xehagy的博客

本文探讨了MOSFET栅极驱动设计的关键要点。首先指出低速信号可直接驱动，而高频应用需重点考虑驱动能力、开关损耗等问题。设计要点包括：提供足够驱动电流确保快速导通/关断、抑制振荡、隔离保护等。详细介绍了变压器驱动和光耦隔离两种方案，并给出防护电路示例。重点分析了栅极电阻对开关速度的影响及故障预防措施，包括添加栅源电容、米勒钳位电路和使用负电源驱动等方案，特别强调在安全关键领域必须防止寄生开通现象。文中配有多幅电路图辅助说明设计原理。

摘要：米勒平台指MOS管开通过程中栅极-漏极电压Vgs的稳定期，而米勒效应是寄生电容导致的瞬态现象，会增加开关损耗。NMOS的驱动过程分为四个阶段：截止区、饱和区（含米勒平台）、完全导通区。理解沟道从夹断到导通的变化是关键，教材与实际开关过程的顺序差异容易造成混淆。米勒效应虽无法消除，但可通过措施减小平台影响。