模拟电路—MOS管工作原理

场效应管（FET-Field Effect Transistor）
1.4.1 结型场效应管
1.4.2绝缘栅型场效应管（MOSFET）

一.N沟道增强型MOS管

1.结构：g（gate，也称门级）栅极，s（source）源极，d（drain）漏极
2.原理：Uds=0，Ugs>0,加了电压之后，电子被吸上去在N极之间形成沟道，叫做N沟道

当Ugs逐渐变大的时候，所形成的N沟道会逐渐变宽，电阻会变小，从而影响阻值的大小。因此得到电压控制电阻的一个器件

令Ugs>Ugs（th）开启电压，并使其不变，且Uds≠0并上升

上图的右边如何判断是N沟道还是P沟道？
一般都是P指向N的PN结

二.N沟道耗尽型MOS管（增强型并不是天生有沟道，得电压大于开启电压才会出现沟道，那如何得到天生就有沟道的呢？除了结型可以在SiO2中固定正电荷，强大到产生电场，从而出现沟道）