计算机组成原理 new14 双端口RAM和多模块存储器

双端口RAM

在双端口RAM中，两个端口使用了不同的译码器，数据线，控制线，和读写电路。所以两个端口可以做到同时访问相同的存储单元。

访存的时候不是有恢复时间吗？为什么双端口RAM可以做到同时访问相同的存储的单元？

首先，恢复时间的存在一定是为了存储器工作进行状态的恢复，例如刷新，在DRAM中，因为需要刷新所以导致恢复时间很长。但是在双端口RAM中我们可以不考虑这个恢复时间带来因素，因为刷新的时候处于死区，这时候是不可能会进行访存的，所以我们应该讲恢复时间认为是存储器内部状态的恢复，并且这个恢复应该是控制电路的恢复。而在双端口RAM中，两个端口采用了不同的控制电路，数据线，控制线，地址线等所以两者的恢复时间是没有任何关系的，因为电路都不同。

双端口RAM对主存操作具有以下四种情况：

两个端口同时对不同的地址单元存取数据
两个端口同时对相同的地址单元读出数据

下面的两种情况是可能会发生错误的：

两个端口同时对同一地址单元写入数据
两个端口同时对同一地址单元进行操作，一个读入，一个写出。

在双端口RAM中对于这个进行了解决：
在双端口RAM中，有逻辑判断电路，其会根据两个端口的读写信号进行逻辑判断，当碰到下面的两种错误情况时，逻辑电路会发送一个busy信号给其中一个端口，即将这个端口关闭(延时)一段时间，先让另一个端口进行访问。

多模块存储器

多模块存储器是一种空间并行技术，利用多个结构完全相同的存储器芯片(宏观上并行，微观上交替)并行工作来提高存储器的吞吐率，常用的有单体多字存储器，和多体低位交叉存储器。(多体高位交叉存储器也是多模块存储器，但是其比较难完成宏观上并行，因为地址是在一个存储器芯片内连续存放的)。

如何理解多模块存储器可以提高存储器的吞吐率

首先，吞吐量是单位时间内的响应次数，主机向存储器发起一个响应，存储器需要多久才能回应。而多模块存储器中，通过将数据放在不同的存储器芯片，可以使得宏观上不需要等待存储器芯片的恢复时间，可以更快的取出数据，所以对于存储器而言，吞吐率应该是取出数据的速度。

多体并行存储器

多体并行存储器分为低位交叉编址和高位交叉编址：
在多体并行存储器中，每个存储器芯片具有相同