[底层驱动 2.4] 底层芯片国产进程

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[NAND 驱动 2.4] 闪存芯片国产进程

前言

存储芯片生态包含设计环节和制造封装环节还有品牌营销环节。设计环节是核心技术，包含闪存芯片、闪存主控芯片、缓存芯片。

本文从闪存芯片视角，介绍存储国产化的进展。后续文章会再从其他视角介绍。

本文内容聚焦于闪存存储，不设涉及其他存储介质，如光盘，磁盘。

本文主要是以固态硬盘和嵌入式存储为主。对SD卡片类或U盘因技术较成熟，其基本存储原理和固态硬盘相似，只是和主机交互不同，本文不再赘述。

闪存利用电容存储电子来表示0/1的数据，来存储二进制数据。

1 闪存介质

闪存介质分为NOR FALSH 和 NAND FALSH。
NOR FALSH 产品容量较小，适合应用于对存储数据量较小（小于16MB）的场景，比如穿戴设备和智能家电。

NAND FLASH 产品容量较大，适合应用于对存储数据量较大（大于16MB）的场景。主要用在手机、平板、电脑、服务器。

NOR FLASH 单字节成本比NAND flash 高，但因容量小，总的价格较低。16MB 是一个分水岭。

32MB NOR Flash 的价格甚至比128MB的NAND Flash还要贵。

通常读取NOR的速度比NAND稍快一些，而NAND的写入速度比NOR快很多。

2021全球闪存存储芯片中NAND约95%，NOR约5%。

NOR主要应用在代码存储，NAND适合于数据存储。

1.1 NOR