NMOS PMOS 推挽

PMOS和NMOS的位置

PMOS导通条件：满足Vgs<0，VS是高电平，需要把PMOS的S级靠近电源端（如果S不靠近电源，D接地的话，当PMOS导通S就会接地，无法再满足导通条件），所以PMOS导通都接电源，VG小于电源就能导通；

同理NMOS导通条件：满足Vgs>0，VS是低电平，NMOS的S端要接地。否则S接负载到地，D接电源，当导通后DS都接电源，无法满足导通，所以NMOS导通DS都接地，VG大于地就能导通。

上/下拉电阻

一般PMOS在GS接上拉电阻，NMOS在GS接下拉电阻。

作用：

• 使用上下拉电阻可以上电时给MOS管一个确定的电压，
• 给Cgs一个泄放回路，
• 可以防止静电击穿，起到保护的作用。

G端需要接一个限流电阻。

推挽输出

推挽输出是单片机io常用的输出方式。

当input输入低电平时，Q1导通Q2截至，output输出高电平。当input输入高电平时，Q1截至Q2导通，output输出低电平。 

N型开漏和P型开漏

开漏输出分为N型开漏和P型开漏。

对于N型开漏：当input输入为高电平时Q1导通，output输出为低电平。当input输入为低电平时Q1截至，output输出高阻状态。因此N型开漏无法输出高电平，但可以外接上拉电阻R1使其可以输出高电平。

对于P型开漏：当input输入为高电平时Q1截至，output输出为高阻态。当input输入为低电平时Q1导通，output输出为高电平。 

可以实现电平转换。

推挽和开漏的优缺点

推挽输出

• 优点：1.输出高低电平与电源电压基本没有压差 2.高低电平驱动能力较强，一般io口驱动电流能有20mA 3.电平转换速度快，同时功耗也比较高
• 缺点：不支持线与（会短路）。（线与指的是多个信号线接到一根总线上时，各个信号线的电平全为高电平时总线为高电平，只要有一个信号线为低电平，那么总线就是低电平）

开漏输出

• 优点：1.可以实现电平的转换，因为可以外接上拉电阻，输出高电平取决于上拉电阻的电源 2.可以实现线与。
• 缺点：1.开漏输出的电平驱动能力取决于外部上拉电阻，越小能力越强一般为1k，4.7k   2.电平切换速率取决于外部上拉殿宇，电阻越小，速度越快。