12.25模拟赛T2

本文探讨了在解决从i到n的期望路径问题时,如何通过堆优化的Dijkstra算法进行有效求解。通过分析f[x]与f[y]的关系,证明了算法的有效性和正确性,确保了f值的首次更新即为最终值。

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https://www.luogu.org/blog/a23333/post-xing-xuan-mu-ni-sai-path-ji-wang-zui-duan-lu

如果设f[i]表示从i到n的期望

那么转移方程比较好列。

但是取min的环形转移?

反过来想,

如果我们知道了f[x]的大小关系,

其实,可以化简成

其实就是,我们把一些min变成f[x]然后再消一消。

其实转移貌似没有环了?

但是我们不知道大小关系。

一些边没有用,度数减少一些。

只有比f[x]小的f[y]会转移到x,感觉和最短路有关?

实际上,

把f[n]=0放进堆里,跑一个堆优化dij,每次取出最小点更新相邻的点的f值。

用分析法或者加权平均数可以证明:f[x]<f'[y]<f[y]

所以,这个转移是有意义的,并且转移完成之后,f[y]不可能比f[x]小使得转移变得不合法

而且,可以证明,一个f值被取出的第一次,就是最终的f值。因为能转移到的一定都更新了,不会越更新越小导致能再转移过来。

然后开心dij一下即可。

不放心的话,可以观察最后的实际转移情况,所有转移一定是从比f[x]小的地方转移而来。

 

转载于:https://www.cnblogs.com/Miracevin/p/10175833.html

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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