mos管的rc吸收电路计算_一种反激式开关电源中MOS管的RC吸收电路的制作方法

本实用新型涉及一种RC吸收电路，特别是涉及一种反激式开关电源中MOS管的RC吸收电路。

背景技术：

开关电源正常工作时，开关芯片内置MOS管处在高频反复导通和关断工作状态。有多种可以解决反激式开关电源的EMI问题的方式，其中开关芯片内置MOS管DS两端并联RC吸收电路是一种普遍做法。

MOS管导通瞬间，由于MOS管DS两端存在寄生等效电容Coss，Vds(母线电压+反射电压+漏感尖峰电压)不能突变，只有当DS两端等效电容通过MOS内部回路完成放电，DS两端完成关断到导通状态的过渡，如图1所示，此时DS两端的Vds电压为Ids*Rdson。

Coss的放电电流为：

通过公式①得知，相同放电电流条件下Coss越大，越小。

通过公式②得知，噪声电流Inoise与大小直接相关，相同寄生电容条件下,越小，Inoise越小，EMI同样也就越好。也就是说Coss越大，EMI效果越好。

MOS管关断瞬间，同样由于MOS管DS两端存在寄生等效电容Coss，DS两端电压不能突变，只有当DS两端等效电容通过变压器原边绕组电流完成充电，DS两端完成导通到关断状态的过渡，如图2所示，此时DS电压为Vds(母线电压+反射电压+漏感尖峰电压总和)。同上理论，也就是说Coss越大，EMI效果越好。

由于电流反馈型开关电源原理决定需要采样变压器原边电流，目前采样原边电流有两种方式：一、通过MOS管源极串联电阻采样，二、通过MOS管Rdson电阻采样。在MOS的漏极和源极之间增加RC吸收电路是目前普遍做法，如图3所示。通过MOS管源极串联电阻完成原边电流采样，R1和R2电阻为电流采样电阻，R3和C1构成RC吸收回路。

目前电流采样管脚Source开关芯片大都为低耐压脚位，低于30V。由于C1大都为高压瓷片电容HVMLCC，该类型电容失效模式为短路状态。当PCB或其他机械应力导致该电容失效时，整流之后的高压直接通过电阻R3灌入开关芯片的Source脚，导致开关芯片的电流采样功能丧失。由于开关芯片电流采样功能异常