - nm FinFET 工艺构建的 SRAM - PUF 的质量和可靠性。结果表明,FinFET 显示出比平面 MOSFET 更好的随机性,但更易受老化影响,比特错误率略高。
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