BZOJ 3323 splay维护序列

就第三个操作比较新颖
转化成 在l前插一个点
把r和r+1合并

//By SiriusRen
#include <cstdio>
#include <cstring>
#include <algorithm>
using namespace std;
const int maxn=100005,mod=20130426;
typedef long long ll;
struct Tree{
    int fa,ch[2];ll add,mul,size,val;
}tr[666666];
int cnt,root,n,xx,yy,zz;ll ans,t,al;
char op[10];
void push_up(int x){
    int lson=tr[x].ch[0],rson=tr[x].ch[1];
    tr[x].size=tr[lson].size+tr[rson].size+1;
}
void push_down(int x){
    if(!x||(tr[x].mul==1&&tr[x].add==0))return;
    int lson=tr[x].ch[0],rson=tr[x].ch[1];
    ((tr[lson].add*=tr[x].mul)+=tr[x].add)%=mod;
    ((tr[rson].add*=tr[x].mul)+=tr[x].add)%=mod;
    ((tr[lson].val*=tr[x].mul)+=tr[x].add)%=mod;
    ((tr[rson].val*=tr[x].mul)+=tr[x].add)%=mod;
    (tr[lson].mul*=tr[x].mul)%=mod;
    (tr[rson].mul*=tr[x].mul)%=mod;
    tr[x].mul=1,tr[x].add=0;
}
int build(int l,int r,int father){
    if(l>r)return 0;
    int pos=++cnt;
    tr[pos].size=1,tr[pos].fa=father,tr[pos].mul=1;
    if(l==r)return pos;
    int mid=(l+r)>>1;
    tr[pos].ch[0]=build(l,mid-1,pos);
    tr[pos].ch[1]=build(mid+1,r,pos);
    push_up(pos);
    return pos;
}
void rotate(int p){
    int q=tr[p].fa,y=tr[q].fa,x=(tr[q].ch[1]==p);
    tr[q].ch[x]=tr[p].ch[!x];tr[tr[q].ch[x]].fa=q;
    tr[p].ch[!x]=q;tr[q].fa=p;tr[p].fa=y;
    if(y)tr[y].ch[tr[y].ch[1]==q]=p;
    push_up(q);
}
void splay(int x,int tp){
    for(int y;y=tr[x].fa;rotate(x)){
        if(y==tp)break;
        if(tr[y].fa!=tp){
            if((tr[y].ch[0]==x)^(tr[tr[y].fa].ch[0]==y))rotate(x);
            else rotate(y);
        }
    }push_up(x);
    if(!tp)root=x;
}
void dfs(int x){
    if(!x)return;
    push_down(x);
    dfs(tr[x].ch[0]);
    if(++al>0)(ans+=t*tr[x].val)%=mod,(t*=xx)%=mod;
    dfs(tr[x].ch[1]);
}
int find(int x,int sz){
    push_down(x);
    if(tr[tr[x].ch[0]].size+1==sz)return x;
    else if(tr[tr[x].ch[0]].size>=sz)return find(tr[x].ch[0],sz);
    else return find(tr[x].ch[1],sz-tr[tr[x].ch[0]].size-1);
}
int main(){
    scanf("%d",&n);
    root=build(0,maxn,0);
    while(n--){
        scanf("%s",op);
        if(op[0]=='a'){
            scanf("%d%d%d",&xx,&yy,&zz);
            int fx=find(root,xx+1),fy=find(root,yy+3);
            splay(fx,0),splay(fy,fx);
            (tr[tr[fy].ch[0]].add+=zz)%=mod,(tr[tr[fy].ch[0]].val+=zz)%=mod;
            push_up(fy),push_up(fx);
        }
        else if(op[3]=='x'){
            scanf("%d%d",&xx,&yy);
            int fx=find(root,yy+1),fy=find(root,yy+4);
            splay(fx,0),splay(fy,fx);
            push_down(fx),push_down(fy),push_down(tr[fy].ch[0]);
            int now1=tr[fy].ch[0],now2=tr[now1].ch[0]+tr[now1].ch[1];
            tr[now1].val+=tr[now2].val,tr[now1].size=1;
            tr[now2].fa=tr[now1].ch[0]=tr[now1].ch[1]=0;
            push_up(fy),push_up(fx);
            fx=find(root,xx+1),fy=find(root,xx+2);
            splay(fx,0),splay(fy,fx);tr[fy].ch[0]=++cnt;
            tr[cnt].size=1,tr[cnt].fa=fy,tr[cnt].mul=1;
            push_up(fy),push_up(fx);
        }
        else if(op[0]=='q'){
            scanf("%d",&xx),ans=0,t=1,al=-1,dfs(root),printf("%lld\n",ans);
        }
        else{
            scanf("%d%d%d",&xx,&yy,&zz);
            int fx=find(root,xx+1),fy=find(root,yy+3);
            splay(fx,0),splay(fy,fx);
            (tr[tr[fy].ch[0]].mul*=zz)%=mod,(tr[tr[fy].ch[0]].val*=zz)%=mod;
            (tr[tr[fy].ch[0]].add*=zz)%=mod,push_up(fy),push_up(fx); 
        }
    }
}

这里写图片描述

转载于:https://www.cnblogs.com/SiriusRen/p/6532025.html

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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