2021-04-30

STM32 掉电不丢失，内部Flash读写流程

1.解锁，往flash密钥寄存器FLASH_KEYR中写入KEY1=0x45670123,再往Flash密钥寄存器FLASH_KEYR中写入KEY2=0xCDEF89AB

2.擦除扇区：检查FLASH_SR状态寄存器中的“忙碌寄存器位BSY”，确认当前未执行任何Flash操作；

在FLASH_CR控制寄存器中，将“”“激活页擦除寄存器位PER”置1

用FLASH_AR地址寄存器选择要擦除的页；

将FLASH_CR控制寄存器中的“开始擦除寄存器位STRT”置1，开始擦除

等待BSY位被清零时，表示擦除完成

3.写入数据：检查FLASH_SR状态寄存器中的“忙碌寄存器位BSY”，确认当前未执行任何Flash操作；

FLASH_CR控制寄存器中，将“”“激活编程寄存器位PG”置1

向指定的FALSH存储器地址执行数据写入操作，每次只能以16位的方式写入；

等待BSY位被清零时，表示写入完成

写入的地址要在程序存储空间地址之外

查询存储空间的方式：点击demo，弹出map文件 查看存储空间

 

空间大致分为

STM32flash空间

 

MDK下载设置时需要注意（第一个选项下载时会擦除掉整页）

验证结果：

程序概述 应用flash库函数编写简单很多