海力士推全球首款72层3D NAND闪存:读写速度增20%

韩国海力士公司宣布推出全球堆栈层数最多的72层3D NAND闪存芯片,容量为256Gb。相比48层产品,新芯片单元数量提升1.5倍,生产效率提高30%,读写性能增加20%。预计该产品将在下半年投入大规模生产。

韩国海力士公司目前宣布推出全球堆栈层数最多的72层3D NAND,容量为256Gb,仍为TLC。

海力士推全球首款72层3D NAND闪存:读写速度增20%

据了解,相比于之前推出的48层3D NAND芯片,72层芯片将单元数量提升了1.5倍,生产效率增加30%。同时,由于加入了高速电路设计,72层芯片的内部运行速度达到了之前的2倍,读写性能增20%。

海力士表示,72层3D NAND芯片将于今年下半年大规模生产,以满足高性能固态硬盘和智能手机等设备的需求。  


 


  

本文转自d1net(转载)

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