mos管GS之间的电阻的作用?

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本文探讨了MOS管驱动电路中特定电阻的作用，解释了为何在没有驱动信号时MOS管可能会意外导通，并说明了该电阻如何防止这种情况发生。
在mos管的驱动电路里,某些场合下,会看到这个电阻,在某些场合中,又没有这个电阻.这个电阻的值比较常见的为5k,10k.但是这个电阻有什么用呢?
在分析这个问题之间,可以做一个简单的实验:找一个mos管,让它的G悬空,然后在DS上加电压,结果是怎样?结果是在输入电压才几十V的时候,管子就烧掉了,因为管子导通了.
为什么mos管在没有加驱动信号的前提下会导通,那是因为管子的DG,GS之间分别有结电容,Cdg和Cgs.所以加在DS之间电压会通过Cdg给Cgs充电,这样G极的电压就会抬高直到mos管导通.
所以在驱动电路没有工作,而且没有放电回路的时候,mos管很容易被击穿.假如采用变压器驱动,变压器绕组可以起到放电作用,所以即使不加GS电阻,在驱动没有的情况下,管子也不会自己导通
mos管gs加电容的作用
07-20
本文主要介绍了一下关于mos管gs加电容的作用，一起来学习一下吧
MOS管驱动电阻怎么选择？
07-17
MOS管需要一个合适的驱动电阻来确保其能够高效且安全地工作。驱动电阻的选择会影响开关速度、功耗以及电路的稳定性等多个方面。本文将深入探讨如何选择MOS管的驱动电阻。 首先，需要了解MOS管的基本参数。MOS管的...
为什么MOS管G-S极要并电阻？
VBsemi的博客
10-11 475
驱动电路失效（如芯片未工作、输出高阻态）时，D-S 间电压会通过米勒电容（Cgd）给 G-S 电容（Cgs）充电，若栅极电压（Vgs）超过阈值（Vth），MOS 管会意外导通，可能烧毁器件。常规推荐 5–20kΩ（常见 5kΩ、10kΩ），高静电或高噪声环境可选更小阻值。当驱动信号消失（如前级开路），电阻将栅极电位固定为源极电平（Vgs=0），避免因电荷残留导致关断延迟或半导通状态。在MOS管G极和S极两端并联一个几K的电阻，常称下拉电阻或泄放电阻，那么这个电阻有什么作用呢？2.避免误触发和误导通。
MOS管GS两端并联阻容的作用分析
热门推荐
xtmtm的博客
12-06 1万+
为何MOS管驱动电路gs两端会并接一个电阻（下拉电阻）？ 图1 MOS管驱动等效电路 仿真分析 如图所示MOS管驱动电路，定性分析可知，当MOS管关断时，MOS管两端应力为Vds，此时Vds向Cgd和Cgs充电，可能导致Vgs达到Vgs(th)导致MOS管误导通。 以英飞凌MOS管IMZA65R048M1H为例，相关寄生参数为 设此时应力Vds为600V，Cgs两端电压为 此时Vgs已经达到，管子开启电压Vgs(th) 如果Cgs两端并接电阻R=10k 此时Vgs会慢慢降为0，Vds基本落在Cgd两端
MOS管G极与S极之间的电阻作用
qq_58845450的博客
11-28 2134
MOS管G极与S极之间的电阻作用
MOS管前的电阻的作用
xuhao0258的博客
06-28 3921
首先看看管子： 驱动电路示意：   首先要明确一个概念，模拟电路不是软件编程、非 0 即 1，而是一个连续变化的过程。无论是电容上的电压还是电感上的电流，都不能突变，否则将产生灾难性的后果。上跳沿和下降沿并不是越陡峭越好，有时候在设计中甚至故意添加一些电阻让上升下降沿变得平缓以保护元器件。当然，如果你能在确保安全的情况下，尽可能能地提高上升下降沿的频率的话，你就是模电设计高手了。   先来看 R17，它有三个作用，其一是防止震荡，其二是减小栅极充电峰值电流，其三是保护 NA-场效应管的 D-S 极不被击
MOS管开关电路栅极为什么要串接电阻
谢谢关注“小鱼教你模数电”,各平台同号
08-29 5305
所以MOS管开关电路就等效于这个LC低通滤波电路，它的增益频率曲线是这样的，在谐振点频率附近会产生很高的增益，而驱动信号又是频率分量非常丰富的阶跃信号，必定有谐振频率点附近的信号，所以很容易产生谐振，从而在MOS管栅极产生振荡。MOS管的驱动信号一般是一个阶跃信号，频率分量非常丰富，而驱动芯片到MOS管的走线存在寄生电感，MOS管内部电极引线也会有电感， 并且MOS管的极间是存在寄生电容的。在MOS管开关电路或者驱动电路中，常常会在MOS管的栅极串接一个电阻。串接电阻的阻值增大，谐振频率点增益减小。
什么是 MOS 管的 GS 波形？
07-13
IC出来的波形正常，到C1两端的波形就有振荡了，实际上这个振荡就是R1,L1和C1三个元器件的串联振荡引起的，R1为驱动电阻，是我们外加的，L1是PCB上走线的寄生电感，C1是mos管gs的寄生电容。对于一个RLC串联谐振电路，...
mos管gs并联电容器的作用
最新发布
11-10
MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是现代电子电路中常用的电力控制元件，它具有输入阻抗高、噪声低、开关速度快等特点，在模拟电路和数字电路中都有广泛应用。...总结起来，MOS管GS端（栅极与源极）之间加电容的主
深度解析MOS管的GS波形
01-20
　我们测试MOS管GS波形时，有时会看到下图中的这种波形，在芯片输出端是非常好的方波输出。但一旦到了MOS管的G极就出问题了，有振荡，这个振荡小的时候还能勉强过关，但是有时候振荡特别大，看着都教人担心会不会...
MOS管启动电阻计算.pdf
09-27
实际使用中还要考虑 MOSFET 栅漏极还有 个电容 Cgd 的影响，MOSFET ON 时 Rg 还要对 Cgd 充电，会改变电压上升斜率，OFF 时 VCC 会通过 Cgd 向 Cgs 充电，此时必须保证 Cgs 上 的电荷快速放掉，否则会导致 MOSFET 的异常 导通。
直流电源MOS管GS之间的电阻有什么用呢？
01-25 3082
　　跨接直流电源MOS管GS之间的电阻的实际作用在于直流电源MOS管GS的驱动电路。这种阻力可能存在也可能不存在。常用值是5k和10k，但是这个电阻的目的是什么? 直流电源MOS管GS之间的电阻有什么用呢？ 　　在分析此问题之前，您可以做一个简单的实验。 　　找到DC MOS管，将其悬停在G上，然后向DS添加电压。结果将是什么?如果输入电压只有几十伏，则表明灯管已打开并且灯管烧毁。 　　为什么在不添加驱动信号的情况下导通MOS管?这是因为在管中的DG和GS以及Cdg和Cgs之间存在接电容。因此，在
MOS管栅极串并联电阻作用
xianghbo的博客
05-02 7837
我们经常看到，在电源电路中，功率MOS管的G极经常会串联一个小电阻，几欧姆到几十欧姆不等，那么这个电阻用什么作用呢？如上图开关电源，G串联电阻R13这个电阻的作用有2个作用：限制G极电流，抑制振荡。MOS管是由电压驱动的，是以G级电流很小，但是因为寄生电容的存在，在MOS管打开或关闭的时候，因为要对电容进行充放电，所以瞬间电流还是比较大的。特别是在开关电源中，MOS管频繁的开启和关闭，那么就要更要考虑这个带来的影响了。当开启mos管为结电容充电瞬间，驱动电路电压源近似短接到地，当驱动电路。
MOS管的几个电阻的作用
gtkknd的专栏
09-01 1万+
MOS管驱动电路设计及其中电阻的作用
Wangwenshuaicsdn的博客
01-29 1万+
MOS管驱动电路学习
MOS管GS极间并电容作用
D1557329860的博客
07-22 1287
原因在于电容的电压变化不能瞬时发生，C1在上电瞬间维持电压为0，从而钳制Vgs在接近0V，避免晶体管误导通。这是利用电容的基本性质在电路设计中实现“软启动”或“防误导通”的一种常用技巧。简而言之，在上电瞬间，C1起到防止误导通的作用，随后逐步充电，电路变得稳定，进入正常工作状态。这样的设计在很多控制电路中都非常常见，用于实现平滑启动，保护元件，避免瞬间冲击。
总算搞明白MOS管GS极电阻作用
qq_45508321的博客
03-01 5802
总算搞明白MOS管GS极电阻作用，希望对你有用。
mos管GS之间的跨接的电阻的真正作用
xp562870732的博客
08-15 4961
在mos管的驱动电路里,某些场合下,会看到这个电阻,在某些场合中,又没有这个电阻.这个电阻的值比较常见的为5k,10k.但是这个电阻有什么用呢? 在分析这个问题之间,可以做一个简单的实验: 找一个mos管,让它的G悬空,然后在DS上加电压,结果是怎样?结果是在输入电压才几十V的时候,管子就烧掉了,因为管子导通了. 为什么mos管在没有加驱动信号的前提下会导通,那是因为管子的DG,GS之间分别有结电容,Cdg和Cgs.所以加在DS之间电压会通过Cdg给Cgs充电,这样G极的电压就会抬高直到mos管导通. 所以
MOS管gs之间电阻换成电容
07-07
<think>嗯，用户这次的问题是关于MOS管GS极间电阻替换为电容的技术分析。从用户引用的资料来看，ta应该具备一定的电子电路基础，特别是对MOS管的结构和工作原理有基本了解。用户可能正在设计开关电源或功率驱动电路，遇到了开关速度或功耗优化的问题。 用户引用的资料很有价值：引用[1]说明了MOS管的高输入阻抗特性，引用[2]详细解释了衬底调制效应和背栅效应，引用[3]提到调零电阻技术，引用[4]则涉及栅极驱动电路设计。这些恰好是分析GS间电容替代电阻的理论基础。 需要重点分析几个维度：首先是电容对直流偏置的影响——MOS管需要稳定的栅极电压才能正常工作，电阻提供的直流偏置路径被电容阻断后可能导致栅极浮空。其次是瞬态响应特性：电容会改变米勒平台的形成过程，既可能加速导通（通过提供瞬时电流路径），又可能延缓关断（电荷无处释放）。最后还要考虑寄生参数的影响，比如电容与栅源电容并联可能引发LC振荡。 特别要注意引用[2]提到的衬底调制效应：当栅极电压不稳定时，vBS的变化会通过背栅跨导gmb影响漏极电流，这在开关过程中可能导致电流波动。而引用[4]的关断电路设计原理正好相反——它用二极管加速放电，换成电容反而会阻碍放电。 应用场景方面，这种结构在特定场合确实有用武之地。比如射频匹配电路（利用电容的阻抗频率特性）或某些需要隔直的级联放大电路，但必须配合其他元件解决直流偏置问题。开关电源中若想尝试这种设计，可能需要像引用[3]那样增加调谐网络来补偿相位变化。 用户可能没意识到的是ESD风险：传统GS电阻能泄放静电，换成电容后栅极易被静电击穿。这在实际工程中是个致命问题，必须在回复中强调防护措施。</think>将MOS管栅源极(GS)之间的电阻替换为电容会显著改变电路的工作特性，其影响和应用需结合MOS管的工作原理深入分析： --- ### **一、核心影响分析** 1. **直流工作点破坏（关键问题）** - **电阻的作用**：提供直流偏置路径，稳定栅极电压 ($V_{GS}$)，确保MOS管工作在饱和区或截止区（如：$V_{GS} > V_{th}$ 开启NMOS）[^1][^2]。 - **电容的后果**：电容隔断直流，导致栅极**浮空**，$V_{GS}$ 受寄生漏电流或噪声干扰漂移，可能使MOS管**误开启**或**工作点失控**。 2. **瞬态响应特性改变** - **开关速度**： - **导通加速**：电容在导通瞬间提供低阻抗路径，加速栅极充电（$i_C = C \frac{dV_{GS}}{dt}$），减少开通延迟。 - **关断延迟**：电容储存的电荷需通过外部驱动电路泄放（无电阻通路），关断时间显著增加（图1）。 - **米勒效应加剧**： $$C_{GD} \text{（米勒电容）} + C_{ext} \text{（外加电容）}$$ 增大等效输入电容，导致开关损耗上升，可能引发**振荡**（尤其驱动能力不足时）[^4]。 3. **高频特性与稳定性** - **谐振风险**：电容与栅极电感（走线寄生）形成**LC谐振电路**，在特定频率（$f_r = \frac{1}{2\pi\sqrt{LC}}$）下自激振荡。 - **稳定性补偿**：特定场景下，可配合串联电阻构成**RC网络**，用于相位补偿（如抑制寄生振荡）[^3]。 --- ### **二、典型应用场景** 1. **加速电容技术（开关电路优化）** - **结构**：电容 **并联** 原GS电阻（图2），保留直流偏置路径。 - **原理**： - 导通时：电容短路，瞬间大电流驱动栅极，加速开启。 - 稳态时：电阻维持 $V_{GS}$，电容充电完毕视为开路。 - **应用**：开关电源、电机驱动等对开关速度要求高的场合[^4]。 2. **射频匹配电路** - **隔直与阻抗匹配**：GS间电容可阻隔直流，同时与栅极输入电容协同设计，实现特定频段的**阻抗匹配**（如LNA设计）。 3. **噪声滤波** - **高频噪声抑制**：电容对高频噪声呈低阻抗，可分流栅极噪声电流（需配合电阻使用，避免浮空）。 --- ### **三、关键设计建议** 1. **避免单独替换**： 电容**不可直接替代电阻**，必须保留直流偏置路径（如并联电阻或使用有源偏置）。 2. **关断路径设计**： 添加**泄放二极管**（如快恢复二极管）或**小阻值电阻**，确保关断时电容电荷快速释放（图1）[^4]。 3. **ESD防护**： 栅极浮空易受静电损伤，需增加TVS二极管或栅源钳位电路。 --- ### **电路示意图** **图1：电容关断延迟问题** ``` +V_drive │ ├─┬─驱动IC │ │ │ D1（快恢复二极管） │ │ └─┼───●─── G │ MOS C_ext │ │ │ │ R_g2┴ ┴ S 地 ``` > *说明*：D1为关断提供低阻路径，R_g2限流；无此结构时关断延迟显著。 **图2：加速电容正确用法** ``` +V_drive │ ├─┬─驱动IC │ │ │ R_g1 │ │ └─┼───●─── G ├─C_acc │ R_g2┴ MOS 地 ┴ S ``` > *说明*：C_acc加速开启，R_g1+R_g2维持直流偏置。 --- ### **总结** | **参数** | **GS电阻** | **GS电容** | **解决方案** | |----------------|------------|------------------|----------------------| | **直流偏置** | 稳定 | 浮空失效 | 并联电阻或主动偏置 | | **开通速度** | 较慢 | 极快（瞬时） | 加速电容并联电阻 | | **关断速度** | 可控 | 延迟严重 | 增加泄放二极管 | | **高频振荡** | 风险低 | 风险高（LC谐振） | 串联阻尼电阻 | > **应用原则**：电容在GS间需作为**辅助元件**，与电阻协同设计，不可孤立替代。实际应用中需结合驱动能力、开关频率及EMI要求综合优化[^2][^4]。 ---
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