重新理解“失败是成功他妈”

本文通过练车考试和个人工作中的一个小插曲,探讨了失败与成功的关系,并分享了作者对于“三人行,必有我师”和“知行合一”的新理解。

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     失败是成功他妈,这是话在职场中经常听到。最近经历过一些事情,让我重新认识了这句话。

     第一件事就是驾校练车:

     在练车时,和其他学车人一起闲谈,听到好些人都说,自己平时练的时候好好的,可是一到考试就挂。而我却恰恰相反,练车时好时差,被教练骂的要死,每次练车总会出些差错,可到真正考试的时候,能很好的处理突发事件,基本上一次通过。

     第二件事就是找错门:

     最近陪一个客户去公司另外一个部门做调查,那个部门是在另外比较远的一栋楼,所以事先打电话给那个部门联系人问清具体地点。对方说在南门口进,当过去的时候,发现楼的南边没有一个门是开的。可我还是死脑筋,把这栋楼的南边走了一溜,依旧没发现。后来发现所谓的南门其实在楼的东面。由于自己没沟通处理好,在楼外晃悠了至少五分钟时间,让客户很是不满。

 
     练车这件事可以感觉到,平时出现差错时正常的,甚至是必要的。这样,以后出现异常状况时,就能够自如驾驭。反之,如果做什么都很顺利时,一旦有挫折失误时,就不知所措。就像现在小孩教育,必要的时候要加些挫折教育。正所谓吃一堑长一智!

     而找错门这件事,则是个人的惯性思维造成的失误,以及遇到状况时,没有及时沟通,而一味的凭自己经验去处理。放大了说,以往的成功经历可能会成为下一站的绊脚石,遇事做事要灵活善用,勇于变通。赫拉克利特所说的“人不能踏进同一条河里”,大抵如此吧。再说句题外话,正因为如此,本人才一直非常讨厌唐骏的“我的成功可以复制”。

 

    以下是最近个人新的感悟:

     “三人行,必有我师” :做人要谦虚低调,时刻保持一种学习的心态。

    “知行合一”:知是行之始,行驶知之成,所以认知必须的,但最重要的是要确保认知是正确的,是没有偏差的。很庆幸,前阵子历经六天的助理咨商师培训中,让我“真正”认识了自己,从而能很好的辨别自己和控制自己,而这不正是心学里所追求的“去人欲,存天理”嘛!

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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