- 博客(9)
- 收藏
- 关注
RSS订阅原创 桥接电容的设计
目的：高精度的电容面积过大，且会导致DAC的建立时间较大，对采样开关和参考电压的驱动能力要求较高，因此需要分段处理。做法：桥接电容左右两个电容切换满足二进制的关系需要对Ca、K、Cp1、Cp2合理设计。①、一种16位1MS/s逐次逼近型SAR ADC中关键技术的研究与设计。注：Cp1为高段对地电容，Cp2低段对地电容。
2024-11-05 23:36:09
867
原创 比较器失调电压消除
比较器的稳定失调电压虽然不会对ADC的动态/静态性能造成影响，对ADC的缩小输入动态范围造成的影响也可通过后端(测试或者后处理)校准消去，但本文主要介绍通过前端电路技术如何消除比较器的失调电压，减少后端压力。失调电压消除技术主要分为输入失调存储和输出失调存储。
2024-11-05 22:30:39
929
1
原创 高精度SAR ADC中前端校准
校准思想：利用CDAC上极板的电荷守恒，并通过特定的开关切换得到每一位电容失配引起的电压差，这种电压差在一定程度上代表了电容的失配，然后再通过一个更高精度的额外的CDAC去量化这个电压差，之后再通过特定的计算得到每一位电容在切换时需要额外补偿的电压，并通过数字码表征出来，然后在正常置位过程中，数字码通过切换额外的CDAC的开关去抵消失配电压差从而实现电容失配的自校准。以Vcm-Based开关切换测量为例，首次比较之后把CDAC上极板的误差电压抵消掉，接着进行下次比较，比较完之后。
2024-11-04 16:40:28
686
原创 先进工艺中LOD WPE效应
WPE效应：(Well Proximity Effect)阱邻近效应，是指在阱掺杂过程中，阱边缘由于散射，掺杂浓度比其他地方要高一些，这样临近阱边缘的器件特性就与远离阱边缘的器件特性不一样，主要体现在阈值电压、迁移率何体效应上。LOD效应：(Length Of Diffusion)扩散区长度效应，是指STI(浅沟槽隔离)到多晶硅栅poly(器件有源区)的距离不同，导致应力对器件的影响也不同，进而影响MOS管的阈值电压等参数。版图设计时减小LOD效应的措施：①、加dummy管。
2024-09-18 16:05:52
1555
原创 terminal端source .bashrc文件出现if语法错误解决方法
这是在terminal里键入bash即可自动运行.bashrc和.cdsinit，快捷键和环境配置自动加载，但需要每次打开terminal键入bash。有没有其他方法打开terminal自动加载.bashrc等文件不报错？打开terminal键入 source .bashrc。
2024-08-08 15:45:43
233
空空如也
TA创建的收藏夹 TA关注的收藏夹
TA关注的人