在日常工作中发现，干法刻蚀之后的光刻胶比较难除，这是什么原因？

 知识星球（星球名：芯片制造与封测技术社区，星球号：63559049）里的学员问：在日常工作中发现，干法刻蚀之后的光刻胶比较难除，这是什么原因？

主要有三个方面：交联，表面碳化，副产物的沉积。

交联

如上图，在干法刻蚀工序时，晶圆是在等离子体的氛围中。等离子体包含了大量的活性自由基，产生的自由基（R•）通过与其他自由基或双键反应，形成新的化学键，导致分子链间的交联，形成三维交联网络结构，变得更加不容易被刻蚀。另外，刻蚀产生的温度也会加剧光刻胶的交联。

表面碳化

在有氧或氟的等离子体中，光刻胶表面会发生碳化反应，形成一层坚硬且致密的碳化层。这层碳化层能够保护光刻胶内部，而一般的气体无法突破这层碳化层，就难以除去剩下的光刻胶。

副产物沉积
有些干法刻蚀产生的副产物（如金属，氧化物等）附着在光刻胶表面，保护下方光刻胶。