SK海力士宣布将在本月底开始量产48层堆栈的3D NAND闪存，成为继三星之后第二家实现该技术规模生产的公司。预计到今年年底，其NAND闪存月产能将提升至2-3万片12寸晶圆，其中约15%为3D NAND产品。未来计划进一步推进技术迭代，于明年下半年量产72层堆栈的3D NAND闪存。
随着固态硬盘在市场的普及，这也使NAND闪存需求居高不下，各大闪存厂商也纷纷扩大产能了，SK Hynix公司日前宣布本月底将量产48层堆栈的3D NAND闪存，这是三星之后第二家量产48层堆栈3D闪存的公司。
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3D NAND闪存在性能、容量、可靠性、成本等方面有全面性的优势，而堆栈层数也是3D NAND闪存一个重要指标。目前也是三星3D闪存的主力，去年底到现在开始主推48层堆栈的第三代V-NAND闪存。
在今年底SK Hynix公司的NAND产能也将从目前每月1万片12寸晶圆翻倍到2-3万晶圆每月，其中3D NAND闪存占据大约15%的份额——该公司目前70%的产能依然用于DRAM内存。在48层堆栈NAND闪存之后，SK Hynix明年则会发展72层堆栈的3D闪存，预定明年下半年量产。
本文转自d1net（转载）
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