去年11月，SK海力士推出48层3D NAND闪存芯片，近日再推72层3D NAND芯片，超越三星等公司的64层技术。新芯片单元数量提升1.5倍，生产效率提高30%，内部运行速度翻倍，读写性能提升20%，预计下半年大规模生产。
去年11月，SK海力士正式推出了自家首颗48层3D NAND闪存芯片，标志着3D NAND技术的一次飞跃，但时隔5个月，海力士再次打破纪录，推出了世界首款基于TLC阵列的72层3D NAND芯片，超过三星、美光及东芝新一代64层3D NAND闪存。
相比于海力士之前推出的48层3D NAND芯片，72层芯片将单元数量提升了1.5倍，生产效率增加了30%。此外，由于加入了高速电路设计，72层芯片的内部运行速度达到了48芯片的2倍，读写性能剧增20%！
海力士表示，72层3D NAND芯片将于今年下半年大规模生产，以满足高性能固态硬盘和智能手机设备的需求。
本文转自d1net（转载）
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