一、静态工作点的作用
1.确保三极管工作在放大区(线性区),避免截止或饱和失真。
2.信号放大,为交流信号提供合适的直流偏置。在输入信号作用下,通过放大电路将直流电源的能量转换为负载所获得的能量,使负载从电源获得的能量大于信号源所提供的能量。
二、直流通路与交流通路
1、直流通路
直流通路是在直流电源作用下直流电流(静态电流)流经的通路,用于研究静态工作点(Quiescent Point,简称Q点)。对于直流通路,①电容视为开路;②电感线圈视为短路;③信号源视为短路,但应保留其内阻。
静态工作点的参数包括基极电流IBQ、集电极电流ICQ、基极-发射极电压UBEQ、集电极-发射极电压UCEQ。
三极管在直流偏置下、无交流信号输入时的工作状态下上图电路各参数表达式
I
B
Q
=
V
B
B
−
U
B
E
Q
R
b
I_{BQ} = \frac{V_{BB} - U_{BEQ}}{R_b}
IBQ=RbVBB−UBEQ
I
C
Q
=
β
I
B
Q
I_{CQ} = \beta I_{BQ}
ICQ=βIBQ
U
C
E
Q
=
V
C
C
−
I
C
Q
R
c
U_{CEQ} = V_{CC} - I_{CQ}R_{c}
UCEQ=VCC−ICQRc
2、交流通路
交流通路是输入信号作用下交流信号流经的通路,用于研究动态参数。对于交流通路,①容量大的电容(如耦合电容)视为短路,②无内阻的直流电源(如Vcc)视为短路。
引入h参数等效模型(推导复杂,感兴趣可自行查阅资料),可将交流电路等效为
动态参数主要有:
(1)电压放大倍数Au
A
u
=
U
o
U
i
=
−
β
I
b
R
c
I
b
(
R
b
+
r
b
e
)
=
−
β
R
c
R
b
+
r
b
e
A_u = \frac{U_{o}}{U_i} = \frac{-βI_bR_c}{I_{b}{(R_{b}+r_{be})}} = \frac{-βR_c}{{R_{b}+r_{be}}}
Au=UiUo=Ib(Rb+rbe)−βIbRc=Rb+rbe−βRc
(2)输入电阻Ri
R
i
=
U
i
I
i
=
R
b
+
r
b
e
R_i=\frac{U_{i}}{I_i}=R_b+r_{be}
Ri=IiUi=Rb+rbe
(3)输出电阻Ro
R
o
=
R
c
R_o = R_c
Ro=Rc
注意:放大电路的输入电阻与信号源内阻无关,输出电阻与负载无关。
三、静态工作点的稳定性问题
实线为晶体管在20℃时输出特性曲线,虚线为40℃时输出特性曲线。
当环境温度升高时,晶体管的电流放大系数β增大,穿透电流ICEO增大,即ICQ增大,共射电路UCEQ将减小,Q点沿直流负载线上移到Q’,向饱和区变化;使之回到原来位置,必须减小基极电流IBQ。当温度降低时,Q点将沿直流负载线下移,向截止区变化,要使之基本不变,必须增大IBQ。
所谓稳定Q点,通常是指环境温度变化时静态集电极电流ICQ和管压降UCEQ基本不变,即Q点在晶体管输出特性坐标平面中的位置基本不变,必须依靠IBQ的变化来抵消ICQ和UCEQ的变化。常引入直流负反馈或温度补偿的方法使IBQ在温度变化时产生与ICQ相反的变化。
1、分压式偏置电路+发射极电阻Re(负反馈)
左图为抑制温漂的电路,右图为其直流通路
满足Q点稳定,使
U
B
Q
=
R
b
1
R
b
1
+
R
b
2
V
c
c
U_{BQ} = \frac{R_{b1}}{R_{b1} + R_{b2}}V_{cc}
UBQ=Rb1+Rb2Rb1Vcc
基极电位几乎由Rb1和Rb2对Vcc分压,与环境温度无关。
当温度升高时,参数变化如下:
T(℃)↑ → IC↑(IE)↑ → UE↑(UBQ基本不变) → UBE↓ → IB↓ → IC↓
Q点稳定的原理:
(1)Re的直流负反馈作用
(2)在I1>>IBQ的情况下,UBQ=
R
b
1
R
b
1
+
R
b
2
V
c
c
\frac{R_{b1}}{R_{b1}+R_{b2}}V_{cc}
Rb1+Rb2Rb1Vcc在温度变化时基本不变
2、静态工作点的估算
U
B
Q
=
R
b
1
R
b
1
+
R
b
2
V
c
c
U_{BQ} = \frac{R_{b1}}{R_{b1} + R_{b2}} V_{cc}
UBQ=Rb1+Rb2Rb1Vcc
I
E
Q
=
U
B
Q
−
U
B
E
Q
R
e
I_{EQ} = \frac{U_{BQ} - U_{BEQ}}{R_e}
IEQ=ReUBQ−UBEQ
U
CEQ
=
V
CC
−
I
CQ
(
R
c
+
R
e
)
U_{\text{CEQ}} = V_{\text{CC}} - I_{\text{CQ}}(R_{\text{c}} + R_{\text{e}})
UCEQ=VCC−ICQ(Rc+Re)
I
B
Q
=
I
E
Q
1
+
β
I_{BQ}=\frac{I_{EQ}}{1+β}
IBQ=1+βIEQ
3、动态参数估算
A
u
=
U
o
U
i
=
−
β
R
L
′
r
b
e
(
R
L
′
=
R
c
/
/
R
L
)
A_u = \frac{U_{o}}{U_i} = \frac{-βR'_L}{{r_{be}}} (R'_L=R_c//R_L)
Au=UiUo=rbe−βRL′(RL′=Rc//RL)
R
i
=
U
i
I
i
=
R
b
/
/
r
b
e
=
R
b
1
/
/
R
b
2
/
/
r
b
e
R_i=\frac{U_{i}}{I_i}=R_b//r_{be}=R_{b1}//R_{b2}//r_{be}
Ri=IiUi=Rb//rbe=Rb1//Rb2//rbe
R
o
=
R
c
R_o = R_c
Ro=Rc
假设去掉旁路电容Ce
A
u
=
U
o
U
i
=
−
β
R
L
′
r
b
e
+
(
1
+
β
)
R
e
(
R
L
′
=
R
c
/
/
R
L
)
A_u = \frac{U_{o}}{U_i} = \frac{-βR'_L}{{r_{be}+(1+β)R_e}} (R'_L=R_c//R_L)
Au=UiUo=rbe+(1+β)Re−βRL′(RL′=Rc//RL)
R
i
=
U
i
I
i
=
R
b
1
/
/
R
b
2
/
/
[
r
b
e
+
(
1
+
β
)
R
e
]
R_i=\frac{U_{i}}{I_i}=R_{b1}//R_{b2}//[{{r_{be}+(1+β)R_e}}]
Ri=IiUi=Rb1//Rb2//[rbe+(1+β)Re]
R
o
=
R
c
R_o = R_c
Ro=Rc
若(1+β)Re>>rbe,且β>>1,则
A
u
=
U
o
U
i
≈
−
R
L
′
R
e
(
R
L
′
=
R
c
/
/
R
L
)
A_u = \frac{U_{o}}{U_i} ≈-\frac{R'_L}{R_e} (R'_L=R_c//R_L)
Au=UiUo≈−ReRL′(RL′=Rc//RL)
实际使用过程中,基本上不会用到β,β也会受温度影响并不可靠。Au仅决定于电阻取值,不受环境温度影响,温度稳定性好。
上一篇 《绝缘栅极场效应管MOSFET特性》
下一篇 《三极管三种基本放大电路:共射、共集、共基放大电路》
更多系列文章
▷ 《线性稳压电源:稳压管+NPN降压电路(12V降至5V)》
▷ 《LDO工作原理与仿真》
▷ 《用三极管搭建简易电流源》
▷ 《改进三极管搭建的简易电流源特性》
▷ 《三极管限流电路及仿真》