stm32篇--内置flash

最新推荐文章于 2024-07-25 17:34:05 发布

原创

最新推荐文章于 2024-07-25 17:34:05 发布 · 8k 阅读

1 ·

CC 4.0 BY-SA版权

本文介绍了STM32内置Flash的结构，包括主存储块和信息块的用途，以及编程规则。强调了Flash操作需遵循的"先擦除后写入"原则，并以16位半字为单位进行写入。示例代码展示了如何进行Flash的写入和读取字符串操作，以实现数据存储。

stm32自带内置flash，我对内置flash研究不多，曾试过隔2k内还是一块，不明原因。
stm32的FLASH分为主存储块和信息块。主存储块用于保存具体的程序代码和用户数据，信息块用于负责由stm32出厂是放置2KB的启动程序（Bootloader）和512B的用户配置信息区。
主存储块是以页为单位划分的，一页大小为1KB。范围为从地址0x08000000开始的128KB内。
对Flash 的写入操作要 “先擦除后写入”的原则；
stm32的内置flash 编程操作都是以页为单位写入的，而写入的操作必须要以16位半字宽度数据位单位，允许跨页写，写入非16位数据时将导致stm32内部总线错误。
进行内置flash读写时，必须要打开内部Rc振荡器。
下面是我用到的网络上的一个例子，改一下就可以用了：
#define FLASH_ADR 0x08008000 //要写入数据的地址

union union_temp16
{
unsigned int un_temp16;
unsigned char un_temp8[2]; // example 16: 0x0102 8:[0]2 [1]1
}my_unTemp16;

configStruct myConf =
{
"cmnet",
"\0",
"\0",
"201.2.2.2",
"9002",
{
"test123","\0","\0"
}
};