飞思卡尔 HCS12（X）系列 MCU 的 Prm 文件中的逻辑地址和全局地址的转换

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本文介绍了飞思卡尔HCS12(X)系列MCU中Flash擦写的全局地址操作方法，详细解释了逻辑地址与全局地址之间的转换过程，并通过实例展示了非分页区与分页区的地址转换。

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由于在我的项目中，需要实现对 HCS12 单片机的 FLASH 进行擦写，所以难免会遇到对全局地址的操作，因为对 FLASH 的擦写操作是必须使用全局地址的。

下图是擦除指令序列的说明

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图 1

其中 Global address[17:16]是需要写入 FLASH 的 Block 值，下面的 Global address[15:0]是低 16 位地址。一共是 18Bit的全局地址，其最大的寻址的空间是 = 2^18 = 256K。

下图是逻辑地址和全局地址的映射图

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图 2

可以发现低 14 位地址就是一页的大小 2^14 = 16K, 高 4 位地址就是页寄存器 PPAGE 的地址，由[17:14]组成。

下面说明 PRM 文件和全局地址的转换关系

取 MC9SHY64 工程的 PRM 文件的片段

/* non-paged FLASHs */

  ROM_1400      = READ_ONLY     0x1400 TO   0x2FFF; //7K

  ROM_4000      = READ_ONLY     0x4000 TO   0x7FFF; //16K

  ROM_C000      = READ_ONLY     0xC000 TO   0xFEFF; //16k

/* paged FLASH: 0x8000 TO 0xBFFF; addressed through PPAGE */

  PAGE_0C       = READ_ONLY   0x0C8000 TO 0x0C93FF;  //5k

  PAGE_0C_B000  = READ_ONLY   0x0CB000 TO 0x0CBFFF;  //4k

  PAGE_0E       = READ_ONLY   0x0E8000 TO 0x0EBFFF;  //16k

对于分页区

其中 PAGE_0C，PAGE_0C_B000，PAGE_0E 属于分页区范围，由于是在分页区，所以如果需要擦写

这个区域，则需要转换，PAGE_0C 的 0C 就是页号，它对应了 PPAGE。

0C = 0000 1100，其中 11 就是 Global address[17:16]这 2 位，11 后面的 00 实际是无效的。

PAGE_0C 后面的起始地址是 0x0C8000，这里的 8000 是分页窗口逻辑地址范围内的起始地址，0C 就是页号，按照图 2进行理解，全局地址 = (0x0C<<14) | 0x8000 = 0x38000，这个理解是错误的。经过调试发现应该是这样的：

全局地址 = (0x0C<<14) | （0x8000 – 0x8000） = 0x30000

则逻辑地址

Logic address = (Global address & 0x3C000) <<2 | (Global address & 0x03FFF) + 0x8000

则上例的逻辑地址 = (0x30000 & 0x3C000)<<2 |　0x30000 & 0x03FFF + 0x8000 = 0xC8000

那么

PAGE_0C_B000 = READ_ONLY 0x0CB000 TO 0x0CBFFF; //4k

全局地址 = (0x0C<<14) | （0xB000 – 0x8000） = 0x33000