单片机IO控制0到50V电压变化电路三极管和MOS管

于 2024-06-19 10:45:51 发布
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文章标签： 单片机 嵌入式硬件
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S1开关模拟单片机IO开关，去控制2N3904三极管，三极管控制MOS管2SJ517。

电子元件-三极管/MOS场效应管/IGBT
让你爱上电路设计
04-09 5180
本内容包括三极管驱动继电器的详细计算、超β三极管的电流的详细计算、数字三极管的介绍、以及三极管的应用实例；场效应管三个极的判定以及应用、导通过程及损耗分析；IGBT基础知识介绍、IGBT的应用等。
基于单片机直流电压源输出控制系统
QQ2193276455的博客
05-20 1300
*单片机设计介绍，基于单片机直流电压源输出控制系统。
单片机I/O口驱动MOS管
u011878611的博客
01-12 1万+
②MOS管是电压控制型，驱动电压必须高Vgs(TH)才能正常导通，不同MOS管的阈值电压是不一样的，一般为3-5V左右，饱和驱动电压可在6-8V。通过前面也了解到，MOS管的饱和压降>3.3V或接近，如果用3.3V来驱动的话，很可能MOS管根本就打不开，或者处于半导通状态。单片机一般讲究低功耗，电压也越来越低，一般单片机供电为3.3V，所以它的I/O最高电压也就是3.3V。三极管不导通，MOS管通过电阻R3，R4分压，为栅极提供合适的阈值电压，MOS管导通，答案是可以的，但这种型号不好找，这里给大家。
单片机I/O的常用驱动与隔离电路的设计
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sefwin的博客
09-14 2万+
随着微电子技术和计算机技术的发展，原来以强电和电器为主、功能简单的电气设备发展成为强、弱电结合，具有数字化特点、功能完善的新型微电子设备。 在很多场合，已经出现了越来越多的单片机产品代替传统的电气控制产品。属于存储程序控制的单片机，其控制功能通过软件指令来实现，其硬件配置也可变、易 变。因此，一旦生产过程有所变动，就不必重新设计线路连线安装，有利于产品的更新换代和订单式生产。 传统电气设备采用的...
单片机小电压IO控制大电压一颗三极管+一颗MOS管教你搞定
qq_62098122的博客
12-07 2355
当IO是高电平时，三极管Q1导通，GND信号传递到MOS管Q3的G极，此时Vgs=-20V，MOS管导通。当IO是低电平时，三极管Q1关闭，20V信号传递到MOS管Q3的G极，此时Vgs=0V，MOS管关闭。注意:此电路需要注意MOS管的Vgs耐压值，切莫烧了管子。
利用单片机给直流升压
zm2339502770的博客
09-04 6853
外部电路 这是最基础的升压电路 ，需要的原件不多，由于要用到PWM，二极管最好用肖特基快恢复二极管，电容耐压值也要高一点 这里我在输出端接了一个氖管 ，由于氖管起辉电压在七八十伏左右，这样便于观察实验现象 2.原理 三极管基极利用单片机产生PWM波控制其开关占空比，而三极管开关过程会让电感产生感生电动势，与电源叠加从而达到升压效果，二极管与电容是用于稳定输出的。 3.制作 由上图可以看到，我用了一个变压器当电感，自己绕也是可以的，不过要记得加铁芯，不过三极管没找到大功率的就...
带阻三极管替换MOS管
01-20
这周检查水泵变频器的电路，定稿用，发现数码管的控制三极管，基极竟然没有串联电阻，这会导致单片机的IO烧坏，虽然之前出了测试用的变频器没有问题，那是因为所选用的单片机的IO内部带一定的内阻，阻值大概在60~120...
嵌入式-4种经典继电器驱动电路-单片机IO端口/三极管/达林顿管/嵌套连接
weixin_50833257的博客
03-18 1万+
道友：只要你不停止，走慢一点没关系。
单片机IO口科普：推挽输出、开漏输出详解
01-19
在学和选用逻辑器件的时候我们常别人说这款芯片是推挽输出驱动能力强，这个引脚是开漏输出需要加上拉电阻。...其示意结构如下图所示：　当内部输出1电平时，上边的MOS管导通同时下边的MOS管截至，口
假设AMS1117的输入是5V，输出为1.8或3.3V,用单片机控制AMS1117开关该选择什么型号的MOS管，电路该如何设计
02-21
好的，用户之前问了关于AMS1117从5V转1.8V或3.3V的问题，现在他们想用单片机控制AMS1117的开关，需要选择合适的MOS管和设计电路。我需要先理解他们的需求。 首先，用户可能是在设计一个需要电源管理的项目，比如...
【电机驱动-MOS管-PWM】
m0_64760627的博客
01-12 5003
电机驱动（mos管）
3.4 单片机中三极管的应用
weixin_44488826的博客
01-21 1024
版权声明：本文为芝麻软件工作室原创文章，未经芝麻软件工作室允许不得转载。 https://blog.youkuaiyun.com/softn/article/details/51823338 三极管在数字电路里的开关特性，最常见的应用有 2 个：一个是控制应用，一个是驱动应用。所谓的控制就是如图 3-7 里边介绍的，我们可以通过单片机控制三极管的基极来间接控制后边的小灯的亮灭，用法大家基本熟悉了。还有一个控制...
使用51单片机的GPIO输出占空比可调节的PWM波
让技术没有门槛
02-19 5934
本文详细讲解了如何使用51单片机定时器来实现GPIO输出占空比可调的PWM波，文末附代码
单片机内部IO口保护电路及IO口电气特性以及为什么不同电压IO之间为什么串联一个电阻？
qq_38295600的博客
07-19 9254
单片机内部IO口保护电路及IO口电气特性以及为什么不同电压IO之间为什么串联一个电阻？
调节三极管输出电压，输出电流
好好学习，天天向上
06-06 697
调节输出电流：调节Re可以实现调节输出电流Ic，原理：Re+ --> Ue+ ---> Ub+ ---> Ib- ----->Ic-调节输出电压：调节Rc可以实现调节输出电压Uc,此时Ic不变，原理：Rc+ ---> Ic不变---->Uc-；
单片机IO口控制12V电压通断，MOS和三极管电路
ltqdxl的博客
07-27 1万+
POWER_EN为高电平时，Q2导通，使得Q1sg两端有压差，达到Q1的导通电压，此时Vin输出到Vout，这个Vin可以是12V。这样就达到了控制12V通断的要求，当然这个Q1的选型需要参考这个12V的供电电流来选型，如果电流大，需要选择Is大的MOS管。POWER_EN为低电平时，Q2截止，使得Q1sg两端没有压差，Q1截止，此时Vout没有电压。另外，也可以选择用继电器来控制12V的电压通断。...
单片机项目设计中常用的NMOS+PMOS控制电路
Tryple Li Blog
12-18 2万+
单片机项目设计中常用的NMOS+PMOS控制电路 大家晚上好，第一次写博客给大家分享一个比较常用的电路，不要说我菜哈，这些都是我自毕业以来实际工作中用到的电路，虽然毕业的时候在其他同学看来在实验室呆过，但是自己还是觉得自己很菜。到公司真正从事研发的时候才会真正发现之前在实验室学的真的是皮毛中的皮毛呀……真的刚出来工作要好好努力一番，所以一直以来都有个想法，把工作中所获得的知识一点一点记录下来，...
51单片机之IO口输入的内部工作原理 ；IO内部电路分析；独立按键实现和消抖
qq_51523386的博客
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51单片机之独立按键 （一）IO口驱动能力：（注意：1的时候是驱动电流，0是驱动灌电流） 灌电流：在P0口为0V时，支持外接的电源流入的电流为12mA. 灌电流 如上图所示，当单片机输出低电平时，允许电路向单片机引脚内灌入电流，这个电流就叫做“灌电流”，从而发光二极管被点亮，发光二极管所在的电路可以叫做“灌电流负载”。 拉电流 如上图所示，当单片机输出高电平时，允许电路从单片机的引脚拉出电流，这个电流就叫做“拉电流”，从而发光二极管被点亮，发光二极管所在的电路可以叫做“拉电流负载” 上拉就是将不确定的信
二极管降压电路、三极管开关电路、MOS管开关电路、继电器电路
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04-22
<think>好的，我现在需要处理用户关于电子电路设计的问题，特别是二极管降压、三极管开关、MOS管开关和继电器电路的原理图。首先，用户提供了几个引用资料，我需要先理解这些内容，再结合自己的知识来组织回答。 用户提到的引用[1]主要讲的是单片机控制大电流器件时使用NPN三极管作为开关，基极电阻通常为1K。引用[2]涉及三极管开关电路的演变过程，从发射极放大电路简化而来。引用[3]讨论了半桥和全桥电路在电机控制中的应用，特别是全桥可以控制正反转。不过用户的问题更关注二极管降压、三极管、MOS管和继电器的开关电路，所以可能需要重点放在这些部分。 首先，二极管降压电路。常见的二极管降压是利用其正向压降特性。比如硅二极管每个约0.7V压降，串联多个可达到所需电压。需要注意电流和功耗，可能需要限流电阻。这部分需要给出原理图，用几个二极管串联，加上负载和电阻。 接下来是三极管开关电路。根据引用[1]和[2]，NPN三极管常用，基极电阻1K，工作在开关状态。当输入高电平时导通，驱动负载。需要解释基极电阻的作用，计算基极电流，确保三极管饱和。原理图应包括单片机IO口连接基极电阻到NPN的基极，集电极接负载和电源，发射极接地。 然后是MOS管开关电路。MOS管相比三极管有更低的导通电阻和更高的输入阻抗，适合高频应用。N沟道MOS管通常用于高侧或低侧开关，需要足够的栅极电压来导通。可能需要栅极驱动电路，比如使用逻辑电平MOS管或添加上拉电阻。原理图示例是单片机控制栅极通过电阻，源极接地，漏极接负载到电源。 最后是继电器电路。继电器需要线圈驱动，通常用三极管或MOS管来控制线圈的通断，因为线圈在断电时会产生反电动势，所以需要续流二极管保护。原理图应包括控制信号通过三极管驱动继电器线圈，并联续流二极管，触点部分连接被控电路。 需要确保每个部分的原理图用LaTeX的电路图语法正确表示，比如使用circuitikz包。同时，回答要结构清晰，分点说明，每个电路的设计要点和注意事项。可能还需要生成相关问题，比如比较不同开关电路的优缺点，如何选择元件参数，保护措施等。 检查是否有遗漏的部分，比如二极管降压的效率问题，三极管和MOS管的区别，继电器触点的类型（常开/常闭）。同时，确保引用资料被适当引用，比如引用[1]提到基极电阻为1K，引用[2]说明三极管开关的演变，引用[3]可能和MOS管的全桥应用相关，但用户问题未涉及电机控制，所以可能不需要重点提及。 最后，生成的相关问题需要围绕用户提到的四个电路类型，询问设计要点、参数计算、应用场景、优缺点比较等，确保问题有针对性，帮助用户深入理解。</think>以下是关于四种电子电路设计的原理说明及典型应用： ### 一、二极管降压电路 利用二极管正向导通压降特性实现降压，硅二极管每颗正向压降约$0.6\text{V}-0.7\text{V$。典型电路： ``` R Vin ○---/\/\/---┬---►|D1►|─┬---○ Vout | │ ├---►|D2►|─┘ └---(负载) ``` 设计要点： 1. 降压值=$N×V_f$（N为串联二极管数量） 2. 需加限流电阻$R=(Vin-Vout)/I_{load}$[^1] 3. 适用小电流场景（<100mA） ### 二、三极管开关电路 典型NPN三极管驱动电路（高电平使能）： ```latex \begin{circuitikz} \draw (0,0) node[gpio](mcu){MCU_IO} to[R=1k] (2,0) -- (2,0.5) node[npn](q){} (q.E) -- (2,-1) node[ground]{} (q.C) to[led] (2,2) -- (4,2) node[vcc]{5V} ; \end{circuitikz} ``` 参数计算： - 基极电流$I_b=(V_{io}-V_{be})/R_b$（通常取$3\text{mA}-10\text{mA}$） - 负载电流$I_c=β×I_b$需满足$I_c≥I_{load}$[^1] ### 三、MOS管开关电路 N沟道MOS管低边驱动电路： ```latex \begin{circuitikz} \draw (0,0) node[gpio](mcu){MCU_IO} to[R=100] (2,0) -- (2,0.5) node[nigfete](mos){} (mos.S) -- (2,-1) node[ground]{} (mos.D) to[lamp] (2,2) -- (4,2) node[vcc]{12V} ; \end{circuitikz} ``` 特点： 1. 驱动电压需超过阈值电压$V_{GS(th)}$ 2. 栅极需加下拉电阻防误触发 3. 适用高频开关（可达MHz级） ### 四、继电器驱动电路 带反电动势保护的典型电路： ```latex \begin{circuitikz} \draw (0,0) node[gpio](mcu){MCU_IO} to[R=1k] (2,0) -- (2,0.5) node[npn](q){} (q.E) node[ground]{} (q.C) -- (2,2) node[relay](RLY){} (RLY.left) -- (0,2) node[vcc]{12V} (RLY.right) node[anchor=west]{触点} (RLY.south) to[D] (2,1.5) ; \end{circuitikz} ``` 关键设计： 1. 续流二极管（1N4148）吸收线圈断电时$V=L·di/dt$的反向电动势[^2] 2. 驱动三极管需满足$I_c≥I_{coil}$ 3. 触点间可加RC缓冲电路
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