三极管和MOS管开关速度谁快呀

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原文链接：http://bbs.elecfans.com/jishu_241849_1_1.html

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mos管上有等效电容的存在，所以开关时间比三极管长，三极管速度最快。 
但也有的说三极管存在状态转换，例如开到关，即饱和到截至，PN结的感应电和需要恢复到平衡状态，所以开关速度比MOS管较慢，MOS管常用于高速电路
就分立元件而言，是三极管的速度快，一般的产品目录上三极管都标注其带宽，而MOS管都不标注带宽或相应时间等和速度相关的参数。
有些三极管的数据手册中给出上升时间、下降时间或导通时间、截止时间，这就是它的开关速度参数

jacksong2021
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三极管的经典之作，你知道吗？
华维单片机编程
01-17 411
三极管是一种控制原件，可以以小的电流控制大的电流就像武侠小说一样，有四两拨千斤的作用 8050是日本公司生产的npn硅三极管，一种市面上供货量最多使用量最大的三极管
每日学习一个电路---三极管或mos管做电平转换
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T99886777的博客
09-14 1429
技术本质：不仅要求 “输出高电平≥后级 V_IH（最小输入高电平）”“输出低电平≤后级 V_IL（最大输入低电平）”，还需避免 “过压损坏”（如 3.3V 芯片输入 5V 未转换，可能击穿 IO 口）。示例：5V→3.3V 转换，输出高电平需≥3.3V 芯片的 V_IH（通常 2V）、≤3.3V（避免过压）；输出低电平需≤3.3V 芯片的 V_IL（通常 0.8V）、≥0V。常见误区：仅关注高电平匹配，忽略低电平。
栅极电阻与泄放电阻
kevinhg的博客
10-11 1万+
栅极与源极之间加一个电阻，这个电阻起到什么作用？ 一是为场效应管提供偏置电压；二是起到泻放电阻的作用：保护栅极G-源极S； 第一个作用好理解，这里解释一下第二个作用的原理——保护栅极G-源极S：场效应管的G-S极间的电阻值是很大的，这样只要有少量的静电就能使他的G-S极间的等效电容两端产生很高的电压，如果不及时把这些少量的静电泻放掉，他两端的高压就有可能使场效应管产生误动作，甚至有可能击穿
关于三极管的开关速度
07-17
本文主要讲了一下关于三极管开关速度相关的知识点，希望对你的学习有所帮助。
三极管加快波形速度研究
C_ROOKIES的专栏
02-17 2960
晶体管电子电路中。讲的三极管电路,加速开关速度。 一个在基极电路中并联了一个小的电容，这样做的意思，是加快导通速度。 因为存在一个限流电阻，三极管的基极电路是慢慢增加的，如果并联电容 ，开关瞬间导通， 肖基特二极管导通速度快。 利用二极管钳位，使得三极管不进入深度饱和。这样加快了导通速度。 出来波形前面有缓慢上升的波形，书中解释说的弥勒效应，Ri基级电阻和和三极管寄生电容组...
三极管与mos管区别
duotuoluan3934的博客
12-29 1761
I/O口电压较低，为3.3V或2.5V，一般不会直接控制MOS管(输出电压幅度较小，无法使MOS管完全导通。源取较少电流的情况下，应选用MOS管(电压达到即可，电流可以很小);驱动的，较低的电压就可以驱动三极管，但是三极管需要较大的控制电流;而MOS管是电压驱动的，驱动电压较高，但是驱动的功率小;(3) MOS管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，可用MOS管做整个电子设备的输入级，这是普通三极管很难抵达的性能。会影响它的开关速度，同样用途下，一般三极管比MOS管的速度更快。开关速度的区别：MOS管的栅。
为什么用于开关电源的开关一般用MOS管而不是三极管
HYWS1的博客
12-05 2328
总体而言，MOSFET在开关电源中的应用更为普遍，因为它具有更好的性能和效率，同时还有助于简化电路设计。然而，在一些特殊的应用场景中，三极管仍然可能被选用，例如低频率、低功率的应用。3. 导通时的电压降：MOSFET在导通状态时的电压降较低，这意味着它在导通状态下能够更有效地传导电流，减少导通过程中的功耗。2. 效率：由于MOSFET的开关速度高，它在开关电源中能够更有效地控制电流，从而提高系统的效率。由于其开关速度快，导通时电阻小，减少了功耗，从而减少了散热需求。
浅析MOS管开关速度影响因素-KIA MOS管
树卡花
08-19 1万+
MOS管快速开关 无论N型或者P型MOS管，其工作原理是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。 MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系，使用者无法降低Cin，但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度，MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作
三极管和MOS管作为开关管时如何选择?
07-12
三极管和MOS管都是很常用的电子元器件，两者都可以作为电子开关管使用，而且很多场合两者都是可以互换使用的。三极管和MOS管作为开关管时，有很多相似之处，也有不同之处，那么在电路设计时，两者之间该如何选择呢？...
精选资源
三极管和MOS管做开关管时，一般怎么选择？
01-20
借助这个题目简单介绍一下三极管和MOS管的选型方法。 　三极管是流控型器件，MOS管是压控型器件，两者存在相似之处，在选型时需要考虑耐压、电流等参数。 　1.根据耐压选型 　三极管的集电极C和发射极E之间所能...
三极管和MOS管在做开关电源电路设计中如何区别及选用
07-21
在开关电源电路设计中，三极管和MOS管是两种常见的半导体器件，它们在应用中各有其特点和优势。正确区分和选择合适的器件对于电路的性能和效率至关重要。 首先，我们需要了解三极管的工作原理。三极管是由三个区域...
三极管和MOS管做开关用时的区别
08-04
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
三极管和MOS管应用在开关中怎样区分
08-05
在电子技术领域，三极管和MOS管都是常见的半导体器件，它们在开关应用中扮演着重要角色。本文将深入探讨两者在开关功能上的差异，帮助读者更好地理解这两种器件的特性和应用场景。 首先，从工作性质上看，三极管...
[技术讨论]三极管开关速度的讨论
ic2121的博客
03-17 882
但是减小基极电阻带来的增大的基极电流的效果，就是上图A2和B2的时间变化，基极电流越大，所以B2的时间就越小，这样就可以在关断时候的损耗，也是由好处的。同时由于Q2通道的速度更快，其开通过程的平均功耗也更小，所以三极管在高速应用的场合，可以通过增加基极电流，加快导通速度。上图两个三极管的反相器电路，Q2的基极电流大约是Q1的10倍左右，显然Q2的导通速度要明显快于Q1的导通速度。三极管的导通和关断过程的速度，影响因素又很多，其中关键的因素是基区电荷的存储和释放的速度，而基区电荷的大小和基极电流大小相关。
MOS管驱动设计没那么简单
weixin_42124162的博客
10-09 6051
一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G S两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。 如果不考虑纹波和EMI等要求的话， MOS管 开关速度越快越好，因为开关时间越短，开关损耗越小，而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分，因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。 对于一个MOS管，如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时...
【IC设计基础】MOS管的开关速度和宽长比的关系
weixin_30907935的博客
07-08 7391
当mos管用做开关时，宽长比越大切换速度是越快还是越慢呢?比如开关管a的W/L=10u：1u，开关管b的W/L是1u：1u。a的导通电阻小，b的寄生电容小，那么到底是导通电阻小时切换速度快还是寄生电容小时切换速度快呢? 解答： As W/L increases, Ron decreases and is faster. there is a threshold that when W/L co...
MOS开关速度
weixin_33997389的博客
08-28 1122
电容的选择选nc越大越好 转载于:https://www.cnblogs.com/xiangxiangyuan/p/4767527.html
为什么用于开关电源的开关管一般用MOS管而不是三极管
热门推荐
猪哥的专栏
03-20 2万+
区别： 1.MOS管损耗比三极管小，导通后压降理论上为0。 2.MOS管为电压驱动型，只需要给电压即可，意思是即便串入一个100K的电阻，只要电压够，MOS管还是能够导通。 3.MOS管的温度特性要比三极管好。 MOS管比三极管最大的有点是所需的驱动功率小，用MOS管做电源驱动时，只需要一个驱动电压信号即可，就可以控制很大的电源电流了（几安培到几十安培），控制很方便，如果用三极管，
三极管控制MOS管开关电路
07-30
### 三极管驱动MOS管的开关电路设计及工作原理 在电源管理或功率控制应用中，常使用三极管（如双极型晶体管BJT）来控制MOS管的导通与关断。这种组合电路利用了三极管易于控制的特点以及MOS管高效率、低导通电阻的优势。 #### 电路结构与关键元件作用 在一个典型的三极管控制MOS管的开关电路中，三极管通常作为控制开关，用于控制MOS管的栅极（G极）电压。MOS管的导通状态由其栅极与源极之间的电压（Vgs）决定。当Vgs高于阈值电压时，MOS管导通；反之则关断。 - **三极管Q2**：作为控制元件，其基极（B）由控制信号（Control）驱动，集电极（C）连接至MOS管Q1的G极，发射极（E）接地。 - **MOS管Q1**：作为主开关元件，其漏极（D）接电源+5V_IN，源极（S）接负载或后级电路。 - **电阻R2、R3**：R3用于限制三极管Q2的基极电流，R2则用于控制MOS管Q1的栅极充放电速度。 - **电容C1**：用于实现MOS管的软开启（Soft Start），通过R2充放电控制Vgs的变化速率。 #### 工作原理 ##### 上电完成且Control为高电平 1. 三极管Q2的基极电压为0.7V，基极电流Ibe为：（3.3V - 0.7V）/ 基极电阻R3 = 0.26mA。 2. 三极管Q2饱和导通，Vce ≈ 0。电容C1通过电阻R2充电，C1与G极相连端的电压由5V缓慢下降到0V，导致Vgs电压逐渐增大。 3. MOS管Q1的Vgs缓慢增大，令其缓慢打开直至完全打开。最终Vgs = -5V。 4. 利用电容C1的充电时间实现了MOS管Q1的缓慢打开（导通），实现了软开启的功能。 ##### 上电完成且Control为低电平 电源完全打开后，+5V_OUT输出为5V电压。此时将Control设为低电平，三极管Q2关闭，电容C1与G极相连端通过电阻R2放电，电压逐渐上升到5V，起到软关闭的效果。软关闭一般不是我们想要的，过慢地关闭电源，可能出现系统不稳定等异常[^1]。 #### 电路设计要点 - **驱动能力**：三极管的驱动能力需足够强，以确保MOS管能够快速导通和关断。驱动电流的大小和电阻取值有直接的关系。 - **软启动设计**：通过电容C1和电阻R2的组合，可以控制MOS管的导通速度，避免电流冲击。 - **保护措施**：考虑到MOS管的栅极对静电敏感，设计时应加入适当的保护电路，如栅极与源极之间的稳压二极管。 #### 示例电路 以下是一个简单的三极管控制MOS管的开关电路示例： ```c // 假设R1为10欧姆，当G点为0V时，流过MOS管G极的I=U/R，压差U=15-0=15V，因此I=1.5A=1500mA； // 当G点电压上升为15V时，流过MOS管G极的电流I=0。 // 因此当电阻两端压差为0V时，没有驱动电流，此时MOS管在电压保持平台期，为电压驱动的。 // 驱动电流的大小和电阻取值有直接的关系。 ``` 通过上述设计，可以有效地利用三极管控制MOS管的开关状态，实现高效、稳定的电源管理功能。
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