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memory repair
最爱干饭了
这个作者很懒,什么都没留下…
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Memory Repair (一)
参考来源:Tessent™ MemoryBIST User’s Manual, v2023.4。原创 2025-05-27 10:17:08 · 928 阅读 · 0 评论 -
Memory Repair (二)
本节介绍如何在 circuit 中插入 repair logic。重点是插入 BISR 逻辑。只要内存库文件中存在 RepairAnalysis 包装器,并且该实例的 repair_analysis_present 属性未设置为 “Off”,就会在内存 BIST 逻辑(控制器和接口)的其余部分同时为内存实例生成 BIRA 逻辑。原创 2025-05-29 17:59:34 · 1231 阅读 · 0 评论 -
Memory Repair (三)
本节涵盖编程、顶层(内置自修复)验证以及生产测试的生成。原创 2025-06-10 18:11:47 · 1051 阅读 · 0 评论 -
Memory Repair (四)
摘要:本文介绍了Tessent Shell Memory BIST中BISR链的完整测试方法。标准BISR实现仅测试修复连接的必需部分,但高可靠性系统需要全面测试所有连接,包括BIRA寄存器间的数据和控制信号连接。通过设置include_repair_chain_test属性可启用测试,算法采用棋盘格模式检测固定和短路故障。测试分为通用步骤(适用于所有存储器)和附加步骤(针对串行接口和共享总线存储器),涵盖移位路径、复位、使能信号及数据传输验证。层次化验证方法优化了signoff阶段的效率,未知值会被自动屏原创 2025-06-11 11:59:45 · 807 阅读 · 0 评论 -
Memory Repair (五)
摘要:BISR控制器采用基于零计数和修复数据的压缩算法存储修复信息,通过Opcode标识字类型。fusebox组织方式包括单链和多电源域组处理,支持硬增量修复和指针复用优化。CompressBisrChain脚本可用于外部编程场景,通过复用指针减少fuse用量,但会增加制造流程复杂度。该脚本读取仿真日志和配置文件,生成测试步骤文件用于fusebox编程、读取和BISR链操作。制造流程包含预修复测试、修复判断、BISR链访问和fusebox编程等步骤,需配合TAP访问模式实现自动化操作。原创 2025-06-12 17:24:30 · 601 阅读 · 0 评论 -
Memory Repair (六)
可以采用增量修复(incremental repair)来提高制造良率或避免昂贵的现场系统维修。增量修复分为两种形式:软增量修复(soft incremental repair)和硬增量修复(hard incremental repair)。由于允许将BISR寄存器内容传输至BIRA寄存器的连接始终存在并支持增量修复,因此无需特别指定启用软增量修复的选项。原创 2025-06-18 11:03:20 · 768 阅读 · 0 评论 -
Memory Repair (七)
摘要:RepairSharing技术通过在多个内存块间共享BIRA和BISR硬件,有效降低了内存修复对芯片面积和上电时间的影响。该技术适用于行/列/混合修复类型的内存,实现条件包括:修复类型一致、冗余资源尺寸相同、物理地址映射兼容等。应用时需权衡面积优化与潜在良率损失(组内任一内存故障将消耗整个组的备用资源)。实施流程包括设计细化后启用修复共享、创建DFT规范、配置修复组等步骤。BISR寄存器位置由修复组内存储器的公共祖先模块决定,组内共享的BISR寄存器长度在注释文件中统一标注。该技术特别适用于含大量内存原创 2025-06-18 17:43:15 · 1027 阅读 · 0 评论 -
Memory Repair (八)
本文介绍了一种快速BISR加载技术及其实现方案,该技术通过硬件修改优化存储器修复流程。主要内容包括: 快速BISR加载架构通过并行总线直接连接BISR寄存器与fusebox接口,相比传统串行加载显著提升上电速度。该方案要求fusebox具备足够存储容量且支持并行修复接口。 实现方法包含多路复用器设计,支持并行/串行修复模式切换。系统在DFT插入阶段自动进行连接验证,并保留两种修复路径:并行总线用于快速初始化,串行接口用于常规测试。 文章详细说明了子模块集成方案、fusebox接口配置要求,以及模式控制属性设原创 2025-06-20 10:40:41 · 858 阅读 · 0 评论