[NAND Flash] 3D NAND Flash 层数博弈， 从平房到摩天大楼 （2024 更新）

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专栏 《深入理解NAND Flash》

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前言

在过去的两年中，闪存技术已经从64层发展到超过200层的堆叠结构， 现在发展到多少层了？层数增加除了降低成本以及单个芯片更大容量以外，堆叠层数的增加能带来什么性能上的好处？

NAND 层数越高越好吗？

你说盖房子越高越好吗， 不一定吧。那对 NAND Flash 而言呢？

在一定程度上，3D NAND Flash的层数越高，存储容量和性能都有可能提升。更高的层数意味着更多的储存单元可以被垂直堆叠在同一芯片上，从而提高存储密度。这样可以在相同物理空间内存储更多的数据。简单理解就是： 芯片的成本是和面积成正比的，同样的面积可以生产出更多的存储容量， 成本没有增加， 卖的价格可以更好。

此外，更高的层数还可以提高读取和写入速度，减少延迟时间。由于储存单元更加紧密地堆叠在一起，数据的访问路径更短，提高了读写操作的效率。

然而，高层数的3D NAND Flash也面临一些挑战。随着层数的增加，芯片的复杂性和制造难度也会增加。同时，高层数的堆叠也可能导致电路之