weixin_60583321的博客

本文是第二部分，这部分将介绍混合Π模型的实际求解步骤，介绍多级放大电路的频率响应

本文是第一部分，主要介绍理论内容，第二部分将介绍实际求解步骤。介绍三极管放大电路的频率响应，研究三极管低频，中频，高频段的特性，包含幅频特性和相频特性。由此引出对混合Π模型的介绍，由基础的三极管构造逐步推导而出，而且进一步介绍了混合Π模型各个单数的推导和结算，主要是CΠ电容计算。也介绍了RC高通和低通电路基本频率响应。

以NPN型三极管举例，介绍了三接管的基本结构；介绍了三极管放大的基本原理；介绍了三极管内部的各个电流代表的含义以及来源。

本文系统分析了共射极三极管的特性曲线与极限参数。共射极特性曲线分为输入特性曲线（Ib-Ube关系）和输出特性曲线（Ic-Uce关系）。输入特性曲线呈现二极管特性，随Uce增大右移；输出特性曲线包含放大区（Ic=βIb）、饱和区（Ic≈Uce/Rc）和截止区（Ib=0）。文章还详细讨论了极限参数（ICM、PCM、击穿电压等）及其温度影响，指出温度升高会使Ube下降、Iceo增大。最后简要介绍了光电三极管的工作原理及其在光耦中的应用。全文为三极管工作特性分析提供了系统性的理论框架。

以一个比较新的角度介绍稳压管的稳压过程，增强理解。顺便介绍稳压管的主要参数含义；

本文摘要： 半导体基础知识与PN结特性分析 本征半导体：纯净硅/锗导电性差，温度对载流子浓度影响小 掺杂半导体： N型：多子为电子，少子为空穴 掺杂浓度影响远大于温度影响 PN结形成： 扩散运动导致空间电荷区（内建电场） 产生势垒（阻碍多子）和势阱（吸引少子） 单向导电性： 正向：削弱势垒，导通电流 反向：增强势垒，仅有微小漏电流（少子漂移） 击穿机制： 雪崩击穿（低掺杂） 齐纳击穿（高掺杂） 电容效应： 势垒电容 扩散电容 温度影响：正向压降减小，反向电流增大

主要介绍了共基极，共集电极，共发射极放大电路的基本特性和工作原理；利用H参数模型对三种放大电路进行了分析；计算三种放大电路的放大倍数，输入电阻，输出电阻；以共源极放大电路介绍了场效应管的放大电路分析方法；介绍三极管派生电路（达林顿管等）；总结了常见的几种电路耦合方式，分析了优缺点。

引入放大电路的基本概念；介绍三极管放大电路的分析方法；介绍几种共射极放大电路的来源及演变过程，理解各个元件的作用；介绍主要参数；图解法及微变等效（H参数）模型

主要是加深对基础知识的理解，比如电流符号，基本结构，基本工作原理等，查漏补缺增强记忆。介绍了MOS，JFET的结构和最朴素的工作原理；介绍了伏安特性曲线；介绍了MOS的一些主要参数；