xehagy的博客

本文探讨了MOSFET栅极驱动设计的关键要点。首先指出低速信号可直接驱动，而高频应用需重点考虑驱动能力、开关损耗等问题。设计要点包括：提供足够驱动电流确保快速导通/关断、抑制振荡、隔离保护等。详细介绍了变压器驱动和光耦隔离两种方案，并给出防护电路示例。重点分析了栅极电阻对开关速度的影响及故障预防措施，包括添加栅源电容、米勒钳位电路和使用负电源驱动等方案，特别强调在安全关键领域必须防止寄生开通现象。文中配有多幅电路图辅助说明设计原理。

摘要：米勒平台指MOS管开通过程中栅极-漏极电压Vgs的稳定期，而米勒效应是寄生电容导致的瞬态现象，会增加开关损耗。NMOS的驱动过程分为四个阶段：截止区、饱和区（含米勒平台）、完全导通区。理解沟道从夹断到导通的变化是关键，教材与实际开关过程的顺序差异容易造成混淆。米勒效应虽无法消除，但可通过措施减小平台影响。

彼时江湖电子法器皆仗真空管，然其体若巨鼎，能耗如饕餮，稍有不慎便焚身成灰。幸得巴丁、布拉顿、肖克利三位奇侠，以金针点穴之术，在吾身雕琢两枚金触点，创出。1954年，德州仪器门人用硅重塑吾身，耐热功力倍增，从此硅基一脉独霸江湖。可谓无形无相，却无处不在。可谓风云激荡，吾潜心修炼，遇山开山，东西合璧，终究打下这半导体的一片天。从贝尔实验室的惊鸿一现，到万物互联的今天，三极管一直以来所做无非两样，或模拟放大或数字开关——此物初现时，仅能放大音频，却已惊动天下——功耗不及真空管百分之一，身形更似米粒！

本篇就针对最近看的几篇文章进行一个汇总，希望能对大家有所帮助。希望多多点赞关注！

TVS器件的选型不仅是参数匹配的数学问题，更是电磁兼容性与电路动态响应特性的综合博弈。本文通过浪涌电流计算、钳位电压验证及多级防护策略，系统化解析了TVS选型考量的因素。

以SGM706B为例进行对看门狗电路的设计分析

本文搭建了一个以PMOS为核心的分离式缓启电路，并对上下电过程做了简单分析，并以此为例做了一些器件的选型。

最近在做一些芯片选型的工作，突然想到了一个困扰已久的问题——芯片驱动能力对输入和输出究竟有哪些影响，其涉及带载能力又是什么？于是就决定以一款光耦的选型为例，查查资料汇总一下以供后续参考。高速光耦在选好型号后还要进行具体电路的搭建，包括根据输入电压确定输入侧的阻值、功率以及确保输出侧能够达到芯片管脚的要求，尤其是评估驱动能力来确定是否需要额外增加驱动电路。而所谓的驱动能力有两点要十分关注，一是驱动电流能否达到，二是能否支持信号边沿速率。