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原创 基准电压 + 运放 + 低边MOS恒流源控制原理
因为恒流源强制 Iout不变,而 Vin 增加时,负载压降 Iout⋅Rload不变,多余的电压只能由MOS管的 VDS承担,因此 VDS必然增加。在饱和区,MOS 管的 ID 仅由 VGS决定,与 VDS 无关,这样,负载变化时,VDS可自由调整以维持 Iout恒定。当 Vin 小到无法满足 VDS>VGS−Vth时,MOS管进入线性区,Iout 会随 Vin 下降而减小,恒流失效。由于 Vref和 Rsense未变,Iout无需调整,运放无需动作,OUT保持不变,Iout恒定。
2025-08-05 22:51:20
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原创 告别繁琐!LTSpice添加第三方SPICE模型的最强指南
LTSpice添加第三方SPICE模型的详细教程:针对仅含.model定义的LIB文件(如欧司朗LED型号),通过1)新建原理图添加通用LED符号;2)右键修改器件名与LIB一致;3)使用.t命令输入.include指令关联库文件;4)完成电路搭建后运行仿真。注意建议将电路图与LIB文件置于同一目录。该方法有效解决网上教程模糊不清的问题,显著提升仿真效率。
2025-07-29 18:43:38
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原创 规格书中的对数坐标如何理解?如何读数?一次说清
摘要:对数坐标通过对数变换将指数级变化的数据转换为线性可视化的图形,适用于跨度多个数量级的数据展示。其核心原理在于非线性的对数缩放:坐标轴上的物理间距对应实际数据的对数差值。例如,1到10和10到100在对数坐标上的间距相同(均为1),而1到2(间距0.301)与2到3(间距0.176)则不同。通过反向计算(10^y)可还原实际数值,如坐标中点1.5对应实际值1.41V(10^0.15)。这种转换方法能有效压缩大范围数据,保持比例关系的准确表达。
2025-07-28 16:34:45
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原创 MOS管开通关断时间的仿真
本文通过LTspice仿真分析了MOS管的开通和关断过程。开通过程包括延迟开通时间td(on)和上升时间tr,关断过程包含延迟关断时间td(off)和下降时间tf。关键参数栅极电荷(Qg)及其组成部分Qgs和Qgd影响开关速度,其中米勒电荷Qgd是主要瓶颈。文章详细描述了各阶段波形特征,并指出Qg参数值会随测试条件变化。通过仿真验证了MOS管开关特性与栅极电荷的关系,为功率MOSFET选型提供了理论依据。
2025-07-28 13:06:08
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空空如也
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