三极管和MOS管开关速度谁快呀

最新推荐文章于 2025-05-21 17:24:28 发布
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原文链接：http://bbs.elecfans.com/jishu_241849_1_1.html

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mos管上有等效电容的存在，所以开关时间比三极管长，三极管速度最快。 
但也有的说三极管存在状态转换，例如开到关，即饱和到截至，PN结的感应电和需要恢复到平衡状态，所以开关速度比MOS管较慢，MOS管常用于高速电路
就分立元件而言，是三极管的速度快，一般的产品目录上三极管都标注其带宽，而MOS管都不标注带宽或相应时间等和速度相关的参数。
有些三极管的数据手册中给出上升时间、下降时间或导通时间、截止时间，这就是它的开关速度参数

jacksong2021
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浅析MOS管开关速度影响因素-KIA MOS管
树卡花
08-19 1万+
MOS管快速开关 无论N型或者P型MOS管，其工作原理是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。 MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系，使用者无法降低Cin，但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度，MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作
三极管和MOS管做开关管时，一般怎么选择？
01-20
借助这个题目简单介绍一下三极管和MOS管的选型方法。 　三极管是流控型器件，MOS管是压控型器件，两者存在相似之处，在选型时需要考虑耐压、电流等参数。 　1.根据耐压选型 　三极管的集电极C和发射极E之间所能...
为什么用于开关电源的开关一般用MOS管而不是三极管
HYWS1的博客
12-05 1972
总体而言，MOSFET在开关电源中的应用更为普遍，因为它具有更好的性能和效率，同时还有助于简化电路设计。然而，在一些特殊的应用场景中，三极管仍然可能被选用，例如低频率、低功率的应用。3. 导通时的电压降：MOSFET在导通状态时的电压降较低，这意味着它在导通状态下能够更有效地传导电流，减少导通过程中的功耗。2. 效率：由于MOSFET的开关速度高，它在开关电源中能够更有效地控制电流，从而提高系统的效率。由于其开关速度快，导通时电阻小，减少了功耗，从而减少了散热需求。
关于三极管的开关速度
07-17
本文主要讲了一下关于三极管开关速度相关的知识点，希望对你的学习有所帮助。
MOS各个参数详解
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m0_57562444的博客
05-21 1402
VDSon/RDSon 随着结温的升高而略有增大的特性使得 MOSFET 的直接并联使用变得可能.双极型器件在此方面恰好相反,故其并联使用变得相当复杂化. RDSon 也会随着 ID 的增大而略有增大,这一特性以及结和面 RDSon 正温度特性使得 MOSFET 避免了象双极型器件那样的二次击穿. 额定电压高的MOS有更高的RDS正温度特性。开启电压(阀值电压)。MOSFET 是电压型驱动器件，驱动的过程就是栅极电压的建立过程，这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的，下面将有此方面的详细论述。
三极管与mos管区别
duotuoluan3934的博客
12-29 1584
I/O口电压较低，为3.3V或2.5V，一般不会直接控制MOS管(输出电压幅度较小，无法使MOS管完全导通。源取较少电流的情况下，应选用MOS管(电压达到即可，电流可以很小);驱动的，较低的电压就可以驱动三极管，但是三极管需要较大的控制电流;而MOS管是电压驱动的，驱动电压较高，但是驱动的功率小;(3) MOS管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，可用MOS管做整个电子设备的输入级，这是普通三极管很难抵达的性能。会影响它的开关速度，同样用途下，一般三极管比MOS管的速度更快。开关速度的区别：MOS管的栅。
三极管和MOS管做开关用时的区别
河北正定欢迎您-少占鱼
10-23 1885
硬件电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别工作性质：     1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。    2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。     3、功耗问题：三极管损耗大。     4、驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。     实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。     MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基
[技术讨论]三极管开关速度的讨论
ic2121的博客
03-17 325
但是减小基极电阻带来的增大的基极电流的效果，就是上图A2和B2的时间变化，基极电流越大，所以B2的时间就越小，这样就可以在关断时候的损耗，也是由好处的。同时由于Q2通道的速度更快，其开通过程的平均功耗也更小，所以三极管在高速应用的场合，可以通过增加基极电流，加快导通速度。上图两个三极管的反相器电路，Q2的基极电流大约是Q1的10倍左右，显然Q2的导通速度要明显快于Q1的导通速度。三极管的导通和关断过程的速度，影响因素又很多，其中关键的因素是基区电荷的存储和释放的速度，而基区电荷的大小和基极电流大小相关。
三极管和MOS管作为开关管时如何选择?
07-12
三极管和MOS管都是很常用的电子元器件，两者都可以作为电子开关管使用，而且很多场合两者都是可以互换使用的。三极管和MOS管作为开关管时，有很多相似之处，也有不同之处，那么在电路设计时，两者之间该如何选择呢？...
三极管和MOS管在做开关电源电路设计中如何区别及选用
07-21
在开关电源电路设计中，三极管和MOS管是两种常见的半导体器件，它们在应用中各有其特点和优势。正确区分和选择合适的器件对于电路的性能和效率至关重要。 首先，我们需要了解三极管的工作原理。三极管是由三个区域...
三极管和MOS管应用在开关中怎样区分
08-05
在电子技术领域，三极管和MOS管都是常见的半导体器件，它们在开关应用中扮演着重要角色。本文将深入探讨两者在开关功能上的差异，帮助读者更好地理解这两种器件的特性和应用场景。 首先，从工作性质上看，三极管...
MOS管驱动设计没那么简单
weixin_42124162的博客
10-09 5532
一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G S两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。 如果不考虑纹波和EMI等要求的话， MOS管 开关速度越快越好，因为开关时间越短，开关损耗越小，而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分，因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。 对于一个MOS管，如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时...
【IC设计基础】MOS管的开关速度和宽长比的关系
weixin_30907935的博客
07-08 7159
当mos管用做开关时，宽长比越大切换速度是越快还是越慢呢?比如开关管a的W/L=10u：1u，开关管b的W/L是1u：1u。a的导通电阻小，b的寄生电容小，那么到底是导通电阻小时切换速度快还是寄生电容小时切换速度快呢? 解答： As W/L increases, Ron decreases and is faster. there is a threshold that when W/L co...
MOS开关速度
weixin_33997389的博客
08-28 1097
电容的选择选nc越大越好 转载于:https://www.cnblogs.com/xiangxiangyuan/p/4767527.html
场效应与三极管 电路标识符_你知道场效应管的源极和漏极可以调换吗？
weixin_39834780的博客
11-04 349
关于场效应管的源极和漏极，你知道它们可以互换使用吗?我们在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别工作性质： 1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。 2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。 3、功耗问题：三极管损耗大。 4、驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。 实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开...
电平转换电路的分析-MOS管、三极管
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weixin_39671078的博客
01-02 2万+
电平转换电路在电路设计中会经常用到，市面上也有专用的电平转换芯片，专用的电平转换芯片主要是其转换速度较快，多使用在速度较高的通讯接口，一般对速度要求不高的控制电路，则可使用此文介绍的分立器件搭建的电平转换电路。 1、NPN三极管 下图使用NPN三极管搭建的电平转化电路属于单向的电平转换 信号发生器：3.3V，10k，50%，方波 注意事项：（1）该电路的信...
MOS管与三极管比较及应用
fangniu2223的博客
12-23 9466
学习MOS管与三极管过程中根据其余文章的一些摘录笔记
开关控制元器件光耦，三极管，MOS管，继电器
UltramanCOMS的博客
08-17 6934
光耦合器（opticalcoupler equipment，英文缩写为OCEP） 称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。 它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管，光敏电阻）封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接收光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”控制。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器，由于它具有体积小、寿命长、无触点，抗干扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号等优点，在数字电路上获得广泛的
三极管和mos管导通速度
04-25
### 三极管与MOS管导通速度差异的原理分析 #### 工作机制对比 三极管（BJT）和MOS管（FET）作为两种常见的半导体器件，在工作机制上有显著区别。三极管是一种电流控制型器件，其基极电流决定了集电极电流的变化；而MOS管则属于电压控制型器件，通过栅极电压来调节漏极和源极之间的电阻状态。 在相同的特征尺寸下，MOS管通常具有更快的开关速度[^1]。这是因为MOS管的操作依赖于电场效应形成的沟道，当栅极施加足够的电压时，会在绝缘层下方迅速建立一条导电路径，从而实现快速开启或关闭的状态切换。相比之下，三极管需要一定的时间让载流子注入到发射结并扩散至集电区，这一过程涉及较多的动态响应时间，因此整体反应较慢。 #### 载流子传输特性 进一步来看，MOS管内部主要依靠单一类型的多数载流子进行传导，这使得它的延迟时间和功耗都相对较低。特别是NMOS管因其电子迁移率高于空穴的缘故，在实际应用中表现出更好的性能表现[^1]。而对于双极性晶体管来说，则既涉及到少数也包括多数载流子参与运作流程，增加了复杂度同时也延长了相应周期。 另外值得注意的是,P-MOS相较于N-MOS存在额外劣势——前者因为空穴移动速率不及后者,所以即使两者处于同一技术水平条件下制造出来的产品里,N-MOS依旧占据主导地位成为设计首选方案之一[^1]. #### 上升沿与下降沿的区别 具体而言,MOS结构下的输出波形往往呈现出不对称现象:由于前面提到过的不同材料属性影响所致的结果就是—对于同样规格参数设定好的电路环境当中,"0"转"1"(即上升边缘部分)所需耗费时段普遍会长过由"1"变回"0"(也就是下降边缘片段)[^1]. 这种情况可能导致某些特定场景下面临更多干扰风险. ```python # 示例代码展示简单的模拟信号处理逻辑 def process_signal(input_voltage): threshold = 2.5 # 设定阈值电压 if input_voltage >= threshold: output_state = 'High' # 对应 NMOS 开启状态 else: output_state = 'Low' # 对应 PMOS 或者截止状态 return output_state ``` 此函数简单演示了一个基于输入电压判断高低电平转换的过程，虽然并不直接体现两者的速度差别，但它可以帮助理解如何依据不同的物理特性和操作条件来进行选择适合的应用场合。 ---
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