OTP(OneTimeProgrammable)开发之工程经验

本文分享了作者在OTP开发中的实践经验,包括测试程序的重要性、IIC读写EEPROM的故障排除、开漏输出的注意事项、电池项目低电管理、大电流处理的案例分析以及应对意外出错的策略。通过这些实例,作者强调了在开发过程中考虑实际器件特性、电源稳定性及异常情况处理的重要性。

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前言

这个篇目写的是我做工程这么久,对于单片机的理解,对于项目功能的理解。不一定全部正确,写下来是对自己工作的总结归纳,希望对有需要的人有帮助。

测试程序

测试程序的意义在于测试硬件,是不是都达标。软件测试不在这一步,所以测试低电不是测试这个寄存器有没有效,更重要的是这条线路有没有通,有没有电压衰减。

IIC读写EEPROM出错

IIC读写EEPROM有时候出错,是因为中断占用时间太长,导致EEPROM非应答了,提高IIC速度,关闭中断,能避免这种问题。EEPROM也有坏的,表现为可读不可写。正常的EEPROM,用硬件IIC读写超400万次。

开漏输出,漏不漏电

开漏输出是为了比配电平,但是注意,开漏口理论是不会漏电的。由于单片机结构,IO内部是可能漏电的。当电平处于MCU认为的中间状态,存在于IO口上两个MOS管同时导通,虽然施密特触发读得时候逻辑电平不变,但是有漏电。这里不能把MCU当成理想器件,IO可能处于中间状态。下面附一张图,可能更好理解中间状态。

各种端口选择
图中SMC 中0.3VDD – 0.7VDD就是中间状态。

电池项目,对低电的管理

电池项目最好检测两级低电,形成互锁,低于2.7V就不能操作,

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